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Universidade Estadual de Campinas

1. Vicentin, Flávio César. Aplicação de contatos organico-inorganico para caracterização de semicondutores .

Degree: 1990, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Este trabalho trata da caracterização elétrica de dispositivos formados por um semicondutor orgânico (3,4,9,10 perilenetetracarboxílico dianidrido - PTCDA) sobre semicondutores inorgânicos (Si, GaAs, InP… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores

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APA (6th Edition):

Vicentin, F. C. (1990). Aplicação de contatos organico-inorganico para caracterização de semicondutores . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278305

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Vicentin, Flávio César. “Aplicação de contatos organico-inorganico para caracterização de semicondutores .” 1990. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278305.

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MLA Handbook (7th Edition):

Vicentin, Flávio César. “Aplicação de contatos organico-inorganico para caracterização de semicondutores .” 1990. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Vicentin FC. Aplicação de contatos organico-inorganico para caracterização de semicondutores . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278305.

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Council of Science Editors:

Vicentin FC. Aplicação de contatos organico-inorganico para caracterização de semicondutores . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278305

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Universidade Estadual de Campinas

2. Abbade, Marcelo Luis Francisco. Caracterização óptica de uma estrutura tipo HEMT de GaAs/InGaAs/AlGaAs .

Degree: 1997, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Realizamos um estudo das propriedades ópticas de uma estrutura tipo HEMT de um poço quântico de GaAs/InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs com dopagem modulada. Neste estudo, utilizamos técnicas… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores

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APA (6th Edition):

Abbade, M. L. F. (1997). Caracterização óptica de uma estrutura tipo HEMT de GaAs/InGaAs/AlGaAs . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277776

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Abbade, Marcelo Luis Francisco. “Caracterização óptica de uma estrutura tipo HEMT de GaAs/InGaAs/AlGaAs .” 1997. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277776.

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MLA Handbook (7th Edition):

Abbade, Marcelo Luis Francisco. “Caracterização óptica de uma estrutura tipo HEMT de GaAs/InGaAs/AlGaAs .” 1997. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Abbade MLF. Caracterização óptica de uma estrutura tipo HEMT de GaAs/InGaAs/AlGaAs . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1997. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277776.

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Council of Science Editors:

Abbade MLF. Caracterização óptica de uma estrutura tipo HEMT de GaAs/InGaAs/AlGaAs . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1997. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277776

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Universidade do Rio Grande do Sul

3. Bom, Nicolau Molina. Processamento físico-químico de semicondutores com alta-mobilidade de portadores : germânio e grafeno.

Degree: 2015, Universidade do Rio Grande do Sul

A evolução da microeletrônica ocorrida nas últimas cinco décadas levou a tecnologia do Silício (Si) aos seus limites. A busca por novos materiais semicondutores se… (more)

Subjects/Keywords: Microeletrônica; Semicondutores

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APA (6th Edition):

Bom, N. M. (2015). Processamento físico-químico de semicondutores com alta-mobilidade de portadores : germânio e grafeno. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/117763

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Bom, Nicolau Molina. “Processamento físico-químico de semicondutores com alta-mobilidade de portadores : germânio e grafeno.” 2015. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed August 18, 2019. http://hdl.handle.net/10183/117763.

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MLA Handbook (7th Edition):

Bom, Nicolau Molina. “Processamento físico-químico de semicondutores com alta-mobilidade de portadores : germânio e grafeno.” 2015. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Bom NM. Processamento físico-químico de semicondutores com alta-mobilidade de portadores : germânio e grafeno. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2015. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/117763.

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Council of Science Editors:

Bom NM. Processamento físico-químico de semicondutores com alta-mobilidade de portadores : germânio e grafeno. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2015. Available from: http://hdl.handle.net/10183/117763

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Universidade Estadual de Campinas

4. Weber, Gerald. Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras .

Degree: 1990, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Calculamos, utilizando um formalismo variacional, as energias de ligação de estados de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras dentro da aproximação da massa… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores

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APA (6th Edition):

Weber, G. (1990). Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278215

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Weber, Gerald. “Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras .” 1990. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278215.

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MLA Handbook (7th Edition):

Weber, Gerald. “Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras .” 1990. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Weber G. Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278215.

