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Université de Grenoble

1. Gilde, Flora da Silva. Présentation de la BMP-2 par un film biomimétrique : structure de la protéine, stabilité à long terme et internalisation cellulaire : Matrix-bound delivery of BMP-2 from a biomimetic film : protein structure, long-term stability and cellular uptake.

Degree: Docteur es, Matériaux, mécanique, génie civil, électrochimie, 2014, Université de Grenoble

La surface naturelle des prothèses, tels que des implants métalliques, n'est pas idéale pour l'obtention d'une bonne ostéo-intégration. Par conséquent, l'amélioration des propriétés de surface… (more)

Subjects/Keywords: Biomatériaux; Bioingénierie; BMP-2; Structure; Ostéo-induction; Ocytose; Biomaterials; Bioengineering; BMP-2; Structure; Osteoinduction; Endocytosis; 620

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APA (6th Edition):

Gilde, F. d. S. (2014). Présentation de la BMP-2 par un film biomimétrique : structure de la protéine, stabilité à long terme et internalisation cellulaire : Matrix-bound delivery of BMP-2 from a biomimetic film : protein structure, long-term stability and cellular uptake. (Doctoral Dissertation). Université de Grenoble. Retrieved from http://www.theses.fr/2014GRENI083

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Gilde, Flora da Silva. “Présentation de la BMP-2 par un film biomimétrique : structure de la protéine, stabilité à long terme et internalisation cellulaire : Matrix-bound delivery of BMP-2 from a biomimetic film : protein structure, long-term stability and cellular uptake.” 2014. Doctoral Dissertation, Université de Grenoble. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2014GRENI083.

MLA Handbook (7th Edition):

Gilde, Flora da Silva. “Présentation de la BMP-2 par un film biomimétrique : structure de la protéine, stabilité à long terme et internalisation cellulaire : Matrix-bound delivery of BMP-2 from a biomimetic film : protein structure, long-term stability and cellular uptake.” 2014. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Gilde FdS. Présentation de la BMP-2 par un film biomimétrique : structure de la protéine, stabilité à long terme et internalisation cellulaire : Matrix-bound delivery of BMP-2 from a biomimetic film : protein structure, long-term stability and cellular uptake. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Grenoble; 2014. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2014GRENI083.

Council of Science Editors:

Gilde FdS. Présentation de la BMP-2 par un film biomimétrique : structure de la protéine, stabilité à long terme et internalisation cellulaire : Matrix-bound delivery of BMP-2 from a biomimetic film : protein structure, long-term stability and cellular uptake. [Doctoral Dissertation]. Université de Grenoble; 2014. Available from: http://www.theses.fr/2014GRENI083

2. Martegoutte, Julien. Corrélation entre les procédés de fabrication, les propriétés microstructurales et les propriétés mécaniques de couches minces métalliques pour applications microsystèmes : Correlation between manufacturing processes, microstructural properties and mechanical properties of metallic thin films for MEMS applications.

Degree: Docteur es, Electronique, 2012, INSA Lyon

L'agence spatiale européenne et le CNES étudient la possibilité d’envoyer des microsystèmes dans l’espace, en particulier pour le gain de masse qu’ils représentent. Afin d’améliorer… (more)

Subjects/Keywords: Microélectronique; Microsystème; Couche mince; Conception de microsystèmes; Aluminium; Or; Film mince métallique; Microstructure; Nanoindentation; Microelectronics; Micro System Design; Thin Layer; Aluminum; Gold; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Martegoutte, J. (2012). Corrélation entre les procédés de fabrication, les propriétés microstructurales et les propriétés mécaniques de couches minces métalliques pour applications microsystèmes : Correlation between manufacturing processes, microstructural properties and mechanical properties of metallic thin films for MEMS applications. (Doctoral Dissertation). INSA Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2012ISAL0033

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Martegoutte, Julien. “Corrélation entre les procédés de fabrication, les propriétés microstructurales et les propriétés mécaniques de couches minces métalliques pour applications microsystèmes : Correlation between manufacturing processes, microstructural properties and mechanical properties of metallic thin films for MEMS applications.” 2012. Doctoral Dissertation, INSA Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2012ISAL0033.

