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You searched for subject:(Reatores nucleares Cinetica). Showing records 1 – 2 of 2 total matches.

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Universidade Estadual de Campinas

1. Faria, Cristiane Oliveira de. Simulação da cinética do crescimento de pontos quânticos semicondutores em vidros .

Degree: 2000, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: A cinética de crescimento de pontos quânticos (QD) em matrizes vítreas é importante porque suas propriedades ópticas lineares e não lineares dependem dos seus tamanhos e da sua dispersão. QD's são fabricados fundindo os elementos precursores do semicondutor junto com uma matriz vítrea. Após a fusão o vidro é submetido a um tratamento térmico à baixas temperaturas, na qual os elementos precursores do semicondutor adquirem mobilidade suficiente para se reagruparem na forma de QD. A absorção e emissão de átomos na superfície do ponto quântico é muito mais rápida do que a difusão dos mesmos na matriz, criando uma concentração de equilíbrio, dependente do raio, em torno dos mesmos. Haverá crescimento por difusão quando essa concentração for menor do que a concentração dos elementos na matriz e redissolução no caso oposto. Enquanto não existir superposição do gradiente de concentração de dois QD, o crescimento de cada um deles independe da presença dos outros. Quando se inicia a superposição ocorre uma competição pelos átomos dispersos na matriz com vantagem para os QD maiores, um processo conhecido como coalescência. Nesse estágio a distribuição de tamanhos aumenta, pois os QD menores redissolvem liberando átomos que alimentam o crescimento dos maiores e deve-se parar o crescimento, uma vez que o objetivo é obter a menor distribuição possível. Neste trabalho resolvemos a equação de difusão sujeita a condições de contorno em uma fronteira que muda com o tempo. Usando técnicas de duplos potenciais de Green, em lugar da função de Green convencional para uma fronteira fixa, o problema foi transformado em um problema de uma equação íntegro-diferencial para a fronteira. Resolvida a forma da fronteira obtivemos então o campo de difusão em torno dos QD's; Abstract: The growth kinetics of pontos quânticos (QD) in a vitreous matrix is important because its linear and non linear optical properties depends on their sizes and dispersion. QD's are fabricated by melting the semiconductors elements together with the vitreous matrix. After melting, the glass is submitted to a thermal treatment to lower temperatures, (500- 600°C) in which the semiconductors elements acquire enough mobility for rearrange themselves in the form of a QD. Because the absorption and emission of atoms in the surface of the QD's are much faster than their diffusion in the matrix, there is an equilibrium concentration in its surface, which depends on the QD's radius. Growth will happen when this concentration is smaller than the dispersed elements concentration in the matrix and dissolution in the opposite case. While there is no overlap of the concentration field of two neighbor QD's, the growth of each one of them is independent of the presence of the other ones. When the overlap begins starts a competition for the dispersed atoms in the matrix with advantage for the larger QD's, a process known as coalescence. In coalescence stage the size distribution increases, because the smaller QD's redissolve, decreasing in size and liberating atoms to the… Advisors/Committee Members: César, Carlos Lenz, 1955- (advisor), Barbosa, Luiz Carlos (committee member), Alves, Oswaldo Luiz (committee member).

Subjects/Keywords: Reatores nucleares - Cinetica; Poços quânticos; Crescimento; Vidros de spin

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APA (6th Edition):

Faria, C. O. d. (2000). Simulação da cinética do crescimento de pontos quânticos semicondutores em vidros . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277427

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Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Faria, Cristiane Oliveira de. “Simulação da cinética do crescimento de pontos quânticos semicondutores em vidros .” 2000. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed December 07, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277427.

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Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Faria, Cristiane Oliveira de. “Simulação da cinética do crescimento de pontos quânticos semicondutores em vidros .” 2000. Web. 07 Dec 2019.

Vancouver:

Faria COd. Simulação da cinética do crescimento de pontos quânticos semicondutores em vidros . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2000. [cited 2019 Dec 07]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277427.

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Council of Science Editors:

Faria COd. Simulação da cinética do crescimento de pontos quânticos semicondutores em vidros . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2000. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277427

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Universidade do Estado do Rio de Janeiro

2. Leonardo Rodrigues da Costa Moraes. Estimativa de fontes externas uniformes de nêutrons em regiões combustíveis para uma distribuição prescrita de potência.

