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1. Channoufi, Malèk. Modélisation et optimisation de la couche optique de réseaux sur puce : Modeling and optimization of optical layer networks on chip.

Degree: Docteur es, STIC (sciences et technologies de l'information et de la communication) - Cergy, 2014, Cergy-Pontoise; École nationale d'ingénieurs de Tunis (Tunisie)

Dans le cadre du développement de SoC (Systems-on-Chip) complexes, l'interconnexion des différent IP matériels (Intellectual Property), très distants à l'échelle d'un circuit intégré (typiquement quelques… (more)

Subjects/Keywords: Réseau optique sur puce; Microrésonateur; Optique guidé; Configuration en 3D; Optical network on chip; Microring resonator; 3D-configuration; Power consumption

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APA (6th Edition):

Channoufi, M. (2014). Modélisation et optimisation de la couche optique de réseaux sur puce : Modeling and optimization of optical layer networks on chip. (Doctoral Dissertation). Cergy-Pontoise; École nationale d'ingénieurs de Tunis (Tunisie). Retrieved from http://www.theses.fr/2014CERG0692

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Channoufi, Malèk. “Modélisation et optimisation de la couche optique de réseaux sur puce : Modeling and optimization of optical layer networks on chip.” 2014. Doctoral Dissertation, Cergy-Pontoise; École nationale d'ingénieurs de Tunis (Tunisie). Accessed December 14, 2019. http://www.theses.fr/2014CERG0692.

MLA Handbook (7th Edition):

Channoufi, Malèk. “Modélisation et optimisation de la couche optique de réseaux sur puce : Modeling and optimization of optical layer networks on chip.” 2014. Web. 14 Dec 2019.

Vancouver:

Channoufi M. Modélisation et optimisation de la couche optique de réseaux sur puce : Modeling and optimization of optical layer networks on chip. [Internet] [Doctoral dissertation]. Cergy-Pontoise; École nationale d'ingénieurs de Tunis (Tunisie); 2014. [cited 2019 Dec 14]. Available from: http://www.theses.fr/2014CERG0692.

Council of Science Editors:

Channoufi M. Modélisation et optimisation de la couche optique de réseaux sur puce : Modeling and optimization of optical layer networks on chip. [Doctoral Dissertation]. Cergy-Pontoise; École nationale d'ingénieurs de Tunis (Tunisie); 2014. Available from: http://www.theses.fr/2014CERG0692


Université de Sherbrooke

2. Labalette, Marina. Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS .

Degree: 2018, Université de Sherbrooke

 Les dispositifs mémoires résistives, notamment ceux à base d’oxyde de commutation OxRRAM, se placent parmi les dispositifs mémoires émergentes les plus attractifs pour remplacer les… (more)

Subjects/Keywords: Filière CMOS; Mémoires résistives OxRRAM; Dispositifs CRS; Intégration monolithique BEOL; Caractérisations en mode QS et pulsé; Architecture mémoire haute densité; Configuration 1T1R; Oxide based resistive memories OxRRAM; CRS dispositive; CMOS BEOL; 3D monolithic integration; DC and pulsed electrical characterization; High density of integration; 1T1R configuration

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APA (6th Edition):

Labalette, M. (2018). Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS . (Doctoral Dissertation). Université de Sherbrooke. Retrieved from http://hdl.handle.net/11143/12267

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Labalette, Marina. “Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS .” 2018. Doctoral Dissertation, Université de Sherbrooke. Accessed December 14, 2019. http://hdl.handle.net/11143/12267.

MLA Handbook (7th Edition):

Labalette, Marina. “Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS .” 2018. Web. 14 Dec 2019.

Vancouver:

Labalette M. Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS . [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Sherbrooke; 2018. [cited 2019 Dec 14]. Available from: http://hdl.handle.net/11143/12267.

Council of Science Editors:

Labalette M. Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS . [Doctoral Dissertation]. Université de Sherbrooke; 2018. Available from: http://hdl.handle.net/11143/12267

3. Labalette, Marina. Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS : 3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line.