MLA Handbook (7th Edition):

Martegoutte, Julien. “Corrélation entre les procédés de fabrication, les propriétés microstructurales et les propriétés mécaniques de couches minces métalliques pour applications microsystèmes : Correlation between manufacturing processes, microstructural properties and mechanical properties of metallic thin films for MEMS applications.” 2012. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Martegoutte J. Corrélation entre les procédés de fabrication, les propriétés microstructurales et les propriétés mécaniques de couches minces métalliques pour applications microsystèmes : Correlation between manufacturing processes, microstructural properties and mechanical properties of metallic thin films for MEMS applications. [Internet] [Doctoral dissertation]. INSA Lyon; 2012. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2012ISAL0033.

Council of Science Editors:

Martegoutte J. Corrélation entre les procédés de fabrication, les propriétés microstructurales et les propriétés mécaniques de couches minces métalliques pour applications microsystèmes : Correlation between manufacturing processes, microstructural properties and mechanical properties of metallic thin films for MEMS applications. [Doctoral Dissertation]. INSA Lyon; 2012. Available from: http://www.theses.fr/2012ISAL0033

3. Liu, Jia. Fabrication and optical simulation of periodic nanostructures and their applications : Fabrication et simulation optique de nanostructures périodiques et leurs applications.

Degree: Docteur es, Électronique, micro et nanoélectronique, optique et laser, 2016, Lyon

Les nanostructures périodiques jouent un rôle important dans le domaine des nanotechnologies, en particulier dans le contrôle des photons. Bien qu'il existe de nombreuses techniques… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Nano électronique; Nanostructure; Fabrication de nanostructures; Laser interference lithography - LIL; Photonique; Photovoltaïsme; Electronics; Nano Electronics; Nanostructure; Nanostructure making; Laser interference lithography - LIL; Photonics; Photovoltaics; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Liu, J. (2016). Fabrication and optical simulation of periodic nanostructures and their applications : Fabrication et simulation optique de nanostructures périodiques et leurs applications. (Doctoral Dissertation). Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2016LYSEI027

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Liu, Jia. “Fabrication and optical simulation of periodic nanostructures and their applications : Fabrication et simulation optique de nanostructures périodiques et leurs applications.” 2016. Doctoral Dissertation, Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2016LYSEI027.

MLA Handbook (7th Edition):

Liu, Jia. “Fabrication and optical simulation of periodic nanostructures and their applications : Fabrication et simulation optique de nanostructures périodiques et leurs applications.” 2016. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Liu J. Fabrication and optical simulation of periodic nanostructures and their applications : Fabrication et simulation optique de nanostructures périodiques et leurs applications. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; 2016. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2016LYSEI027.

Council of Science Editors:

Liu J. Fabrication and optical simulation of periodic nanostructures and their applications : Fabrication et simulation optique de nanostructures périodiques et leurs applications. [Doctoral Dissertation]. Lyon; 2016. Available from: http://www.theses.fr/2016LYSEI027

4. Seiss, Birgit. Etudes structurales et morphologiques et réalisation d’épitaxies à base de Si pour dispositifs électroniques : Structure and morphology study of Si-based epitaxies for electronic devices.

Degree: Docteur es, Matériaux, 2013, INSA Lyon

Dans les technologies d'aujourd'hui, l’épitaxie est une technique indispensable pour la fabrication des composants. Avec la diminution continue de la taille des transistors les objets… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Matériaux pour l'électronique; Epitaxie; Epitaxie sélective; Anisotropie; Morphologie SiGe; Recuit sous H2; Electronics; Electronic Material; Epitaxy; Selective epitaxy; Anisotropy; SiGe morphology; H2 annealing; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Seiss, B. (2013). Etudes structurales et morphologiques et réalisation d’épitaxies à base de Si pour dispositifs électroniques : Structure and morphology study of Si-based epitaxies for electronic devices. (Doctoral Dissertation). INSA Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2013ISAL0152

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Seiss, Birgit. “Etudes structurales et morphologiques et réalisation d’épitaxies à base de Si pour dispositifs électroniques : Structure and morphology study of Si-based epitaxies for electronic devices.” 2013. Doctoral Dissertation, INSA Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2013ISAL0152.

MLA Handbook (7th Edition):

Seiss, Birgit. “Etudes structurales et morphologiques et réalisation d’épitaxies à base de Si pour dispositifs électroniques : Structure and morphology study of Si-based epitaxies for electronic devices.” 2013. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Seiss B. Etudes structurales et morphologiques et réalisation d’épitaxies à base de Si pour dispositifs électroniques : Structure and morphology study of Si-based epitaxies for electronic devices. [Internet] [Doctoral dissertation]. INSA Lyon; 2013. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2013ISAL0152.