Degree: Master, 2016, Universidade do Estado do Rio de Janeiro

Projetos de reatores nucleares foram classificados em quatro gerações (Gen) pelo Departamento de Energia dos Estados Unidos da América (DOE), quando o DOE introduziu o conceito de reatores de geração IV (Gen IV). Reatores Gen IV são um conjunto de projetos de reator nuclear, em sua maioria teóricos, atualmente sendo pesquisados. Entre os projetos Gen IV, incluem-se os projetos dos ADS (Accelerator Driven Systems), que são sistemas subcríticos estabilizados por fontes externas estacionárias de nêutrons. Estas fontes externas de nêutrons são normalmente geradas a partir da colisão de prótons com alta energia contra os núcleos de metais pesados presentes no núcleo do reator, fenômeno que é conhecido na literatura como spallation, e os prótons são acelerados num acelerador de partículas que é alimentado com parte da energia gerada pelo reator. A criticalidade de um sistema mantido por reações de fissão em cadeia depende do balanço entre a produção de nêutrons por fissão e a remoção por fuga pelos contornos e absorção de nêutrons. Um sistema está subcrítico quando a remoção por fuga e absorção ultrapassa a produção por fissão e, portanto, tende ao desligamento. Entretanto, qualquer sistema subcrítico pode ser estabilizado pela inclusão de fontes estacionárias de nêutrons em seu interior. O objetivo central deste trabalho é determinar as intensidades dessas fontes uniformes e isotrópicas de nêutrons, que se deve inserir em todas as regiões combustíveis do sistema, para que o mesmo estabilize-se gerando uma distribuição prescrita de potência elétrica. Diante do exposto, foi desenvolvido neste trabalho um aplicativo computacional em linguagem Java que estima as intensidades dessas fontes estacionárias de nêutrons, que devem ser inseridas em cada região combustível para que estabilizem o sistema subcrítico com uma dada distribuição de potência definida pelo usuário. Para atingir este objetivo, o modelo matemático adotado foi a equação unidimensional de transporte de nêutrons monoenergéticos na formulação de ordenadas discretas (SN) e o convencional método de malha fina diamond difference (DD) foi utilizado para resolver numericamente os problemas SN físicos e adjuntos. Resultados numéricos para dois problemas-modelos típicos são apresentados para ilustrar a acurácia e eficiência da metodologia proposta.

Nuclear reactor design has been classified in four generations (Gen) by the US Department of Energy (DOE), when DOE introduced the concept of generation IV reactors (Gen IV). Gen IV reactors are a class of nuclear reactor theoretical designs, currently being researched. Among the Gen IV projects, it is worth mentioning the Accelerator Driven Systems (ADS), which are sub-critical systems stabilized by stationary external sources of neutrons. These external sources of neutrons are normally generated by the collision of high-energy protons with the nuclei of heavy metal atoms located inside the reactor core. This phenomenon is termed nuclear spallation in the literature and the protons are accelerated by an accelerator which…

Advisors/Committee Members: Ricardo Carvalho de Barros, Hermes Alves Filho, Gustavo Mendes Platt, Alessandro da Cruz Gonçalves.

Subjects/Keywords: Teoria do transporte de nêutron - Metodos de simulação; Teoria cinetica do transporte; Criticalidade (Engenharia nuclear); Reatores nucleares; ADS; Ordenadas discretas; Problema adjunto; ADS; Discrete ordinates; Adjoint problem; ENGENHARIA NUCLEAR

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APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Moraes, L. R. d. C. (2016). Estimativa de fontes externas uniformes de nêutrons em regiões combustíveis para uma distribuição prescrita de potência. (Masters Thesis). Universidade do Estado do Rio de Janeiro. Retrieved from http://www.bdtd.uerj.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=9881 ;

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Moraes, Leonardo Rodrigues da Costa. “Estimativa de fontes externas uniformes de nêutrons em regiões combustíveis para uma distribuição prescrita de potência.” 2016. Masters Thesis, Universidade do Estado do Rio de Janeiro. Accessed December 07, 2019. http://www.bdtd.uerj.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=9881 ;.

MLA Handbook (7th Edition):

Moraes, Leonardo Rodrigues da Costa. “Estimativa de fontes externas uniformes de nêutrons em regiões combustíveis para uma distribuição prescrita de potência.” 2016. Web. 07 Dec 2019.

Vancouver:

Moraes LRdC. Estimativa de fontes externas uniformes de nêutrons em regiões combustíveis para uma distribuição prescrita de potência. [Internet] [Masters thesis]. Universidade do Estado do Rio de Janeiro; 2016. [cited 2019 Dec 07]. Available from: http://www.bdtd.uerj.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=9881 ;.

Council of Science Editors:

Moraes LRdC. Estimativa de fontes externas uniformes de nêutrons em regiões combustíveis para uma distribuição prescrita de potência. [Masters Thesis]. Universidade do Estado do Rio de Janeiro; 2016. Available from: http://www.bdtd.uerj.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=9881 ;

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