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Council of Science Editors:

Weber G. Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278215

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Universidade Estadual de Campinas

5. Bernussi, Ayrton Andre. Propriedades ópticas de camadas epitaxiais de semicondutores III-V com gás bi-dimensional de elétrons .

Degree: 1990, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Este trabalho apresenta um estudo detalhado, por fotorefletância, de camadas de GaAs com dopagem planar de silício. As amostras foram crescidas pela técnica de… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores

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APA (6th Edition):

Bernussi, A. A. (1990). Propriedades ópticas de camadas epitaxiais de semicondutores III-V com gás bi-dimensional de elétrons . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278590

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Bernussi, Ayrton Andre. “Propriedades ópticas de camadas epitaxiais de semicondutores III-V com gás bi-dimensional de elétrons .” 1990. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278590.

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MLA Handbook (7th Edition):

Bernussi, Ayrton Andre. “Propriedades ópticas de camadas epitaxiais de semicondutores III-V com gás bi-dimensional de elétrons .” 1990. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Bernussi AA. Propriedades ópticas de camadas epitaxiais de semicondutores III-V com gás bi-dimensional de elétrons . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278590.

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Council of Science Editors:

Bernussi AA. Propriedades ópticas de camadas epitaxiais de semicondutores III-V com gás bi-dimensional de elétrons . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278590

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Universidade Estadual de Campinas

6. Reis, Fabio Gon?alves dos, 1945-. Semicondutor saturado .

Degree: 1979, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Este trabalho visa fundamentalmente o estudo da fase saturada em semicondutores em termos de um formalismo de quasi-partrculas. Para isto, come?amos apresentando no par?grafo… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores

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APA (6th Edition):

Reis, Fabio Gon?alves dos, 1. (1979). Semicondutor saturado . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277130

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Reis, Fabio Gon?alves dos, 1945-. “Semicondutor saturado .” 1979. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277130.

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MLA Handbook (7th Edition):

Reis, Fabio Gon?alves dos, 1945-. “Semicondutor saturado .” 1979. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Reis, Fabio Gon?alves dos 1. Semicondutor saturado . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1979. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277130.

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Council of Science Editors:

Reis, Fabio Gon?alves dos 1. Semicondutor saturado . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1979. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277130

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Universidade Estadual de Campinas

7. Honda, Roberto Yzumi. Métodos de análise experimental de uma configuração de campo reverso no TC1-UNICAMP .

Degree: 1993, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Este trabalho objetivou a caracterização tanto da máquina TCI-UNICAMP quanto do plasma produzido na configuração de campo reverso (C.C.R.) nela formada e para tal… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores

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APA (6th Edition):

Honda, R. Y. (1993). Métodos de análise experimental de uma configuração de campo reverso no TC1-UNICAMP . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260456

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Honda, Roberto Yzumi. “Métodos de análise experimental de uma configuração de campo reverso no TC1-UNICAMP .” 1993. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260456.

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MLA Handbook (7th Edition):

Honda, Roberto Yzumi. “Métodos de análise experimental de uma configuração de campo reverso no TC1-UNICAMP .” 1993. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Honda RY. Métodos de análise experimental de uma configuração de campo reverso no TC1-UNICAMP . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1993. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260456.

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Council of Science Editors:

Honda RY. Métodos de análise experimental de uma configuração de campo reverso no TC1-UNICAMP . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1993. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260456

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Universidade do Porto

8. Simões, André Fernandes. Desenvolvimento de software educativo para o ensino de semicondutores.

Degree: 2009, Universidade do Porto

Tese de mestrado integrado. Engenharia Electrotécnica e de Computadores (Major Automação). Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto. 2009 Advisors/Committee Members: Araújo, Armando Luís Sousa, Chibante, Rui Filipe Marques, Universidade do Porto. Faculdade de Engenharia.

Subjects/Keywords: Software educativo; Semicondutores

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APA (6th Edition):

Simões, A. F. (2009). Desenvolvimento de software educativo para o ensino de semicondutores. (Thesis). Universidade do Porto. Retrieved from http://www.rcaap.pt/detail.jsp?id=oai:repositorio-aberto.up.pt:10216/60127

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Simões, André Fernandes. “Desenvolvimento de software educativo para o ensino de semicondutores.” 2009. Thesis, Universidade do Porto. Accessed August 18, 2019. http://www.rcaap.pt/detail.jsp?id=oai:repositorio-aberto.up.pt:10216/60127.