Council of Science Editors:

Seiss B. Etudes structurales et morphologiques et réalisation d’épitaxies à base de Si pour dispositifs électroniques : Structure and morphology study of Si-based epitaxies for electronic devices. [Doctoral Dissertation]. INSA Lyon; 2013. Available from: http://www.theses.fr/2013ISAL0152

5. Paredes-Saez, Victorien. Procédés d'épitaxie spécifiques au CMOS 14 et 10 nm : Morphologie et structure : Si-based epitaxy processes for 14 and 10 nm CMOS technologies : Morphology and structure.

Degree: Docteur es, Matériaux, 2017, Lyon

Dans les technologies avancées, l’épitaxie des matériaux à base de silicium devient de plus en plus critique et les effets morphologiques importants. Les traitements thermiques… (more)

Subjects/Keywords: Matériaux; Matériaux à base silicium; Epitaxie; Morphologie; Dépot chimique en phase vapeur; Dopage; Materials; Silicium based materials; Epitaxy; Morphology; Chemical vapor deposition; Doping; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Paredes-Saez, V. (2017). Procédés d'épitaxie spécifiques au CMOS 14 et 10 nm : Morphologie et structure : Si-based epitaxy processes for 14 and 10 nm CMOS technologies : Morphology and structure. (Doctoral Dissertation). Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2017LYSEI032

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Paredes-Saez, Victorien. “Procédés d'épitaxie spécifiques au CMOS 14 et 10 nm : Morphologie et structure : Si-based epitaxy processes for 14 and 10 nm CMOS technologies : Morphology and structure.” 2017. Doctoral Dissertation, Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2017LYSEI032.

MLA Handbook (7th Edition):

Paredes-Saez, Victorien. “Procédés d'épitaxie spécifiques au CMOS 14 et 10 nm : Morphologie et structure : Si-based epitaxy processes for 14 and 10 nm CMOS technologies : Morphology and structure.” 2017. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Paredes-Saez V. Procédés d'épitaxie spécifiques au CMOS 14 et 10 nm : Morphologie et structure : Si-based epitaxy processes for 14 and 10 nm CMOS technologies : Morphology and structure. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; 2017. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2017LYSEI032.

Council of Science Editors:

Paredes-Saez V. Procédés d'épitaxie spécifiques au CMOS 14 et 10 nm : Morphologie et structure : Si-based epitaxy processes for 14 and 10 nm CMOS technologies : Morphology and structure. [Doctoral Dissertation]. Lyon; 2017. Available from: http://www.theses.fr/2017LYSEI032

6. Gladkikh, Egor. Optimisation de l'architecture des réseaux de distribution d'énergie électrique : Optimization of architecture of power distribution networks.

Degree: Docteur es, Génie électrique, 2015, Université Grenoble Alpes (ComUE)

Pour faire face aux mutations du paysage énergétique, les réseaux de distribution d'électricité sont soumis à des exigences de fonctionnement avec des indices de fiabilité… (more)

Subjects/Keywords: Architectures des réseaux de distribution; Smart grid; Planification; Optimisation combinatoire; Théorie des graphes; Modélisation; Programmation linéaire; Programmation quadratique; Programmation convexe; Graphes 2 connexes; Flot arborescent avec pertes quadratiques minimales; Distribution networks; Smart grid; Power distribution system planning; Combinatorial optimization; Graph theory; Modeling; Linear programming; Quadratic programming; Convex programming; 2 connected graphs; Arborescent flow with quadratic losses; 620

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APA (6th Edition):

Gladkikh, E. (2015). Optimisation de l'architecture des réseaux de distribution d'énergie électrique : Optimization of architecture of power distribution networks. (Doctoral Dissertation). Université Grenoble Alpes (ComUE). Retrieved from http://www.theses.fr/2015GREAT055

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Gladkikh, Egor. “Optimisation de l'architecture des réseaux de distribution d'énergie électrique : Optimization of architecture of power distribution networks.” 2015. Doctoral Dissertation, Université Grenoble Alpes (ComUE). Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2015GREAT055.

MLA Handbook (7th Edition):

Gladkikh, Egor. “Optimisation de l'architecture des réseaux de distribution d'énergie électrique : Optimization of architecture of power distribution networks.” 2015. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Gladkikh E. Optimisation de l'architecture des réseaux de distribution d'énergie électrique : Optimization of architecture of power distribution networks. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Grenoble Alpes (ComUE); 2015. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2015GREAT055.

