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You searched for subject:(Bruit de Poisson). Showing records 1 – 4 of 4 total matches.

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1. Nguyen, Trong Hieu. Modèles mathématiques de la dynamique des populations en environnement déterministe et stochastique : Mathematical population dynamics models in deterministic and stochastic environments.

Degree: Docteur es, Biomathématiques, 2014, Université Pierre et Marie Curie – Paris VI

Dans ce travail de thèse, nous étudions des modèles mathématiques de la dynamique des populations en environnements déterministe et stochastique. Pour les environnements déterministes, nous… (more)

Subjects/Keywords: Prédation intra-Guilde; Migration rapide; Bancs de poisson; Équation de Lotka-Volterra; Modèle SIRS; Bruit télégraphique; Intraguild predation; Fast migration; 511.8

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APA (6th Edition):

Nguyen, T. H. (2014). Modèles mathématiques de la dynamique des populations en environnement déterministe et stochastique : Mathematical population dynamics models in deterministic and stochastic environments. (Doctoral Dissertation). Université Pierre et Marie Curie – Paris VI. Retrieved from http://www.theses.fr/2014PA066432

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Nguyen, Trong Hieu. “Modèles mathématiques de la dynamique des populations en environnement déterministe et stochastique : Mathematical population dynamics models in deterministic and stochastic environments.” 2014. Doctoral Dissertation, Université Pierre et Marie Curie – Paris VI. Accessed November 22, 2017. http://www.theses.fr/2014PA066432.

MLA Handbook (7th Edition):

Nguyen, Trong Hieu. “Modèles mathématiques de la dynamique des populations en environnement déterministe et stochastique : Mathematical population dynamics models in deterministic and stochastic environments.” 2014. Web. 22 Nov 2017.

Vancouver:

Nguyen TH. Modèles mathématiques de la dynamique des populations en environnement déterministe et stochastique : Mathematical population dynamics models in deterministic and stochastic environments. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Pierre et Marie Curie – Paris VI; 2014. [cited 2017 Nov 22]. Available from: http://www.theses.fr/2014PA066432.

Council of Science Editors:

Nguyen TH. Modèles mathématiques de la dynamique des populations en environnement déterministe et stochastique : Mathematical population dynamics models in deterministic and stochastic environments. [Doctoral Dissertation]. Université Pierre et Marie Curie – Paris VI; 2014. Available from: http://www.theses.fr/2014PA066432

2. Pustelnik, Nelly. Méthodes proximales pour la résolution de problèmes inverses : application à la tomographie par émission de positrons : Proximal methods for the resolution of inverse problems : application to positron emission tomography.

Degree: Docteur es, Génie informatique, automatique et traitement du signal, 2010, Université Paris-Est

L'objectif de cette thèse est de proposer des méthodes fiables, efficaces et rapides pour minimiser des critères convexes apparaissant dans la résolution de problèmes inverses… (more)

Subjects/Keywords: Problèmes inverses; Optimisation convexe; Algorithmes proximaux; Bruit de Poisson; Trames d'ondelettes; Tep; Inverse problems; Convex optimization; Proximal algorithms; Poisson noise; Wavelet frame; Pet

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APA (6th Edition):

Pustelnik, N. (2010). Méthodes proximales pour la résolution de problèmes inverses : application à la tomographie par émission de positrons : Proximal methods for the resolution of inverse problems : application to positron emission tomography. (Doctoral Dissertation). Université Paris-Est. Retrieved from http://www.theses.fr/2010PEST1037

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Pustelnik, Nelly. “Méthodes proximales pour la résolution de problèmes inverses : application à la tomographie par émission de positrons : Proximal methods for the resolution of inverse problems : application to positron emission tomography.” 2010. Doctoral Dissertation, Université Paris-Est. Accessed November 22, 2017. http://www.theses.fr/2010PEST1037.

MLA Handbook (7th Edition):

Pustelnik, Nelly. “Méthodes proximales pour la résolution de problèmes inverses : application à la tomographie par émission de positrons : Proximal methods for the resolution of inverse problems : application to positron emission tomography.” 2010. Web. 22 Nov 2017.

Vancouver:

Pustelnik N. Méthodes proximales pour la résolution de problèmes inverses : application à la tomographie par émission de positrons : Proximal methods for the resolution of inverse problems : application to positron emission tomography. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Paris-Est; 2010. [cited 2017 Nov 22]. Available from: http://www.theses.fr/2010PEST1037.

Council of Science Editors:

Pustelnik N. Méthodes proximales pour la résolution de problèmes inverses : application à la tomographie par émission de positrons : Proximal methods for the resolution of inverse problems : application to positron emission tomography. [Doctoral Dissertation]. Université Paris-Est; 2010. Available from: http://www.theses.fr/2010PEST1037


Université Paris-Sud – Paris XI

3. Talbo, Vincent. Étude théorique du transport électronique dans les nanodispositifs à boîtes quantiques semiconductrices : Theoretical study of electronic transport in semiconductor quantum dot-based nanodevices.