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MLA Handbook (7th Edition):

Simões, André Fernandes. “Desenvolvimento de software educativo para o ensino de semicondutores.” 2009. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Simões AF. Desenvolvimento de software educativo para o ensino de semicondutores. [Internet] [Thesis]. Universidade do Porto; 2009. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://www.rcaap.pt/detail.jsp?id=oai:repositorio-aberto.up.pt:10216/60127.

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Council of Science Editors:

Simões AF. Desenvolvimento de software educativo para o ensino de semicondutores. [Thesis]. Universidade do Porto; 2009. Available from: http://www.rcaap.pt/detail.jsp?id=oai:repositorio-aberto.up.pt:10216/60127

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9. Sampaio Lins, Tiago. The development of a hardware abstraction layer generator for system-on-chip functional verification .

Degree: 2009, Universidade Federal de Pernambuco

 Atualmente o processo de verificação funcional de System-on-Chip (SoC) complexos envolve centenas de engenheiros ao longo do projeto de um circuito integrado. Tal esforço visa… (more)

Subjects/Keywords: Microeletrônica; Circuitos semicondutores

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APA (6th Edition):

Sampaio Lins, T. (2009). The development of a hardware abstraction layer generator for system-on-chip functional verification . (Thesis). Universidade Federal de Pernambuco. Retrieved from http://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/2452

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Sampaio Lins, Tiago. “The development of a hardware abstraction layer generator for system-on-chip functional verification .” 2009. Thesis, Universidade Federal de Pernambuco. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/2452.

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MLA Handbook (7th Edition):

Sampaio Lins, Tiago. “The development of a hardware abstraction layer generator for system-on-chip functional verification .” 2009. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Sampaio Lins T. The development of a hardware abstraction layer generator for system-on-chip functional verification . [Internet] [Thesis]. Universidade Federal de Pernambuco; 2009. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/2452.

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Council of Science Editors:

Sampaio Lins T. The development of a hardware abstraction layer generator for system-on-chip functional verification . [Thesis]. Universidade Federal de Pernambuco; 2009. Available from: http://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/2452

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Universidade Estadual de Campinas

10. Casagrande, Paula Simões, 1991-. Sensor de carga tipo FET para medidas em meios líquidos .

Degree: 2016, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho foram desenvolvidos e caracterizados transistores de efeito de campo sensíveis a íons (Ion Sensitive Field Effect Transistor ¿ ISFET) com dois óxidos… (more)

Subjects/Keywords: Microfabricação; Biossensores; Semicondutores

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APA (6th Edition):

Casagrande, Paula Simões, 1. (2016). Sensor de carga tipo FET para medidas em meios líquidos . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/330784

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Casagrande, Paula Simões, 1991-. “Sensor de carga tipo FET para medidas em meios líquidos .” 2016. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/330784.

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MLA Handbook (7th Edition):

Casagrande, Paula Simões, 1991-. “Sensor de carga tipo FET para medidas em meios líquidos .” 2016. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Casagrande, Paula Simões 1. Sensor de carga tipo FET para medidas em meios líquidos . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2016. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/330784.

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Council of Science Editors:

Casagrande, Paula Simões 1. Sensor de carga tipo FET para medidas em meios líquidos . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2016. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/330784

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11. Ricardo de Almeida Simon. Contribuições ao estudo do transporte eletrônico em nanofios semicondutores : localização e estados de interface.

Degree: 2013, Universidade Federal de São Carlos

 Neste trabalho foi estudada a influência que cargas superficiais exercem nas propriedades (especialmente de transporte eletrônico) de nanofios e nanofitas semicondutores através de simulações computacionais… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Nanofios semicondutores; Semicondutores - superfícies; Transporte eletrônico; FISICA

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APA (6th Edition):

Simon, R. d. A. (2013). Contribuições ao estudo do transporte eletrônico em nanofios semicondutores : localização e estados de interface. (Thesis). Universidade Federal de São Carlos. Retrieved from http://www.bdtd.ufscar.br/htdocs/tedeSimplificado//tde_busca/arquivo.php?codArquivo=6200

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Simon, Ricardo de Almeida. “Contribuições ao estudo do transporte eletrônico em nanofios semicondutores : localização e estados de interface.” 2013. Thesis, Universidade Federal de São Carlos. Accessed August 18, 2019. http://www.bdtd.ufscar.br/htdocs/tedeSimplificado//tde_busca/arquivo.php?codArquivo=6200.