Council of Science Editors:

Gladkikh E. Optimisation de l'architecture des réseaux de distribution d'énergie électrique : Optimization of architecture of power distribution networks. [Doctoral Dissertation]. Université Grenoble Alpes (ComUE); 2015. Available from: http://www.theses.fr/2015GREAT055

7. Haendel, Lars. Clusterverfahren zur datenbasierten Generierung interpretierbarer Regeln unter Verwendung lokaler Entscheidungskriterien.

Degree: 2003, Universität Dortmund

 Betrachtet wird die Aufgabe der datenbasierten Modellierung von Prozessen für die Datenpunkte erhoben wurden. Jeder Datenpunkt besteht aus den Werten einer oder mehrerer Eingangsgrößen und… (more)

Subjects/Keywords: Cluster; Clusterverfahren; Datenbasierte Modellierung; Modellierung; PNC 2-Algorithmus; Regelbasiertes Lernverfahren; ROSA-Algorithmus; SMBC-Algorithmus; 620

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APA (6th Edition):

Haendel, L. (2003). Clusterverfahren zur datenbasierten Generierung interpretierbarer Regeln unter Verwendung lokaler Entscheidungskriterien. (Thesis). Universität Dortmund. Retrieved from http://hdl.handle.net/2003/2834

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Haendel, Lars. “Clusterverfahren zur datenbasierten Generierung interpretierbarer Regeln unter Verwendung lokaler Entscheidungskriterien.” 2003. Thesis, Universität Dortmund. Accessed February 27, 2021. http://hdl.handle.net/2003/2834.

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MLA Handbook (7th Edition):

Haendel, Lars. “Clusterverfahren zur datenbasierten Generierung interpretierbarer Regeln unter Verwendung lokaler Entscheidungskriterien.” 2003. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Haendel L. Clusterverfahren zur datenbasierten Generierung interpretierbarer Regeln unter Verwendung lokaler Entscheidungskriterien. [Internet] [Thesis]. Universität Dortmund; 2003. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://hdl.handle.net/2003/2834.

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Council of Science Editors:

Haendel L. Clusterverfahren zur datenbasierten Generierung interpretierbarer Regeln unter Verwendung lokaler Entscheidungskriterien. [Thesis]. Universität Dortmund; 2003. Available from: http://hdl.handle.net/2003/2834

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8. Lee, Eung-Jik. Untersuchung der Anwendungsmöglichkeiten von Photovoltaik an Gebäuden in Südkorea.

Degree: 1999, Universität Dortmund

Subjects/Keywords: Architektonische Gestaltung; Bauwesen; CO 2 -Emission; FB 10; Gebäudehülle; Gebäudeintegration; Haustechnik; Photovoltaik; Solarzelle; Strahlungsangebot; Stromerzeugung; Stromverbrauch; Stromversorgung; 620

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APA (6th Edition):

Lee, E. (1999). Untersuchung der Anwendungsmöglichkeiten von Photovoltaik an Gebäuden in Südkorea. (Thesis). Universität Dortmund. Retrieved from http://hdl.handle.net/2003/2871

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Lee, Eung-Jik. “Untersuchung der Anwendungsmöglichkeiten von Photovoltaik an Gebäuden in Südkorea.” 1999. Thesis, Universität Dortmund. Accessed February 27, 2021. http://hdl.handle.net/2003/2871.

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MLA Handbook (7th Edition):

Lee, Eung-Jik. “Untersuchung der Anwendungsmöglichkeiten von Photovoltaik an Gebäuden in Südkorea.” 1999. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Lee E. Untersuchung der Anwendungsmöglichkeiten von Photovoltaik an Gebäuden in Südkorea. [Internet] [Thesis]. Universität Dortmund; 1999. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://hdl.handle.net/2003/2871.

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Council of Science Editors:

Lee E. Untersuchung der Anwendungsmöglichkeiten von Photovoltaik an Gebäuden in Südkorea. [Thesis]. Universität Dortmund; 1999. Available from: http://hdl.handle.net/2003/2871

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9. Halawani, Nour. Innovative materials for packaging : Matériaux innovants pour le packaging.

Degree: Docteur es, Sciences de la matière et des matériaux, 2017, Lyon

Ce travail porte sur l'étude du mélange thermodurcissable - thermoplastique (époxyamine / polyetherimide avec séparation de phase) pour évaluer les performances électriques et thermiques. Ces… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Semi-Conducteurs; Packaging; Interrupteur de puissance; Propriétés électr; Génie des matériaux; Matériaux pour l'électronique; Mélange organique-Organique; Epoxy; Polyétherimides (PEI); Electronics; Semi-Conductors Packaging; Power switches; Encapsulation layer; Organic-Organic Blend; Epoxy; Polyetherimides (PEI); Electric; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Halawani, N. (2017). Innovative materials for packaging : Matériaux innovants pour le packaging. (Doctoral Dissertation). Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2017LYSEI010

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Halawani, Nour. “Innovative materials for packaging : Matériaux innovants pour le packaging.” 2017. Doctoral Dissertation, Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2017LYSEI010.

