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Degree: Docteur es

You searched for subject:(Electrical AND Electronics). Showing records 1 – 11 of 11 total matches.

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1. Semard, Maxime. Conception et réalisation de transformateurs intégrés pour les alimentations de faible puissance : Design and Realization of Integrated Transformers for Low Power DC-DC Converters.

Degree: Docteur es, Génie électrique, 2018, Lyon

Le chapitre 1 introduit le sujet et son contexte. Les verrous sont identifiés.Le chapitre 2 fait l’état de l’art sur la topologie des enroulements constituants… (more)

Subjects/Keywords: Génie électrique; Electronique de puissance; Transformateur; Inductance; Electrical Engineering; Power Electronics; Transformer; Inductor; 620

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APA (6th Edition):

Semard, M. (2018). Conception et réalisation de transformateurs intégrés pour les alimentations de faible puissance : Design and Realization of Integrated Transformers for Low Power DC-DC Converters. (Doctoral Dissertation). Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2018LYSE1091

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Semard, Maxime. “Conception et réalisation de transformateurs intégrés pour les alimentations de faible puissance : Design and Realization of Integrated Transformers for Low Power DC-DC Converters.” 2018. Doctoral Dissertation, Lyon. Accessed July 14, 2020. http://www.theses.fr/2018LYSE1091.

MLA Handbook (7th Edition):

Semard, Maxime. “Conception et réalisation de transformateurs intégrés pour les alimentations de faible puissance : Design and Realization of Integrated Transformers for Low Power DC-DC Converters.” 2018. Web. 14 Jul 2020.

Vancouver:

Semard M. Conception et réalisation de transformateurs intégrés pour les alimentations de faible puissance : Design and Realization of Integrated Transformers for Low Power DC-DC Converters. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; 2018. [cited 2020 Jul 14]. Available from: http://www.theses.fr/2018LYSE1091.

Council of Science Editors:

Semard M. Conception et réalisation de transformateurs intégrés pour les alimentations de faible puissance : Design and Realization of Integrated Transformers for Low Power DC-DC Converters. [Doctoral Dissertation]. Lyon; 2018. Available from: http://www.theses.fr/2018LYSE1091

2. Blanc, Maximin. Optimisation d’une structure de conversion DC/DC réversible pour application aéronautique de forte puissance : Optimization of a High Power Reversible DC/DC Converter for Aircraft Application.

Degree: Docteur es, Genie electrique, 2017, Université Grenoble Alpes (ComUE)

Le véhicule aérien a connu de nombreuses révolutions durant les dernières décennies afin d’être plus économe en énergie et plus respectueux de l’environnement. Dans cet… (more)

Subjects/Keywords: Électronique de puissance; Conversion DCDC; Dual Active Bridge; Commutation douce ZVS; Avion Plus Electrique; Power electronics; DCDC conversion; Dual Active Bridge; ZVS soft Switching; More Electrical Aircraft; 620

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APA (6th Edition):

Blanc, M. (2017). Optimisation d’une structure de conversion DC/DC réversible pour application aéronautique de forte puissance : Optimization of a High Power Reversible DC/DC Converter for Aircraft Application. (Doctoral Dissertation). Université Grenoble Alpes (ComUE). Retrieved from http://www.theses.fr/2017GREAT115

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Blanc, Maximin. “Optimisation d’une structure de conversion DC/DC réversible pour application aéronautique de forte puissance : Optimization of a High Power Reversible DC/DC Converter for Aircraft Application.” 2017. Doctoral Dissertation, Université Grenoble Alpes (ComUE). Accessed July 14, 2020. http://www.theses.fr/2017GREAT115.

MLA Handbook (7th Edition):

Blanc, Maximin. “Optimisation d’une structure de conversion DC/DC réversible pour application aéronautique de forte puissance : Optimization of a High Power Reversible DC/DC Converter for Aircraft Application.” 2017. Web. 14 Jul 2020.

