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Université de Grenoble

1. Coudurier, Nicolas. Contribution à l'épitaxie des nitrures d'aluminium et de bore par dépôt chimique en phase vapeur à haute température : Contribution to the epitaxial growth of aluminum and boron nitrides by chemical vapor deposition at high temperature.

Degree: Docteur es, Matériaux, mécanique, génie civil, électrochimie, 2014, Université de Grenoble

Cette thèse se place dans le contexte des recherches menées sur l'élaboration de support de haute qualité cristalline pour des applications optoélectronique et piézoélectrique. Les nitrures d'aluminium, AlN, et de bore, BN sont deux matériaux présentant des propriétés physiques intéressantes pour leurs utilisations en tant que substrat et partiellement comme couche active dans de telles applications. Les objectifs de cette thèse étaient de continuer les travaux en cours sur l'hétéroépitaxie d'AlN (avec le mélange H2 – NH3 – AlCl3 en phase gazeuse) sur substrat saphir et silicium, et d'explorer la croissance de BN par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à haute température avec une chimie chlorée (mélange.H2 – NH3 – BCl3 en phase gazeuse). Des études thermodynamiques ont été menées pour évaluer les équilibres ayant lieu entre la phase gazeuse et les matériaux en présence sur une large gamme de température. Ces premiers résultats ont permis d'en déduire des conditions opératoires favorables afin d'éviter toutes réactions parasites qui nuiraient à la croissance des nitrures. Plusieurs études expérimentales ont été effectuées sur les réacteurs du SIMaP. Une étude de l'influence du ratio N/Al dans la phase gazeuse sur la croissance d'AlN a été entreprise. Par la suite les mécanismes de croissance de ces couches sont expliqués afin de comprendre l'effet de ce paramètre. Suite à cela, des dépôts avec plusieurs étapes de croissances à différente température ont permis l'obtention de couches d'AlN peu fissurées, peu contraintes et avec des qualités cristallines satisfaisantes. Concernant le dépôt de BN, des essais ont été menés sur substrats AlN et métalliques (chrome et tungstène). À haute température (1600 °C), le dépôt sur AlN a permis l'obtention de couche turbostratique peu désorientée. La croissance sur substrats métalliques a été effectuée à basse température, ne favorisant pas l'épitaxie de BN sur ces substrats. Enfin, des comparaisons ont été menées entre température de dépôt, vitesse de croissance des couches et sursaturation de la phase gazeuse, permettant la délimitation de domaine de conditions opératoire où l'épitaxie est favorisée.

This work takes place in the context of the development of high crystalline quality supports for optoelectronic and piezoelectric fields. Aluminum and boron nitrides (AlN, and BN) are both materials with interesting physical properties that are used like substrate or active layers in such devices. The aims of this thesis were to continue the work in progress about AlN epitaxy in SIMaP, and to explore the growth of BN by chemical vapor deposition (CVD) with halide chemistry at high temperature. Thermodynamical studies were lead in order to evaluate the equilibrium between the gas phase and the materials in a wide range of temperature. The results were used to choose operating conditions in order to avoid parasitic reactions that could decrease the nitrides growth quality. Several experimental studies were done to evaluate the influence of the N/Al ratios in the gas phase. Growth…

Advisors/Committee Members: Pons, Michel (thesis director), Boichot, Raphael (thesis director).

Subjects/Keywords: Nitrure de bore; Nitrure d\'aluminium; CVD; Epitaxie; Haute température; HVPE; Boron nitride; Aluminium nitride; CVD; Epitaxy; High temperature; HVPE; 620

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Coudurier, N. (2014). Contribution à l'épitaxie des nitrures d'aluminium et de bore par dépôt chimique en phase vapeur à haute température : Contribution to the epitaxial growth of aluminum and boron nitrides by chemical vapor deposition at high temperature. (Doctoral Dissertation). Université de Grenoble. Retrieved from http://www.theses.fr/2014GRENI009

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Coudurier, Nicolas. “Contribution à l'épitaxie des nitrures d'aluminium et de bore par dépôt chimique en phase vapeur à haute température : Contribution to the epitaxial growth of aluminum and boron nitrides by chemical vapor deposition at high temperature.” 2014. Doctoral Dissertation, Université de Grenoble. Accessed December 15, 2019. http://www.theses.fr/2014GRENI009.

MLA Handbook (7th Edition):

Coudurier, Nicolas. “Contribution à l'épitaxie des nitrures d'aluminium et de bore par dépôt chimique en phase vapeur à haute température : Contribution to the epitaxial growth of aluminum and boron nitrides by chemical vapor deposition at high temperature.” 2014. Web. 15 Dec 2019.

Vancouver:

Coudurier N. Contribution à l'épitaxie des nitrures d'aluminium et de bore par dépôt chimique en phase vapeur à haute température : Contribution to the epitaxial growth of aluminum and boron nitrides by chemical vapor deposition at high temperature. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Grenoble; 2014. [cited 2019 Dec 15]. Available from: http://www.theses.fr/2014GRENI009.

Council of Science Editors:

Coudurier N. Contribution à l'épitaxie des nitrures d'aluminium et de bore par dépôt chimique en phase vapeur à haute température : Contribution to the epitaxial growth of aluminum and boron nitrides by chemical vapor deposition at high temperature. [Doctoral Dissertation]. Université de Grenoble; 2014. Available from: http://www.theses.fr/2014GRENI009

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