MLA Handbook (7th Edition):

Halawani, Nour. “Innovative materials for packaging : Matériaux innovants pour le packaging.” 2017. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Halawani N. Innovative materials for packaging : Matériaux innovants pour le packaging. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; 2017. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2017LYSEI010.

Council of Science Editors:

Halawani N. Innovative materials for packaging : Matériaux innovants pour le packaging. [Doctoral Dissertation]. Lyon; 2017. Available from: http://www.theses.fr/2017LYSEI010

10. Haendel, Lars. Clusterverfahren zur datenbasierten Generierung interpretierbarer Regeln unter Verwendung lokaler Entscheidungskriterien.

Degree: 2003, Technische Universität Dortmund

 Betrachtet wird die Aufgabe der datenbasierten Modellierung von Prozessen für die Datenpunkte erhoben wurden. Jeder Datenpunkt besteht aus den Werten einer oder mehrerer Eingangsgrößen und… (more)

Subjects/Keywords: Cluster; Datenbasierte Modellierung; Modellierung; ROSA-Algorithmus; PNC 2-Algorithmus; Clusterverfahren; SMBC-Algorithmus; Regelbasiertes Lernverfahren; 620

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APA (6th Edition):

Haendel, L. (2003). Clusterverfahren zur datenbasierten Generierung interpretierbarer Regeln unter Verwendung lokaler Entscheidungskriterien. (Doctoral Dissertation). Technische Universität Dortmund. Retrieved from http://dx.doi.org/10.17877/DE290R-5277

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Haendel, Lars. “Clusterverfahren zur datenbasierten Generierung interpretierbarer Regeln unter Verwendung lokaler Entscheidungskriterien.” 2003. Doctoral Dissertation, Technische Universität Dortmund. Accessed February 27, 2021. http://dx.doi.org/10.17877/DE290R-5277.

MLA Handbook (7th Edition):

Haendel, Lars. “Clusterverfahren zur datenbasierten Generierung interpretierbarer Regeln unter Verwendung lokaler Entscheidungskriterien.” 2003. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Haendel L. Clusterverfahren zur datenbasierten Generierung interpretierbarer Regeln unter Verwendung lokaler Entscheidungskriterien. [Internet] [Doctoral dissertation]. Technische Universität Dortmund; 2003. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://dx.doi.org/10.17877/DE290R-5277.

Council of Science Editors:

Haendel L. Clusterverfahren zur datenbasierten Generierung interpretierbarer Regeln unter Verwendung lokaler Entscheidungskriterien. [Doctoral Dissertation]. Technische Universität Dortmund; 2003. Available from: http://dx.doi.org/10.17877/DE290R-5277

11. Garbi, Ahmed. Développement de nouveaux procédés d’isolation électrique par anodisation localisée du silicium : Development of a new process for electrical isolation of ULSI CMOS ciruits based on local anodization of silicium.

Degree: Docteur es, Dispositifs de l'électronique intégrée, 2011, INSA Lyon

L’industrie microélectronique est régie depuis plusieurs années par la loi de miniaturisation. En particulier, en technologie CMOS, les procédés de fabrication de l’oxyde permettant l’isolation… (more)

Subjects/Keywords: Microélectronique; Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS; Isolation électrique; Silicium poreux; Anodisation électrochimique; Anodisation locale; Spectrométrie de masse des ions secondaires; Recuit oxydant; Micro Electronics; CMOS - Complementary Metal Oxide SemiConductor; Electric Insulation; Silicium poreux; Anodisation électrochimique; Secondary-ion mass Spectrometry; Oxidative annealing; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Garbi, A. (2011). Développement de nouveaux procédés d’isolation électrique par anodisation localisée du silicium : Development of a new process for electrical isolation of ULSI CMOS ciruits based on local anodization of silicium. (Doctoral Dissertation). INSA Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2011ISAL0072

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Garbi, Ahmed. “Développement de nouveaux procédés d’isolation électrique par anodisation localisée du silicium : Development of a new process for electrical isolation of ULSI CMOS ciruits based on local anodization of silicium.” 2011. Doctoral Dissertation, INSA Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2011ISAL0072.