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MLA Handbook (7th Edition):

Simon, Ricardo de Almeida. “Contribuições ao estudo do transporte eletrônico em nanofios semicondutores : localização e estados de interface.” 2013. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Simon RdA. Contribuições ao estudo do transporte eletrônico em nanofios semicondutores : localização e estados de interface. [Internet] [Thesis]. Universidade Federal de São Carlos; 2013. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://www.bdtd.ufscar.br/htdocs/tedeSimplificado//tde_busca/arquivo.php?codArquivo=6200.

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Council of Science Editors:

Simon RdA. Contribuições ao estudo do transporte eletrônico em nanofios semicondutores : localização e estados de interface. [Thesis]. Universidade Federal de São Carlos; 2013. Available from: http://www.bdtd.ufscar.br/htdocs/tedeSimplificado//tde_busca/arquivo.php?codArquivo=6200

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Universidade Estadual de Campinas

12. Silva, Ana Lucia Gonçalves da, 1955-. A industria de componentes eletronicos semicondutores : padrão de concorrencia internacional e inserção do Brasil .

Degree: 1985, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Coutinho, Luciano Galvão, 1946- (advisor), Coutinho, Luciano Galvão (advisor).

Subjects/Keywords: Semicondutores; Microeletrônica

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APA (6th Edition):

Silva, Ana Lucia Gonçalves da, 1. (1985). A industria de componentes eletronicos semicondutores : padrão de concorrencia internacional e inserção do Brasil . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/285387

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Silva, Ana Lucia Gonçalves da, 1955-. “A industria de componentes eletronicos semicondutores : padrão de concorrencia internacional e inserção do Brasil .” 1985. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/285387.

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MLA Handbook (7th Edition):

Silva, Ana Lucia Gonçalves da, 1955-. “A industria de componentes eletronicos semicondutores : padrão de concorrencia internacional e inserção do Brasil .” 1985. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Silva, Ana Lucia Gonçalves da 1. A industria de componentes eletronicos semicondutores : padrão de concorrencia internacional e inserção do Brasil . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1985. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/285387.

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Council of Science Editors:

Silva, Ana Lucia Gonçalves da 1. A industria de componentes eletronicos semicondutores : padrão de concorrencia internacional e inserção do Brasil . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1985. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/285387

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Universidade Estadual de Campinas

13. Borba, Gilvan Luiz. Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga .

Degree: 1984, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: No capitulo I descrevem-se as propriedades elementares gerais de ondas de densidade de carga em condições de equilíbrio termodinâmico, dando ênfase à evidência experimental… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Eletroluminescência

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APA (6th Edition):

Borba, G. L. (1984). Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277393

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Borba, Gilvan Luiz. “Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga .” 1984. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277393.

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MLA Handbook (7th Edition):

Borba, Gilvan Luiz. “Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga .” 1984. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Borba GL. Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1984. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277393.

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Borba GL. Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1984. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277393

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Universidade Estadual de Campinas

14. Jarschel, Paulo Felipe. Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens .

Degree: 2009, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: A radiação eletromagnética em Terahertz (THz) situa-se na faixa de 1012 Hz, com comprimentos de onda associados variando de 30 µm até 3 mm.… (more)

Subjects/Keywords: Ondas Terahertz; Semicondutores; Radiação; Fotocondutividade

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APA (6th Edition):

Jarschel, P. F. (2009). Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278460

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Jarschel, Paulo Felipe. “Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens .” 2009. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278460.

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MLA Handbook (7th Edition):

Jarschel, Paulo Felipe. “Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens .” 2009. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Jarschel PF. Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2009. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278460.

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Jarschel PF. Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagens . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2009. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278460

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15. Santos, Graciely Elias dos, 1986-. Acoplamento em estruturas híbridas : poço e pontos quânticos .