Vancouver:

Blanc M. Optimisation d’une structure de conversion DC/DC réversible pour application aéronautique de forte puissance : Optimization of a High Power Reversible DC/DC Converter for Aircraft Application. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Grenoble Alpes (ComUE); 2017. [cited 2020 Jul 14]. Available from: http://www.theses.fr/2017GREAT115.

Council of Science Editors:

Blanc M. Optimisation d’une structure de conversion DC/DC réversible pour application aéronautique de forte puissance : Optimization of a High Power Reversible DC/DC Converter for Aircraft Application. [Doctoral Dissertation]. Université Grenoble Alpes (ComUE); 2017. Available from: http://www.theses.fr/2017GREAT115

3. Ka, Ibrahima. Evaluation de la température des composants à semi-conducteurs de puissance au sein des convertisseurs d’énergie électrique : application aux onduleurs photovoltaïques pour accroitre leurs performances et leur disponibilité : On-line junction temperature measurements in power electronics converters : application to photovoltaic inverters to increase their performance and availability.

Degree: Docteur es, Genie electrique, 2017, Université Grenoble Alpes (ComUE)

L’utilisation diversifiée des dispositifs de l’électronique de puissance est une conséquence des avancées fulgurantes dans la compréhension théorique de la physique des semi-conducteurs. L’approche applicative… (more)

Subjects/Keywords: Electronique de puissance; Paramètres électriques thermosensibles; Composants semi-Conducteurs; Capteurs résistifs; Instrumentation; Thermographie infrarouge; Power electronics; ThermoSensitive Electrical Parameters; Semi-Conductor components; Temperature Resistive Detectors; Instrumentation; Infrared Thermography; 620

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APA (6th Edition):

Ka, I. (2017). Evaluation de la température des composants à semi-conducteurs de puissance au sein des convertisseurs d’énergie électrique : application aux onduleurs photovoltaïques pour accroitre leurs performances et leur disponibilité : On-line junction temperature measurements in power electronics converters : application to photovoltaic inverters to increase their performance and availability. (Doctoral Dissertation). Université Grenoble Alpes (ComUE). Retrieved from http://www.theses.fr/2017GREAT087

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Ka, Ibrahima. “Evaluation de la température des composants à semi-conducteurs de puissance au sein des convertisseurs d’énergie électrique : application aux onduleurs photovoltaïques pour accroitre leurs performances et leur disponibilité : On-line junction temperature measurements in power electronics converters : application to photovoltaic inverters to increase their performance and availability.” 2017. Doctoral Dissertation, Université Grenoble Alpes (ComUE). Accessed July 14, 2020. http://www.theses.fr/2017GREAT087.

MLA Handbook (7th Edition):

Ka, Ibrahima. “Evaluation de la température des composants à semi-conducteurs de puissance au sein des convertisseurs d’énergie électrique : application aux onduleurs photovoltaïques pour accroitre leurs performances et leur disponibilité : On-line junction temperature measurements in power electronics converters : application to photovoltaic inverters to increase their performance and availability.” 2017. Web. 14 Jul 2020.

Vancouver:

Ka I. Evaluation de la température des composants à semi-conducteurs de puissance au sein des convertisseurs d’énergie électrique : application aux onduleurs photovoltaïques pour accroitre leurs performances et leur disponibilité : On-line junction temperature measurements in power electronics converters : application to photovoltaic inverters to increase their performance and availability. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Grenoble Alpes (ComUE); 2017. [cited 2020 Jul 14]. Available from: http://www.theses.fr/2017GREAT087.