MLA Handbook (7th Edition):

Garbi, Ahmed. “Développement de nouveaux procédés d’isolation électrique par anodisation localisée du silicium : Development of a new process for electrical isolation of ULSI CMOS ciruits based on local anodization of silicium.” 2011. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Garbi A. Développement de nouveaux procédés d’isolation électrique par anodisation localisée du silicium : Development of a new process for electrical isolation of ULSI CMOS ciruits based on local anodization of silicium. [Internet] [Doctoral dissertation]. INSA Lyon; 2011. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2011ISAL0072.

Council of Science Editors:

Garbi A. Développement de nouveaux procédés d’isolation électrique par anodisation localisée du silicium : Development of a new process for electrical isolation of ULSI CMOS ciruits based on local anodization of silicium. [Doctoral Dissertation]. INSA Lyon; 2011. Available from: http://www.theses.fr/2011ISAL0072

12. Moulis, Sylvain. Lithographie par division de pas de réseau pour les circuits logiques avancés : Lithography pitch division network for advanced logic circuits.

Degree: Docteur es, Microélectronique, 2014, INSA Lyon

Aujourd'hui, les outils de lithographie utilisés dans l'industrie arrivent à leur limite de résolution en simple exposition. Pour continuer à diminuer les dimensions, il faut… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Composant électronique; Lithographie électronique; Sidewall Image Transfer - SIT; Directed Self-Assembly - DSA; Modélisation; Electronics; Electronic Component; Lithography; Sidewall Image Transfer - SIT; Directed Self-Assembly - DSA; Modelization; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Moulis, S. (2014). Lithographie par division de pas de réseau pour les circuits logiques avancés : Lithography pitch division network for advanced logic circuits. (Doctoral Dissertation). INSA Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2014ISAL0111

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Moulis, Sylvain. “Lithographie par division de pas de réseau pour les circuits logiques avancés : Lithography pitch division network for advanced logic circuits.” 2014. Doctoral Dissertation, INSA Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2014ISAL0111.

MLA Handbook (7th Edition):

Moulis, Sylvain. “Lithographie par division de pas de réseau pour les circuits logiques avancés : Lithography pitch division network for advanced logic circuits.” 2014. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Moulis S. Lithographie par division de pas de réseau pour les circuits logiques avancés : Lithography pitch division network for advanced logic circuits. [Internet] [Doctoral dissertation]. INSA Lyon; 2014. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2014ISAL0111.

Council of Science Editors:

Moulis S. Lithographie par division de pas de réseau pour les circuits logiques avancés : Lithography pitch division network for advanced logic circuits. [Doctoral Dissertation]. INSA Lyon; 2014. Available from: http://www.theses.fr/2014ISAL0111

13. Grandfond, Antonin. Etude de la fiabilité des mesures électriques par la microscopie à force atomique sur couches diélectriques ultra-minces : Développement d'une technique de pompage de charge résolue spatialement pour la caractérisation des défauts d'interface : Study of the reliability of the electrical measurements obtained by atomic force microscopy : Development of a charge pumping method with spatial resolution.

Degree: Docteur es, Eléctronique, 2014, INSA Lyon

Les progrès rapides de la microélectronique sont liées à la miniaturisation du transistor MOS. Pour limiter les courants de fuite, SiO2 a déjà été remplacé… (more)

Subjects/Keywords: Microélectronique; Transistor CMOS; Miniaturisation de composants; Microscopie de Force Atomique; Diélectrique ultar-Mince; Claquage électrique; Pompage de charge; Fiabilité de la mesure; Microelectronics; CMOS transistor; Miniaturization; Ultrathin dielectric; Dielectric breakdown; Measure reliability; Charge pumping; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Grandfond, A. (2014). Etude de la fiabilité des mesures électriques par la microscopie à force atomique sur couches diélectriques ultra-minces : Développement d'une technique de pompage de charge résolue spatialement pour la caractérisation des défauts d'interface : Study of the reliability of the electrical measurements obtained by atomic force microscopy : Development of a charge pumping method with spatial resolution. (Doctoral Dissertation). INSA Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2014ISAL0133

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Grandfond, Antonin. “Etude de la fiabilité des mesures électriques par la microscopie à force atomique sur couches diélectriques ultra-minces : Développement d'une technique de pompage de charge résolue spatialement pour la caractérisation des défauts d'interface : Study of the reliability of the electrical measurements obtained by atomic force microscopy : Development of a charge pumping method with spatial resolution.” 2014. Doctoral Dissertation, INSA Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2014ISAL0133.