Degree: 2014, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho estudamos o efeito de acoplamento eletrônico entre duas estruturas quânticas com uma separação variável entre elas. Utilizamos como base para este estudo… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Pontos quânticos; Nanoestrutura

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APA (6th Edition):

Santos, Graciely Elias dos, 1. (2014). Acoplamento em estruturas híbridas : poço e pontos quânticos . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/276971

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Santos, Graciely Elias dos, 1986-. “Acoplamento em estruturas híbridas : poço e pontos quânticos .” 2014. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/276971.

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Santos, Graciely Elias dos, 1986-. “Acoplamento em estruturas híbridas : poço e pontos quânticos .” 2014. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Santos, Graciely Elias dos 1. Acoplamento em estruturas híbridas : poço e pontos quânticos . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2014. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/276971.

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Santos, Graciely Elias dos 1. Acoplamento em estruturas híbridas : poço e pontos quânticos . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2014. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/276971

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16. Weinketz, Sieghard. Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas .

Degree: 1988, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: São feitos estudos de simulação de lasers semicondutores visando a obtenção do valor corrente limiar em função das dimensões do dispositivo, para o caso… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores

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APA (6th Edition):

Weinketz, S. (1988). Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277780

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Weinketz, Sieghard. “Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas .” 1988. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277780.

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Weinketz, Sieghard. “Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas .” 1988. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Weinketz S. Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1988. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277780.

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Weinketz S. Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1988. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277780

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17. Bossi, Reusi Ines. Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação .

Degree: 1977, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Campos, Marcio D'Olne, 1943- (advisor).

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores

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APA (6th Edition):

Bossi, R. I. (1977). Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278248

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Bossi, Reusi Ines. “Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação .” 1977. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278248.

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Bossi, Reusi Ines. “Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação .” 1977. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Bossi RI. Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1977. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278248.

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Bossi RI. Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1977. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278248

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Universidade Estadual de Campinas

18. Ceolin, Mauricio Francisco, 1954-. Estudo da mobilidade eletrônica nos compostos InGaASP .

Degree: 1983, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Este trabalho visa, basicamente, calcular a partir de resultados experimentais duas grandezas importantes para o conhecimento dos mecanismos de transporte de carga na liga… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Cristais

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APA (6th Edition):

Ceolin, Mauricio Francisco, 1. (1983). Estudo da mobilidade eletrônica nos compostos InGaASP . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278268

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Ceolin, Mauricio Francisco, 1954-. “Estudo da mobilidade eletrônica nos compostos InGaASP .” 1983. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278268.

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MLA Handbook (7th Edition):

Ceolin, Mauricio Francisco, 1954-. “Estudo da mobilidade eletrônica nos compostos InGaASP .” 1983. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Ceolin, Mauricio Francisco 1. Estudo da mobilidade eletrônica nos compostos InGaASP . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1983. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278268.

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Ceolin, Mauricio Francisco 1. Estudo da mobilidade eletrônica nos compostos InGaASP . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1983. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278268

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19. Vieira, Olavo Divino. Injeção de portadores quentes numa junção P-N .

Degree: 1977, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Patel, Navin Bhailalbhai, 1942- (advisor), Patel, Navin B (advisor).

Subjects/Keywords: Semicondutores - Junções

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APA (6th Edition):

Vieira, O. D. (1977). Injeção de portadores quentes numa junção P-N . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278573

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Vieira, Olavo Divino. “Injeção de portadores quentes numa junção P-N .” 1977. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278573.

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Vieira, Olavo Divino. “Injeção de portadores quentes numa junção P-N .” 1977. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Vieira OD. Injeção de portadores quentes numa junção P-N . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1977. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278573.

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Vieira OD. Injeção de portadores quentes numa junção P-N . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1977. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278573

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Universidade Estadual de Campinas

20. Campomanes Santana, Ricardo Robinson. Dopagem do a-Ge:H com nitrogênio usando amônia como gás dopante .

Degree: 1994, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho apresentamos resultados nas propriedades ópticas e elétricas de filmes de germânio amorfo hidrogenado (a-Ge:H), dopados com nitrogênio. Usamos a amônia como gás… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores amorfos

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APA (6th Edition):

Campomanes Santana, R. R. (1994). Dopagem do a-Ge:H com nitrogênio usando amônia como gás dopante . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277993

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Campomanes Santana, Ricardo Robinson. “Dopagem do a-Ge:H com nitrogênio usando amônia como gás dopante .” 1994. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277993.