Degree: Docteur es, Physique, 2012, Université Paris-Sud – Paris XI

La miniaturisation des composants, qui s’est engagée depuis l’avènement de l’électronique il y a plus de 50 ans, atteint aujourd’hui la dimension nanométrique, ouvrant la… (more)

Subjects/Keywords: Blocage de Coulomb; Bruit de grenaille; Poisson-Schrödinger; Thermoélectricité; Transistors à un électron; Coulomb blockade; Quantum dot; Physical simulation; Shot noise; Single-electron transistor; Thermoelectricity

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APA (6th Edition):

Talbo, V. (2012). Étude théorique du transport électronique dans les nanodispositifs à boîtes quantiques semiconductrices : Theoretical study of electronic transport in semiconductor quantum dot-based nanodevices. (Doctoral Dissertation). Université Paris-Sud – Paris XI. Retrieved from http://www.theses.fr/2012PA112409

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Talbo, Vincent. “Étude théorique du transport électronique dans les nanodispositifs à boîtes quantiques semiconductrices : Theoretical study of electronic transport in semiconductor quantum dot-based nanodevices.” 2012. Doctoral Dissertation, Université Paris-Sud – Paris XI. Accessed November 22, 2017. http://www.theses.fr/2012PA112409.

MLA Handbook (7th Edition):

Talbo, Vincent. “Étude théorique du transport électronique dans les nanodispositifs à boîtes quantiques semiconductrices : Theoretical study of electronic transport in semiconductor quantum dot-based nanodevices.” 2012. Web. 22 Nov 2017.

Vancouver:

Talbo V. Étude théorique du transport électronique dans les nanodispositifs à boîtes quantiques semiconductrices : Theoretical study of electronic transport in semiconductor quantum dot-based nanodevices. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Paris-Sud – Paris XI; 2012. [cited 2017 Nov 22]. Available from: http://www.theses.fr/2012PA112409.

Council of Science Editors:

Talbo V. Étude théorique du transport électronique dans les nanodispositifs à boîtes quantiques semiconductrices : Theoretical study of electronic transport in semiconductor quantum dot-based nanodevices. [Doctoral Dissertation]. Université Paris-Sud – Paris XI; 2012. Available from: http://www.theses.fr/2012PA112409


Université Paris-Sud – Paris XI

4. Shi, Ming. Simulation monte carlo de MOSFET à base de materiaux III-V pour une électronique haute fréquence ultra basse consommation : Monte Carlo simulation of III-V material-based MOSFET for high frequency and ultra-low consumption applications.

Degree: Docteur es, Physique, 2012, Université Paris-Sud – Paris XI

Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n’est pas satisfaisant à cause de la faible mobilité électronique de ce semi-conducteur et… (more)

Subjects/Keywords: Modélisation de dispositifs semi-conducteurs; Matériaux III-V; Monte Carlo; Poisson-Schrödinger; Transport balistique; Contrôle de charge; Capacité quantique; Etats de pièges à l’interface (Dit); Performance RF; Facteur du bruit et puissance de consommation; Semiconductor Device Modelling; III-V materials; Monte Carlo; Poisson-Schrödinger; Charge control; Inversion layer capacitance; Ballistic transport; Interface trap state; RF performance; Noise figure and low consumption

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APA (6th Edition):

Shi, M. (2012). Simulation monte carlo de MOSFET à base de materiaux III-V pour une électronique haute fréquence ultra basse consommation : Monte Carlo simulation of III-V material-based MOSFET for high frequency and ultra-low consumption applications. (Doctoral Dissertation). Université Paris-Sud – Paris XI. Retrieved from http://www.theses.fr/2012PA112009

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Shi, Ming. “Simulation monte carlo de MOSFET à base de materiaux III-V pour une électronique haute fréquence ultra basse consommation : Monte Carlo simulation of III-V material-based MOSFET for high frequency and ultra-low consumption applications.” 2012. Doctoral Dissertation, Université Paris-Sud – Paris XI. Accessed November 22, 2017. http://www.theses.fr/2012PA112009.

MLA Handbook (7th Edition):

Shi, Ming. “Simulation monte carlo de MOSFET à base de materiaux III-V pour une électronique haute fréquence ultra basse consommation : Monte Carlo simulation of III-V material-based MOSFET for high frequency and ultra-low consumption applications.” 2012. Web. 22 Nov 2017.

Vancouver:

Shi M. Simulation monte carlo de MOSFET à base de materiaux III-V pour une électronique haute fréquence ultra basse consommation : Monte Carlo simulation of III-V material-based MOSFET for high frequency and ultra-low consumption applications. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Paris-Sud – Paris XI; 2012. [cited 2017 Nov 22]. Available from: http://www.theses.fr/2012PA112009.

Council of Science Editors:

Shi M. Simulation monte carlo de MOSFET à base de materiaux III-V pour une électronique haute fréquence ultra basse consommation : Monte Carlo simulation of III-V material-based MOSFET for high frequency and ultra-low consumption applications. [Doctoral Dissertation]. Université Paris-Sud – Paris XI; 2012. Available from: http://www.theses.fr/2012PA112009

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