MLA Handbook (7th Edition):

Grandfond, Antonin. “Etude de la fiabilité des mesures électriques par la microscopie à force atomique sur couches diélectriques ultra-minces : Développement d'une technique de pompage de charge résolue spatialement pour la caractérisation des défauts d'interface : Study of the reliability of the electrical measurements obtained by atomic force microscopy : Development of a charge pumping method with spatial resolution.” 2014. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Grandfond A. Etude de la fiabilité des mesures électriques par la microscopie à force atomique sur couches diélectriques ultra-minces : Développement d'une technique de pompage de charge résolue spatialement pour la caractérisation des défauts d'interface : Study of the reliability of the electrical measurements obtained by atomic force microscopy : Development of a charge pumping method with spatial resolution. [Internet] [Doctoral dissertation]. INSA Lyon; 2014. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2014ISAL0133.

Council of Science Editors:

Grandfond A. Etude de la fiabilité des mesures électriques par la microscopie à force atomique sur couches diélectriques ultra-minces : Développement d'une technique de pompage de charge résolue spatialement pour la caractérisation des défauts d'interface : Study of the reliability of the electrical measurements obtained by atomic force microscopy : Development of a charge pumping method with spatial resolution. [Doctoral Dissertation]. INSA Lyon; 2014. Available from: http://www.theses.fr/2014ISAL0133

14. Guillaume, Nicolas. Vers la réalisation de composants nanoélectroniques par anodisation localisée par AFM : Toward the realization of metalic nanoelectronic devices using local anodisation by AFM.

Degree: Docteur es, Electronique, micro et nanoélectronique, optique et laser, 2015, INSA Lyon

Ce travail de thèse se compose de deux parties : tout d’abord nous avons caractérisé sur le plan morphologique des motifs de TiOx réalisés par… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Nanoélectronique; Anodisation métallique; AFM - Atomic force microscopy; Couches minces; Résistivité électrique; Transport; Titane; Conduction ionique; Electronics; Nanoelectronics; Metal anodization; AFM - Atomic force microscopy; Titanium; Thin films; Resistivity; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Guillaume, N. (2015). Vers la réalisation de composants nanoélectroniques par anodisation localisée par AFM : Toward the realization of metalic nanoelectronic devices using local anodisation by AFM. (Doctoral Dissertation). INSA Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2015ISAL0127

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Guillaume, Nicolas. “Vers la réalisation de composants nanoélectroniques par anodisation localisée par AFM : Toward the realization of metalic nanoelectronic devices using local anodisation by AFM.” 2015. Doctoral Dissertation, INSA Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2015ISAL0127.

MLA Handbook (7th Edition):

Guillaume, Nicolas. “Vers la réalisation de composants nanoélectroniques par anodisation localisée par AFM : Toward the realization of metalic nanoelectronic devices using local anodisation by AFM.” 2015. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Guillaume N. Vers la réalisation de composants nanoélectroniques par anodisation localisée par AFM : Toward the realization of metalic nanoelectronic devices using local anodisation by AFM. [Internet] [Doctoral dissertation]. INSA Lyon; 2015. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2015ISAL0127.

Council of Science Editors:

Guillaume N. Vers la réalisation de composants nanoélectroniques par anodisation localisée par AFM : Toward the realization of metalic nanoelectronic devices using local anodisation by AFM. [Doctoral Dissertation]. INSA Lyon; 2015. Available from: http://www.theses.fr/2015ISAL0127

15. Collin, Louis-Michel. Intégration de microcanaux pour l'évacuation forcée de la chaleur au sein de puces 2D et 3D : Microchannel integration for forced heat removal on 2D and 3D chips.

Degree: Docteur es, Electronique, micro et nano-électronique, optique et laser, 2016, Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada)

En microélectronique, plusieurs tendances telles que l'empilement 3D et l'amincissement de puces amènent des défis thermiques grandissants. Ces défis sont exacerbés lorsqu'appliqués aux appareils mobiles… (more)

Subjects/Keywords: Microélectronique; Microfluidique; Microcanaux; Transfert de chaleur; Puces microélectroniques; Résistances therliques; Banc de caractérisation; Simulations numériques; Puces 3D; Microelectronics; Microfluidics; Microcanaux; Heat transfer; Microelectronic chips; Thermal resistance; Characterization bench; Numerical simulations; 3D chips; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Collin, L. (2016). Intégration de microcanaux pour l'évacuation forcée de la chaleur au sein de puces 2D et 3D : Microchannel integration for forced heat removal on 2D and 3D chips. (Doctoral Dissertation). Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada). Retrieved from http://www.theses.fr/2016LYSEI074

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Collin, Louis-Michel. “Intégration de microcanaux pour l'évacuation forcée de la chaleur au sein de puces 2D et 3D : Microchannel integration for forced heat removal on 2D and 3D chips.” 2016. Doctoral Dissertation, Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada). Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2016LYSEI074.