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MLA Handbook (7th Edition):

Campomanes Santana, Ricardo Robinson. “Dopagem do a-Ge:H com nitrogênio usando amônia como gás dopante .” 1994. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Campomanes Santana RR. Dopagem do a-Ge:H com nitrogênio usando amônia como gás dopante . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1994. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277993.

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Council of Science Editors:

Campomanes Santana RR. Dopagem do a-Ge:H com nitrogênio usando amônia como gás dopante . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1994. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277993

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Universidade Estadual de Campinas

21. Camilo Junior, Alexandre. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE .

Degree: 1990, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo do crescimento de InP sobre InP pela técnica de Epitaxia Química em Vácuo, utilizando o sistema construído no LPD/DFA-UNICAMP.… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Lasers

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APA (6th Edition):

Camilo Junior, A. (1990). Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Camilo Junior, Alexandre. “Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE .” 1990. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447.

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MLA Handbook (7th Edition):

Camilo Junior, Alexandre. “Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE .” 1990. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Camilo Junior A. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447.

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Camilo Junior A. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447

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Universidade Estadual de Campinas

22. Morosini, Antonio Carlos. Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor .

Degree: 1975, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Campos, Marcio D'Olne, 1943- (advisor).

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores

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APA (6th Edition):

Morosini, A. C. (1975). Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278319

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Morosini, Antonio Carlos. “Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor .” 1975. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278319.

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MLA Handbook (7th Edition):

Morosini, Antonio Carlos. “Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor .” 1975. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Morosini AC. Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1975. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278319.

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Morosini AC. Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1975. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278319

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Universidade Estadual de Campinas

23. Nassar, Antonio Boulhosa. Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes .

Degree: 1980, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho estudou-se a blindagem de impurezas carregadas em semicondutores, submetidos a campos magnéticos fortes uniformes e radiação laser, em baixas temperaturas, e sua… (more)

Subjects/Keywords: Lasers; Semicondutores

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APA (6th Edition):

Nassar, A. B. (1980). Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278266

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Nassar, Antonio Boulhosa. “Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes .” 1980. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278266.

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MLA Handbook (7th Edition):

Nassar, Antonio Boulhosa. “Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes .” 1980. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Nassar AB. Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1980. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278266.

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Nassar AB. Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1980. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278266

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Universidade Estadual de Campinas

24. Nunes Junior, Alcides da Silva. Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs .

Degree: 1989, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Utilizamos a caracterização eletro-óptica em lasers do tipo Poço Quântico Simples, com camada ativa de 150Þ e contato de faixa de 4,0 mm de… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores

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APA (6th Edition):

Nunes Junior, A. d. S. (1989). Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277160

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Nunes Junior, Alcides da Silva. “Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs .” 1989. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277160.

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Nunes Junior, Alcides da Silva. “Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs .” 1989. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Nunes Junior AdS. Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277160.

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Nunes Junior AdS. Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277160

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Universidade Estadual de Campinas

25. Lima, Claudio Ribeiro. Construção e caracterização de lasers semicondutores sintonizaveis por cavidades externas longas (LEC Lasers) .

Degree: 1991, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresenta-se a construção e caracterização de um laser semicondutor por montagem em cavidade externa longa (LEC Laser) sintonizada por grade de difração. Inicialmente efeito… (more)

Subjects/Keywords: Ótica; Semicondutores

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APA (6th Edition):

Lima, C. R. (1991). Construção e caracterização de lasers semicondutores sintonizaveis por cavidades externas longas (LEC Lasers) . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261383

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Lima, Claudio Ribeiro. “Construção e caracterização de lasers semicondutores sintonizaveis por cavidades externas longas (LEC Lasers) .” 1991. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261383.

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MLA Handbook (7th Edition):

Lima, Claudio Ribeiro. “Construção e caracterização de lasers semicondutores sintonizaveis por cavidades externas longas (LEC Lasers) .” 1991. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Lima CR. Construção e caracterização de lasers semicondutores sintonizaveis por cavidades externas longas (LEC Lasers) . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1991. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261383.