Council of Science Editors:

Ka I. Evaluation de la température des composants à semi-conducteurs de puissance au sein des convertisseurs d’énergie électrique : application aux onduleurs photovoltaïques pour accroitre leurs performances et leur disponibilité : On-line junction temperature measurements in power electronics converters : application to photovoltaic inverters to increase their performance and availability. [Doctoral Dissertation]. Université Grenoble Alpes (ComUE); 2017. Available from: http://www.theses.fr/2017GREAT087

4. Loayza Ramirez, Jorge Miguel. Study and characterization of electrical overstress aggressors on integrated circuits and robustness optimization of electrostatic discharge protection devices : Etude et caractérisation des agresseurs électriques de sur-résistance sur les circuits intégrés et optimisation de la robustesse des dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques.

Degree: Docteur es, Génie électrique, 2017, Lyon

Cette thèse de doctorat s’inscrit dans la thématique de la fiabilité des circuits intégrés dans l’industrie de la microélectronique. Un circuit intégré peut être exposé… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Microélectonique; Circuit intégré; Fiabilité des circuits intégrés; Electrical overstress - EOS; Power supply clamp; Silicon-Controlled Rectifier - SCR; Simulation TCAD; Thyristor; Electronics; Microelectronics; Integrated Circuit Reliability; Electrical overstress - EOS; Power supply clamp; Silicon-Controlled Rectifier - SCR; TCAD simulation; Thyristor; 621.381 520 72

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APA (6th Edition):

Loayza Ramirez, J. M. (2017). Study and characterization of electrical overstress aggressors on integrated circuits and robustness optimization of electrostatic discharge protection devices : Etude et caractérisation des agresseurs électriques de sur-résistance sur les circuits intégrés et optimisation de la robustesse des dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques. (Doctoral Dissertation). Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2017LYSEI044

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Loayza Ramirez, Jorge Miguel. “Study and characterization of electrical overstress aggressors on integrated circuits and robustness optimization of electrostatic discharge protection devices : Etude et caractérisation des agresseurs électriques de sur-résistance sur les circuits intégrés et optimisation de la robustesse des dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques.” 2017. Doctoral Dissertation, Lyon. Accessed July 14, 2020. http://www.theses.fr/2017LYSEI044.

MLA Handbook (7th Edition):

Loayza Ramirez, Jorge Miguel. “Study and characterization of electrical overstress aggressors on integrated circuits and robustness optimization of electrostatic discharge protection devices : Etude et caractérisation des agresseurs électriques de sur-résistance sur les circuits intégrés et optimisation de la robustesse des dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques.” 2017. Web. 14 Jul 2020.

Vancouver:

Loayza Ramirez JM. Study and characterization of electrical overstress aggressors on integrated circuits and robustness optimization of electrostatic discharge protection devices : Etude et caractérisation des agresseurs électriques de sur-résistance sur les circuits intégrés et optimisation de la robustesse des dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; 2017. [cited 2020 Jul 14]. Available from: http://www.theses.fr/2017LYSEI044.

Council of Science Editors:

Loayza Ramirez JM. Study and characterization of electrical overstress aggressors on integrated circuits and robustness optimization of electrostatic discharge protection devices : Etude et caractérisation des agresseurs électriques de sur-résistance sur les circuits intégrés et optimisation de la robustesse des dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques. [Doctoral Dissertation]. Lyon; 2017. Available from: http://www.theses.fr/2017LYSEI044

5. Baudino, Olivier. Frittage photonique de lignes imprimées à base de nanoparticules : optimisation des propriétés électriques et mécaniques pour l’interconnexion de circuits intégrés sur substrats flexibles. : Photonic sintering of nanoparticles based printed tracks : optimization of electrical and mechanical properties for the interconnection of integrated circuits on flexible substrates.

