Advanced search options

Advanced Search Options 🞨

Browse by author name (“Author name starts with…”).

Find ETDs with:

in
/  
in
/  
in
/  
in

Written in Published in Earliest date Latest date

Sorted by

Results per page:

You searched for subject:(Fautes comportementales). One record found.

Search Limiters

Last 2 Years | English Only

No search limiters apply to these results.

▼ Search Limiters


Université de Bordeaux I

1. Godlewski, Catherine. Développement d’un outil de prédiction du comportement d’un circuit intégré sous impact laser en technologie CMOS : Prediction tool development of an Integrated Circuit behavior under laser impact in CMOS technology.

Degree: Docteur es, Electronique, 2013, Université de Bordeaux I

Ce travail porte sur l’analyse et l’étude du comportement de circuits intégrés en technologie CMOS soumis à un impact laser. Une méthodologie d’implémentation d’un impact laser a été développée et améliorée. Ainsi, elle est applicable à n’importe quelle description électrique d’un circuit CMOS, qu’il soit digital ou analogique. Ce procédé est conçu pour permettre aux concepteurs de circuits intégrés pouvant être soumis à des attaques laser, de tester leur circuit en simulation avant leur fabrication et de démontrer leur robustesse.Notre étude s’est focalisée sur le développement d’un outil de simulation intégrant un modèle électrique de l’impact laser sur les transistors MOS afin de reproduire de façon qualitative le comportement du circuit face à un impact laser (attaque semi-invasive en face arrière du circuit), et ce quelques soient ses propriétés physiques.Une première partie d’état de l’art est consacrée à la synthèse des différentes attaques sur circuits sécurisées que l’on peut rencontrer dans le domaine de la microélectronique, telles que les attaques semi-invasives, non invasives ou invasives par exemple. Une seconde partie théorique dédiée à l’interaction laser-silicium au niveau physique nous permet d’étudier les différents acteurs mis en jeu (propriétés physiques du laser – puissance, diamètre et profil du faisceau), avant de les importer comme paramètres dans le domaine électrique.Cette étude se poursuit alors par l’élaboration d’un modèle électrique et d’une méthodologie de simulation dont le but est de permettre de reproduire le comportement de n’importe quel circuit impacté par un laser. Le flot de modélisation passe ainsi en revue l’ensemble des paramètres contrôlables en entrée, qu’il s’agisse des propriétés physiques du laser, traduites dans le domaine électrique, ou encore de la réalité géométrique du circuit impacté, quel que soit sa complexité. Par ailleurs, la flexibilité de cette approche permet de s’adapter à toute évolution du modèle de l’impact laser en lui-même. Il est ainsi possible de simuler un impact intégrant ou non tout ou partie des phénomènes parasites déclenchés par le photocourant. Enfin, il couvre aussi bien des analyses de comportement dans le domaine statique, que dans celui temporel, où la durée d’impulsion du laser prend toute son importance.Afin de démontrer la cohérence de cette méthodologie face à nos attentes théoriques, le comportement de transistors NMOS, PMOS et un inverseur CMOS ont été étudiés au niveau simulation. Cette étude préliminaire nous a permis de calibrer et de valider notre modèle et sa méthodologie d’utilisation avec la théorie attendue: création d’un photocourant proportionnel au potentiel appliqué sur la jonction de drain et couplé au potentiel photoélectrique ainsi qu’à la surface impactée, déclenchement des bipolaires parasites latéraux, etc…. L’analyse sur un inverseur CMOS bufférisé ou non nous donne encore plus d’informations quant aux analyses dynamiques ou statiques : un impact sur un état statique (0 ou 1) ne peut entraîner que des fautes… Advisors/Committee Members: Fouillat, Pascal (thesis director), Pouget, Vincent (thesis director), Lewis, Dean (thesis director).

Subjects/Keywords: Interaction laser-silicium; Laser; Modélisation électrique; Flot d'intégration; Méthodologie; Fautes fonctionnelles; Fautes comportementales; Cmos; Prédiction du comportement; Photocourant; Potentiel photoélectrique; Laser-Silicon Interaction; Laser; Electrical Modelling; Integration flow; Methodology; Functional failure; Behaviour failure; Cmos; Behaviour prediction; Photocurrent; Photoelectrical potential

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Godlewski, C. (2013). Développement d’un outil de prédiction du comportement d’un circuit intégré sous impact laser en technologie CMOS : Prediction tool development of an Integrated Circuit behavior under laser impact in CMOS technology. (Doctoral Dissertation). Université de Bordeaux I. Retrieved from http://www.theses.fr/2013BOR15209

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Godlewski, Catherine. “Développement d’un outil de prédiction du comportement d’un circuit intégré sous impact laser en technologie CMOS : Prediction tool development of an Integrated Circuit behavior under laser impact in CMOS technology.” 2013. Doctoral Dissertation, Université de Bordeaux I. Accessed September 23, 2019. http://www.theses.fr/2013BOR15209.

MLA Handbook (7th Edition):

Godlewski, Catherine. “Développement d’un outil de prédiction du comportement d’un circuit intégré sous impact laser en technologie CMOS : Prediction tool development of an Integrated Circuit behavior under laser impact in CMOS technology.” 2013. Web. 23 Sep 2019.

Vancouver:

Godlewski C. Développement d’un outil de prédiction du comportement d’un circuit intégré sous impact laser en technologie CMOS : Prediction tool development of an Integrated Circuit behavior under laser impact in CMOS technology. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Bordeaux I; 2013. [cited 2019 Sep 23]. Available from: http://www.theses.fr/2013BOR15209.

Council of Science Editors:

Godlewski C. Développement d’un outil de prédiction du comportement d’un circuit intégré sous impact laser en technologie CMOS : Prediction tool development of an Integrated Circuit behavior under laser impact in CMOS technology. [Doctoral Dissertation]. Université de Bordeaux I; 2013. Available from: http://www.theses.fr/2013BOR15209

.