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1. Nachawaty, Abir. Propriétés électroniques du graphène épitaxié proche de point de neutralité de charge : Electronic properties of epitaxial graphene close to the charge neutrality point.

Degree: Docteur es, Physique, 2018, Montpellier

Des mesures de magnétorésistances locales et non locales dans des monocouches de graphène obtenues par sublimation sur la face silicium du carbure de silicium (SiC) sont présentées dans cette thèse. L’objectif est d’étudier les phénomènes physiques qui apparaissent proche de point de neutralité de charge (dopage faible en trous) dans ces monocouches. Or, celles-ci sont généralement fortement dopées en électrons à cause de l’interaction avec la couche d’interface et le substrat. Des dispositifs en forme de barre de Hall encapsulés par une résine sont utilisés. Le contrôle du niveau de Fermi dans ces dispositifs est réalisé en utilisant la méthode de décharge corona. L’amplitude du désordre est évaluée dans ces monocouches de graphène en : (i) ajustant la courbe de résistivité en fonction du coefficient de Hall obtenue à température ambiante ; (ii) ajustant les courbes de dépendance en température de la densité de Hall pour les échantillons proche de point de neutralité de charge. Toutes ces analyses donnent une amplitude du désordre de l’ordre de (20 ±10) meV. Les échantillons préparés avec un faible dopage en trous sont ensuite étudiés en régime d'effet Hall quantique. Les mesures de magnétorésistances montrent que la résistance de Hall présente un comportement ambipolaire en fonction du champ magnétique. Ce comportement coïncide avec l’apparition d’un maximum local dans la résistance longitudinale. Ces résultats sont expliqués via un modèle de transfert de charge entre régions de différents dopages dans le graphène. Néanmoins, l’origine microscopique de ces régions est mal connue. Finalement, des mesures non locales sont effectuées sur ces mêmes échantillons et montrent l’apparition des résistances non locales importantes dont la valeur peut, dans certains cas, dépasser les résistances longitudinales correspondantes. L'analyse de ces résultats montre que la contribution du courant de spin et des effets thermiques dans l’apparition de ces tensions non locales est négligeable. Cependant, les données expérimentales sont raisonnablement reproduites par un modèle de conduction basé sur des états de bord rétrodiffusés par le "bulk" isolant.

Local and nonlocal magnetoresistances measurements on monolayer graphene grown on the silicon face of silicon carbide (SiC) are reported. The purpose of this work is to understand the physical phenomena appearing close to the charge neutrality point in these monolayers. The first issue to overcome was that graphene is generally strongly doped with electrons due to the interaction with the substrate. The control of the Fermi level has been realised using the corona discharge method. The disorder amplitude has been evaluated in these structures by : (i) fitting the resistivity dependence curve of the Hall coefficient obtained at room temperature; (ii) fitting the temperature dependence of the Hall density for samples that were prepared near the charge neutrality point. All these analyses gave a disorder strength equal to (20 ± 10) meV. It is then shown that for samples with low hole…

Advisors/Committee Members: Jouault, Benoît (thesis director).

Subjects/Keywords: Graphene sur SiC; Désordre; Effet Hall quantique; Effets thermoélectriques; Mesures non locales; Qraphene on !siC; Disorder; Quantum Hall effect; Thermoelectric effects; Nonlocal measurements

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APA (6th Edition):

Nachawaty, A. (2018). Propriétés électroniques du graphène épitaxié proche de point de neutralité de charge : Electronic properties of epitaxial graphene close to the charge neutrality point. (Doctoral Dissertation). Montpellier. Retrieved from http://www.theses.fr/2018MONTS095

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Nachawaty, Abir. “Propriétés électroniques du graphène épitaxié proche de point de neutralité de charge : Electronic properties of epitaxial graphene close to the charge neutrality point.” 2018. Doctoral Dissertation, Montpellier. Accessed December 08, 2019. http://www.theses.fr/2018MONTS095.

MLA Handbook (7th Edition):

Nachawaty, Abir. “Propriétés électroniques du graphène épitaxié proche de point de neutralité de charge : Electronic properties of epitaxial graphene close to the charge neutrality point.” 2018. Web. 08 Dec 2019.

Vancouver:

Nachawaty A. Propriétés électroniques du graphène épitaxié proche de point de neutralité de charge : Electronic properties of epitaxial graphene close to the charge neutrality point. [Internet] [Doctoral dissertation]. Montpellier; 2018. [cited 2019 Dec 08]. Available from: http://www.theses.fr/2018MONTS095.

Council of Science Editors:

Nachawaty A. Propriétés électroniques du graphène épitaxié proche de point de neutralité de charge : Electronic properties of epitaxial graphene close to the charge neutrality point. [Doctoral Dissertation]. Montpellier; 2018. Available from: http://www.theses.fr/2018MONTS095

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