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Lima CR. Construção e caracterização de lasers semicondutores sintonizaveis por cavidades externas longas (LEC Lasers) . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1991. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261383

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Universidade Estadual de Campinas

26. Furtado, Andre Santos de Oliveira. Fabricação e caracterização de sensor de pixel ativo com tecnologia NMOS de porta metalica .

Degree: 2009, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Sensores de Pixel Ativo (APS) baseados em tecnologia nMOS simples e com alta razão de aspecto podem apresentar boa sensibilidade para fotodetecção e oferecer… (more)

Subjects/Keywords: Detectores; Detectores óticos; Semicondutores

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APA (6th Edition):

Furtado, A. S. d. O. (2009). Fabricação e caracterização de sensor de pixel ativo com tecnologia NMOS de porta metalica . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259294

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Furtado, Andre Santos de Oliveira. “Fabricação e caracterização de sensor de pixel ativo com tecnologia NMOS de porta metalica .” 2009. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259294.

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MLA Handbook (7th Edition):

Furtado, Andre Santos de Oliveira. “Fabricação e caracterização de sensor de pixel ativo com tecnologia NMOS de porta metalica .” 2009. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Furtado ASdO. Fabricação e caracterização de sensor de pixel ativo com tecnologia NMOS de porta metalica . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2009. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259294.

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Council of Science Editors:

Furtado ASdO. Fabricação e caracterização de sensor de pixel ativo com tecnologia NMOS de porta metalica . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2009. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259294

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Universidade Estadual de Campinas

27. Santos, Marcos Vinicius Puydinger dos, 1987-. Desenvolvimento de processos de obtenção nanofios de silício para dispositivos MOS 3D utilizando feixe de íons focalizados e litografia por feixe de elétrons .

Degree: 2013, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho é apresentado o desenvolvimento do processo de obtenção de nanofios de silício (SiNW) para aplicações em dispositivos MOS tridimensionais utilizando as técnicas… (more)

Subjects/Keywords: Nanoeletrônica; Nanofios; Semicondutores; Litografia; Silício

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APA (6th Edition):

Santos, Marcos Vinicius Puydinger dos, 1. (2013). Desenvolvimento de processos de obtenção nanofios de silício para dispositivos MOS 3D utilizando feixe de íons focalizados e litografia por feixe de elétrons . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259290

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Santos, Marcos Vinicius Puydinger dos, 1987-. “Desenvolvimento de processos de obtenção nanofios de silício para dispositivos MOS 3D utilizando feixe de íons focalizados e litografia por feixe de elétrons .” 2013. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 18, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259290.

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MLA Handbook (7th Edition):

Santos, Marcos Vinicius Puydinger dos, 1987-. “Desenvolvimento de processos de obtenção nanofios de silício para dispositivos MOS 3D utilizando feixe de íons focalizados e litografia por feixe de elétrons .” 2013. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Santos, Marcos Vinicius Puydinger dos 1. Desenvolvimento de processos de obtenção nanofios de silício para dispositivos MOS 3D utilizando feixe de íons focalizados e litografia por feixe de elétrons . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2013. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259290.

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Council of Science Editors:

Santos, Marcos Vinicius Puydinger dos 1. Desenvolvimento de processos de obtenção nanofios de silício para dispositivos MOS 3D utilizando feixe de íons focalizados e litografia por feixe de elétrons . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2013. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259290

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28. Makiuchi, Nilo. Correlação eletrônica em semicondutores III-V dopados com metais de transição.

Degree: PhD, Física do Estado Sólido, 1990, University of São Paulo

Realizamos um estudo sistematico de impurezas de metal de transicao das series 3d, 4d e 5d em semicondutores iii-v atraves do modelo de aglomerados moleculares… (more)

Subjects/Keywords: Semiconductors; Semicondutores

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APA (6th Edition):

Makiuchi, N. (1990). Correlação eletrônica em semicondutores III-V dopados com metais de transição. (Doctoral Dissertation). University of São Paulo. Retrieved from http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-05122013-171344/ ;

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Makiuchi, Nilo. “Correlação eletrônica em semicondutores III-V dopados com metais de transição.” 1990. Doctoral Dissertation, University of São Paulo. Accessed August 18, 2019. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-05122013-171344/ ;.