Degree: Docteur es, Electronique, électrotechnique et automatique, 2018, Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada)

La gestion, la manipulation et le stockage de données sont aujourd’hui de réels challenges. Pour supporter cette réalité, le besoin de technologies mémoires plus efficaces,… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Microélectronique; Mémoires en microélectronique; Filière CMOS; Mémoires résistives OxRRAM; Mémoires resistives complémentaires - CRS; Intégration monolithique BEOL - back end of line; Caractérisation électrique en mode quasi statique - QS; Caractérisation électrique en mode pulsé; Architecture de mémoire haute densité; Configuration 1T1R; Procédé nanodamascène; Electronics; Microelectronics; Memory on Silicon; Oxide based resistive memories OxRRAM; Complementary resistive switching devices - CRS; Cmos beol; 3D monolithic integration; DC and pulsed electrical characterization; High density integration; 1T1R configuration; 621.397 072

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APA (6th Edition):

Labalette, M. (2018). Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS : 3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line. (Doctoral Dissertation). Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada). Retrieved from http://www.theses.fr/2018LYSEI037

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Labalette, Marina. “Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS : 3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line.” 2018. Doctoral Dissertation, Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada). Accessed December 14, 2019. http://www.theses.fr/2018LYSEI037.

MLA Handbook (7th Edition):

Labalette, Marina. “Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS : 3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line.” 2018. Web. 14 Dec 2019.

Vancouver:

Labalette M. Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS : 3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada); 2018. [cited 2019 Dec 14]. Available from: http://www.theses.fr/2018LYSEI037.

Council of Science Editors:

Labalette M. Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS : 3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line. [Doctoral Dissertation]. Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada); 2018. Available from: http://www.theses.fr/2018LYSEI037

4. Sanders, Rindra. Numérisation 3D d'objets transparents par polarisation dans l'IR et par triangulation dans l'UV : 3D digitization of transparent objects by polalization techniques in IR & by triangulation in UV.

Degree: Docteur es, Instrumentation et informatique de l'image, 2011, Université de Bourgogne

 Les travaux présentés dans ce mémoire portent sur l'étude, la conception et le développement de deux nouveaux prototypes de reconstruction tridimensionnelle, spécifique aux objets transparents.… (more)

Subjects/Keywords: Numérisation 3D; Objets transparents; Reconstruction par polarisation dans l'IR; Lentille non télécentrique; Approximation du modèle orthographique; Méthode de validation des paramètres de Stokes; Scanning par laser UV; "tracking" et caractérisation de la fluorescence; Méthode de validation pour une configuration optimale du système; Industrialisable (en terme de précision, coût); 3D digitization; Transparent objects; Shape from polarization in IR; Non telecentric lense; Orthographic approximation approach; Stokes parameters validation method; Scanning from UV laser; Fluorescence tracking and characterization; Validation method for optimal configuration setup; Low cost system; Excellent accuracy; Industrial applications; 006.6; 535

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APA (6th Edition):

Sanders, R. (2011). Numérisation 3D d'objets transparents par polarisation dans l'IR et par triangulation dans l'UV : 3D digitization of transparent objects by polalization techniques in IR & by triangulation in UV. (Doctoral Dissertation). Université de Bourgogne. Retrieved from http://www.theses.fr/2011DIJOS039

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Sanders, Rindra. “Numérisation 3D d'objets transparents par polarisation dans l'IR et par triangulation dans l'UV : 3D digitization of transparent objects by polalization techniques in IR & by triangulation in UV.” 2011. Doctoral Dissertation, Université de Bourgogne. Accessed December 14, 2019. http://www.theses.fr/2011DIJOS039.

MLA Handbook (7th Edition):

Sanders, Rindra. “Numérisation 3D d'objets transparents par polarisation dans l'IR et par triangulation dans l'UV : 3D digitization of transparent objects by polalization techniques in IR & by triangulation in UV.” 2011. Web. 14 Dec 2019.

Vancouver:

Sanders R. Numérisation 3D d'objets transparents par polarisation dans l'IR et par triangulation dans l'UV : 3D digitization of transparent objects by polalization techniques in IR & by triangulation in UV. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Bourgogne; 2011. [cited 2019 Dec 14]. Available from: http://www.theses.fr/2011DIJOS039.

Council of Science Editors:

Sanders R. Numérisation 3D d'objets transparents par polarisation dans l'IR et par triangulation dans l'UV : 3D digitization of transparent objects by polalization techniques in IR & by triangulation in UV. [Doctoral Dissertation]. Université de Bourgogne; 2011. Available from: http://www.theses.fr/2011DIJOS039

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