Degree: Docteur es, Microélectronique, 2015, Saint-Etienne, EMSE

Le recuit photonique est une technologie émergente basée sur la conversion instantanée del’énergie lumineuse absorbée par les nanoparticules (NPs) en chaleur. Dans ces travaux, il… (more)

Subjects/Keywords: Electronique imprimée; Jet d’encre; Interconnexion; Recuit photonique; Encre à base de nanoparticules d’argent; Microstructure; Intégration hétérogène; Printing electronics; Silver nanoparticles-based ink; Inkjet; Interconnection; Photonic sintering; Microstructure and coalescence; Mechanical properties; Electrical contact resistance; Heterogeneous integration

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APA (6th Edition):

Baudino, O. (2015). Frittage photonique de lignes imprimées à base de nanoparticules : optimisation des propriétés électriques et mécaniques pour l’interconnexion de circuits intégrés sur substrats flexibles. : Photonic sintering of nanoparticles based printed tracks : optimization of electrical and mechanical properties for the interconnection of integrated circuits on flexible substrates. (Doctoral Dissertation). Saint-Etienne, EMSE. Retrieved from http://www.theses.fr/2015EMSE0804

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Baudino, Olivier. “Frittage photonique de lignes imprimées à base de nanoparticules : optimisation des propriétés électriques et mécaniques pour l’interconnexion de circuits intégrés sur substrats flexibles. : Photonic sintering of nanoparticles based printed tracks : optimization of electrical and mechanical properties for the interconnection of integrated circuits on flexible substrates.” 2015. Doctoral Dissertation, Saint-Etienne, EMSE. Accessed July 14, 2020. http://www.theses.fr/2015EMSE0804.

MLA Handbook (7th Edition):

Baudino, Olivier. “Frittage photonique de lignes imprimées à base de nanoparticules : optimisation des propriétés électriques et mécaniques pour l’interconnexion de circuits intégrés sur substrats flexibles. : Photonic sintering of nanoparticles based printed tracks : optimization of electrical and mechanical properties for the interconnection of integrated circuits on flexible substrates.” 2015. Web. 14 Jul 2020.

Vancouver:

Baudino O. Frittage photonique de lignes imprimées à base de nanoparticules : optimisation des propriétés électriques et mécaniques pour l’interconnexion de circuits intégrés sur substrats flexibles. : Photonic sintering of nanoparticles based printed tracks : optimization of electrical and mechanical properties for the interconnection of integrated circuits on flexible substrates. [Internet] [Doctoral dissertation]. Saint-Etienne, EMSE; 2015. [cited 2020 Jul 14]. Available from: http://www.theses.fr/2015EMSE0804.

Council of Science Editors:

Baudino O. Frittage photonique de lignes imprimées à base de nanoparticules : optimisation des propriétés électriques et mécaniques pour l’interconnexion de circuits intégrés sur substrats flexibles. : Photonic sintering of nanoparticles based printed tracks : optimization of electrical and mechanical properties for the interconnection of integrated circuits on flexible substrates. [Doctoral Dissertation]. Saint-Etienne, EMSE; 2015. Available from: http://www.theses.fr/2015EMSE0804

6. Hamieh, Youness. Caractérisation et modélisation du transistor JFET en SiC à haute température : Characterization and modeling of SiC JFET for high temperature.

Degree: Docteur es, Génie électrique, 2011, INSA Lyon

Dans le domaine de l’électronique de puissance, les dispositifs en carbure de silicium (SiC) sont bien adaptés pour fonctionner dans des environnements à haute température,… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Electronique de puissance; Transistor de puissance à jonction à effet de champ - JFET de puissance; Transistor de puissance à jonction à effet de champ en SiC - JFET-SiC de puissance; Composant de puissance; Haute température; Modélisation analytique; Caractérisation électrique; Electronics; Power Electronics; JFET-SiC - Silicon Carbide Power Junction Field Effect Transistor; VJFET - Vertical-Junction Field Effect Transistor - Structure; Power Component; High temperature; Analytical Modelling; Electrical characterisation

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APA (6th Edition):

Hamieh, Y. (2011). Caractérisation et modélisation du transistor JFET en SiC à haute température : Characterization and modeling of SiC JFET for high temperature. (Doctoral Dissertation). INSA Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2011ISAL0038

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Hamieh, Youness. “Caractérisation et modélisation du transistor JFET en SiC à haute température : Characterization and modeling of SiC JFET for high temperature.” 2011. Doctoral Dissertation, INSA Lyon. Accessed July 14, 2020. http://www.theses.fr/2011ISAL0038.