MLA Handbook (7th Edition):

Makiuchi, Nilo. “Correlação eletrônica em semicondutores III-V dopados com metais de transição.” 1990. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Makiuchi N. Correlação eletrônica em semicondutores III-V dopados com metais de transição. [Internet] [Doctoral dissertation]. University of São Paulo; 1990. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-05122013-171344/ ;.

Council of Science Editors:

Makiuchi N. Correlação eletrônica em semicondutores III-V dopados com metais de transição. [Doctoral Dissertation]. University of São Paulo; 1990. Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-05122013-171344/ ;

29. Rodrigues, Sara Cristina Pinto. Estrutura de bandas de heteroestruturas semicondutoras dopadas tipo-p.

Degree: PhD, Física, 2001, University of São Paulo

Neste trabalho iremos apresentar a teoria autoconsistente k. p aplicada a heteroestruturas dopadas tipo-p que resolve a Hamiltoniana 6 x 6 de Luttinger-Kohn, generalizada para… (more)

Subjects/Keywords: Semiconductors; Semicondutores

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APA (6th Edition):

Rodrigues, S. C. P. (2001). Estrutura de bandas de heteroestruturas semicondutoras dopadas tipo-p. (Doctoral Dissertation). University of São Paulo. Retrieved from http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-06122013-113940/ ;

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Rodrigues, Sara Cristina Pinto. “Estrutura de bandas de heteroestruturas semicondutoras dopadas tipo-p.” 2001. Doctoral Dissertation, University of São Paulo. Accessed August 18, 2019. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-06122013-113940/ ;.

MLA Handbook (7th Edition):

Rodrigues, Sara Cristina Pinto. “Estrutura de bandas de heteroestruturas semicondutoras dopadas tipo-p.” 2001. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Rodrigues SCP. Estrutura de bandas de heteroestruturas semicondutoras dopadas tipo-p. [Internet] [Doctoral dissertation]. University of São Paulo; 2001. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-06122013-113940/ ;.

Council of Science Editors:

Rodrigues SCP. Estrutura de bandas de heteroestruturas semicondutoras dopadas tipo-p. [Doctoral Dissertation]. University of São Paulo; 2001. Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-06122013-113940/ ;


Universidade do Porto

30. Barbosa, Rui Manuel Couto. Sistema de detecção de falhas em rectificadores de tracção.

Degree: 2008, Universidade do Porto

Estágio realizado na EFACEC e orientado pelo Eng.º Vítor Ferreira

Tese de mestrado integrado. Engenharia Electrotécnica e de Computadores. Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto. 2008

Advisors/Committee Members: Carvalho, Adriano da Silva, Universidade do Porto. Faculdade de Engenharia.

Subjects/Keywords: Díodos semicondutores; Rectificadores; Falhas

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APA (6th Edition):

Barbosa, R. M. C. (2008). Sistema de detecção de falhas em rectificadores de tracção. (Thesis). Universidade do Porto. Retrieved from http://www.rcaap.pt/detail.jsp?id=oai:repositorio-aberto.up.pt:10216/58917

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Barbosa, Rui Manuel Couto. “Sistema de detecção de falhas em rectificadores de tracção.” 2008. Thesis, Universidade do Porto. Accessed August 18, 2019. http://www.rcaap.pt/detail.jsp?id=oai:repositorio-aberto.up.pt:10216/58917.

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MLA Handbook (7th Edition):

Barbosa, Rui Manuel Couto. “Sistema de detecção de falhas em rectificadores de tracção.” 2008. Web. 18 Aug 2019.

Vancouver:

Barbosa RMC. Sistema de detecção de falhas em rectificadores de tracção. [Internet] [Thesis]. Universidade do Porto; 2008. [cited 2019 Aug 18]. Available from: http://www.rcaap.pt/detail.jsp?id=oai:repositorio-aberto.up.pt:10216/58917.

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Council of Science Editors:

Barbosa RMC. Sistema de detecção de falhas em rectificadores de tracção. [Thesis]. Universidade do Porto; 2008. Available from: http://www.rcaap.pt/detail.jsp?id=oai:repositorio-aberto.up.pt:10216/58917

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