MLA Handbook (7th Edition):

Hamieh, Youness. “Caractérisation et modélisation du transistor JFET en SiC à haute température : Characterization and modeling of SiC JFET for high temperature.” 2011. Web. 14 Jul 2020.

Vancouver:

Hamieh Y. Caractérisation et modélisation du transistor JFET en SiC à haute température : Characterization and modeling of SiC JFET for high temperature. [Internet] [Doctoral dissertation]. INSA Lyon; 2011. [cited 2020 Jul 14]. Available from: http://www.theses.fr/2011ISAL0038.

Council of Science Editors:

Hamieh Y. Caractérisation et modélisation du transistor JFET en SiC à haute température : Characterization and modeling of SiC JFET for high temperature. [Doctoral Dissertation]. INSA Lyon; 2011. Available from: http://www.theses.fr/2011ISAL0038

7. Giraud, Xavier. Méthodes et outils pour la conception optimale des réseaux de distribution d'électricité dans les aéronefs : Methods and tools for the optimal design of aircraft electrical power systems.

Degree: Docteur es, Systèmes Embarqués, 2014, Toulouse, INSA

 Dans le domaine aéronautique, la dernière décennie a été marquée par une augmentation constante et progressive du taux d’électrification des systèmes embarqués. L’avion plus électrique… (more)

Subjects/Keywords: Avion plus électrique; Conception optimale d’architecture; Électronique de puissance; Optimisation combinatoire; Recherche opérationnelle; Reconfiguration de réseau; Système expert; Modélisation multi-physique; Théorie des graphes; Approche système; Combinatorial optimization; Graph theory; Expert system; More electrical aircraft; Operational research; Optimal architecture design; Multi-physical modelling; Network reconfiguration; Power electronics; System approach; 629

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APA (6th Edition):

Giraud, X. (2014). Méthodes et outils pour la conception optimale des réseaux de distribution d'électricité dans les aéronefs : Methods and tools for the optimal design of aircraft electrical power systems. (Doctoral Dissertation). Toulouse, INSA. Retrieved from http://www.theses.fr/2014ISAT0004

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Giraud, Xavier. “Méthodes et outils pour la conception optimale des réseaux de distribution d'électricité dans les aéronefs : Methods and tools for the optimal design of aircraft electrical power systems.” 2014. Doctoral Dissertation, Toulouse, INSA. Accessed July 14, 2020. http://www.theses.fr/2014ISAT0004.

MLA Handbook (7th Edition):

Giraud, Xavier. “Méthodes et outils pour la conception optimale des réseaux de distribution d'électricité dans les aéronefs : Methods and tools for the optimal design of aircraft electrical power systems.” 2014. Web. 14 Jul 2020.

Vancouver:

Giraud X. Méthodes et outils pour la conception optimale des réseaux de distribution d'électricité dans les aéronefs : Methods and tools for the optimal design of aircraft electrical power systems. [Internet] [Doctoral dissertation]. Toulouse, INSA; 2014. [cited 2020 Jul 14]. Available from: http://www.theses.fr/2014ISAT0004.

Council of Science Editors:

Giraud X. Méthodes et outils pour la conception optimale des réseaux de distribution d'électricité dans les aéronefs : Methods and tools for the optimal design of aircraft electrical power systems. [Doctoral Dissertation]. Toulouse, INSA; 2014. Available from: http://www.theses.fr/2014ISAT0004

8. Huang, Runhua. Conception, suivi de fabrication et caractérisation électrique de composants haute tension en SiC : Design, fabrication and electrical characterization of SiC power devices with a high breakdown voltage.

Degree: Docteur es, Electronique de puissance, 2011, INSA Lyon

Les composants actifs en électronique de puissance sont principalement à base de Silicium. Or, le silicium a des limites en termes de température d’utilisation, fréquence… (more)

Subjects/Keywords: Electronique de puissance; Composant de puissance; Composant en Carbure de Silicium; Diode de puissance; Semiconducteur à grand gap; Diode SiC-4H; Fabrication; Propriétés électriques; Durée de vie; Power Electronics; Power Component; Silicon Carbide Component; Power Diode; Wide Band Gap SemiConductor; SiC-4H Diode; Processing; Electrical properties; Operating Life; 621.317 072

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APA (6th Edition):

Huang, R. (2011). Conception, suivi de fabrication et caractérisation électrique de composants haute tension en SiC : Design, fabrication and electrical characterization of SiC power devices with a high breakdown voltage. (Doctoral Dissertation). INSA Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2011ISAL0096

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Huang, Runhua. “Conception, suivi de fabrication et caractérisation électrique de composants haute tension en SiC : Design, fabrication and electrical characterization of SiC power devices with a high breakdown voltage.” 2011. Doctoral Dissertation, INSA Lyon. Accessed July 14, 2020. http://www.theses.fr/2011ISAL0096.

MLA Handbook (7th Edition):

Huang, Runhua. “Conception, suivi de fabrication et caractérisation électrique de composants haute tension en SiC : Design, fabrication and electrical characterization of SiC power devices with a high breakdown voltage.” 2011. Web. 14 Jul 2020.

Vancouver:

Huang R. Conception, suivi de fabrication et caractérisation électrique de composants haute tension en SiC : Design, fabrication and electrical characterization of SiC power devices with a high breakdown voltage. [Internet] [Doctoral dissertation]. INSA Lyon; 2011. [cited 2020 Jul 14]. Available from: http://www.theses.fr/2011ISAL0096.

Council of Science Editors:

Huang R. Conception, suivi de fabrication et caractérisation électrique de composants haute tension en SiC : Design, fabrication and electrical characterization of SiC power devices with a high breakdown voltage. [Doctoral Dissertation]. INSA Lyon; 2011. Available from: http://www.theses.fr/2011ISAL0096

9. Wang, Lin. Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy : Profilage porteur de structures de nanofils ZnO par microscopie à capacité de balayage et microscopie à dispersion.

Degree: Docteur es, Matériaux, 2016, Lyon

Ce travail de thèse porte sur l'application des techniques Scanning Capacitance Microscopy (SCM) et Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) pour la caractérisation électrique de nanofils… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Semiconducteur; Matériaux pour l'électronique; Nanofils ZNO; Microscopie à sonde locale; Scanning capacitance Microscopy - SCM; Scanning Spreading Resistance Microcopy - SSRM; Propriétés électr; Propriétés optoélectroniques; Dopage de type p; Nanoélectronique; Electronics; SemiConductors; Electronic Materials; Scanning capacitance Microscopy - SCM; Scanning Spreading Resistance Microcopy - SSRM; ZNO nanowires; Scanning Probe Microscopy - SPM; Electrical properties.; P-Type doping; Nanoelectronics; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Wang, L. (2016). Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy : Profilage porteur de structures de nanofils ZnO par microscopie à capacité de balayage et microscopie à dispersion. (Doctoral Dissertation). Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2016LYSEI031

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Wang, Lin. “Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy : Profilage porteur de structures de nanofils ZnO par microscopie à capacité de balayage et microscopie à dispersion.” 2016. Doctoral Dissertation, Lyon. Accessed July 14, 2020. http://www.theses.fr/2016LYSEI031.

MLA Handbook (7th Edition):

Wang, Lin. “Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy : Profilage porteur de structures de nanofils ZnO par microscopie à capacité de balayage et microscopie à dispersion.” 2016. Web. 14 Jul 2020.

Vancouver:

Wang L. Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy : Profilage porteur de structures de nanofils ZnO par microscopie à capacité de balayage et microscopie à dispersion. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; 2016. [cited 2020 Jul 14]. Available from: http://www.theses.fr/2016LYSEI031.

Council of Science Editors:

Wang L. Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy : Profilage porteur de structures de nanofils ZnO par microscopie à capacité de balayage et microscopie à dispersion. [Doctoral Dissertation]. Lyon; 2016. Available from: http://www.theses.fr/2016LYSEI031

10. Jouvet, Nicolas. Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS : Hybrid integration of single electron transistor on a CMOS technology node.

Degree: Docteur es, Electronique, 2012, INSA Lyon

Cette étude porte sur l’intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels,… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS; Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée; Composant à un électron; Transistor à un électron - SET; Nanotechnologie; Nanodamascène; Caractérisation électrique; Electronics; MOSFET - Metal Oxide SemiConductor Field Effect - Transistor; Single Electron Device; Single-electron Transistor - SET; Nanotechnology; Nanodamascene; Electrical characterisation; 621.381 520 72

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APA (6th Edition):

Jouvet, N. (2012). Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS : Hybrid integration of single electron transistor on a CMOS technology node. (Doctoral Dissertation). INSA Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2012ISAL0114

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Jouvet, Nicolas. “Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS : Hybrid integration of single electron transistor on a CMOS technology node.” 2012. Doctoral Dissertation, INSA Lyon. Accessed July 14, 2020. http://www.theses.fr/2012ISAL0114.

MLA Handbook (7th Edition):

Jouvet, Nicolas. “Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS : Hybrid integration of single electron transistor on a CMOS technology node.” 2012. Web. 14 Jul 2020.

Vancouver:

Jouvet N. Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS : Hybrid integration of single electron transistor on a CMOS technology node. [Internet] [Doctoral dissertation]. INSA Lyon; 2012. [cited 2020 Jul 14]. Available from: http://www.theses.fr/2012ISAL0114.

Council of Science Editors:

Jouvet N. Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS : Hybrid integration of single electron transistor on a CMOS technology node. [Doctoral Dissertation]. INSA Lyon; 2012. Available from: http://www.theses.fr/2012ISAL0114

11. Labalette, Marina. Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS : 3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line.

Degree: Docteur es, Electronique, électrotechnique et automatique, 2018, Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada)

La gestion, la manipulation et le stockage de données sont aujourd’hui de réels challenges. Pour supporter cette réalité, le besoin de technologies mémoires plus efficaces,… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Microélectronique; Mémoires en microélectronique; Filière CMOS; Mémoires résistives OxRRAM; Mémoires resistives complémentaires - CRS; Intégration monolithique BEOL - back end of line; Caractérisation électrique en mode quasi statique - QS; Caractérisation électrique en mode pulsé; Architecture de mémoire haute densité; Configuration 1T1R; Procédé nanodamascène; Electronics; Microelectronics; Memory on Silicon; Oxide based resistive memories OxRRAM; Complementary resistive switching devices - CRS; Cmos beol; 3D monolithic integration; DC and pulsed electrical characterization; High density integration; 1T1R configuration; 621.397 072

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APA (6th Edition):

Labalette, M. (2018). Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS : 3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line. (Doctoral Dissertation). Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada). Retrieved from http://www.theses.fr/2018LYSEI037

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Labalette, Marina. “Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS : 3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line.” 2018. Doctoral Dissertation, Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada). Accessed July 14, 2020. http://www.theses.fr/2018LYSEI037.

MLA Handbook (7th Edition):

Labalette, Marina. “Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS : 3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line.” 2018. Web. 14 Jul 2020.

Vancouver:

Labalette M. Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS : 3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada); 2018. [cited 2020 Jul 14]. Available from: http://www.theses.fr/2018LYSEI037.

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Labalette M. Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS : 3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line. [Doctoral Dissertation]. Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada); 2018. Available from: http://www.theses.fr/2018LYSEI037

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