MLA Handbook (7th Edition):

Collin, Louis-Michel. “Intégration de microcanaux pour l'évacuation forcée de la chaleur au sein de puces 2D et 3D : Microchannel integration for forced heat removal on 2D and 3D chips.” 2016. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Collin L. Intégration de microcanaux pour l'évacuation forcée de la chaleur au sein de puces 2D et 3D : Microchannel integration for forced heat removal on 2D and 3D chips. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada); 2016. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2016LYSEI074.

Council of Science Editors:

Collin L. Intégration de microcanaux pour l'évacuation forcée de la chaleur au sein de puces 2D et 3D : Microchannel integration for forced heat removal on 2D and 3D chips. [Doctoral Dissertation]. Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada); 2016. Available from: http://www.theses.fr/2016LYSEI074

16. Nadaud, Camille. Amélioration de la solubilité de principes actifs BCS classe 2 par obtention de dispersions solides : Solubility enhancement of poorly soluble API by solid dispersion.

Degree: Docteur es, Génie des Procédés et de l'Environnement, 2016, Ecole nationale des Mines d'Albi-Carmaux

En raison de leur complexité croissante, la solubilité des nouvelles entités chimiques en milieu aqueux est de plus en plus faible. Ainsi, le développement de… (more)

Subjects/Keywords: Solution solide; Dispersion solide; Hot melt extrusion; Atomisation; Amélioration de la solubilité; Actif pharmaceutique BCS classe 2; Dispersion technology; Solid dispersion; Hot melt extrusion; Atomization; Solubility enhancement; Poorly water soluble drug; 620

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APA (6th Edition):

Nadaud, C. (2016). Amélioration de la solubilité de principes actifs BCS classe 2 par obtention de dispersions solides : Solubility enhancement of poorly soluble API by solid dispersion. (Doctoral Dissertation). Ecole nationale des Mines d'Albi-Carmaux. Retrieved from http://www.theses.fr/2016EMAC0001

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Nadaud, Camille. “Amélioration de la solubilité de principes actifs BCS classe 2 par obtention de dispersions solides : Solubility enhancement of poorly soluble API by solid dispersion.” 2016. Doctoral Dissertation, Ecole nationale des Mines d'Albi-Carmaux. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2016EMAC0001.

MLA Handbook (7th Edition):

Nadaud, Camille. “Amélioration de la solubilité de principes actifs BCS classe 2 par obtention de dispersions solides : Solubility enhancement of poorly soluble API by solid dispersion.” 2016. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Nadaud C. Amélioration de la solubilité de principes actifs BCS classe 2 par obtention de dispersions solides : Solubility enhancement of poorly soluble API by solid dispersion. [Internet] [Doctoral dissertation]. Ecole nationale des Mines d'Albi-Carmaux; 2016. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2016EMAC0001.

Council of Science Editors:

Nadaud C. Amélioration de la solubilité de principes actifs BCS classe 2 par obtention de dispersions solides : Solubility enhancement of poorly soluble API by solid dispersion. [Doctoral Dissertation]. Ecole nationale des Mines d'Albi-Carmaux; 2016. Available from: http://www.theses.fr/2016EMAC0001


ETH Zürich

17. Hennel, Szymon. Tunneling, Spin Dynamics and Interference at the Fractional Quantum Hall Edge.

Degree: 2018, ETH Zürich

 The quantum Hall effect, the first topological quantum phase of matter ever observed, remains today an important framework for the advancement of fundamental physics. With… (more)

Subjects/Keywords: Physics; quantum Hall effect; Fractional quantum Hall effect; NANOSTRUCTURE (CONDENSED MATTER PHYSICS); semiconductor devices; Luttinger liquid; Two-dimensional electron gas (2-DEG); quantum Hall edge channels; Spin dynamics; Quantum tunneling; interference; info:eu-repo/classification/ddc/620; info:eu-repo/classification/ddc/530; Engineering & allied operations; Physics

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APA (6th Edition):

Hennel, S. (2018). Tunneling, Spin Dynamics and Interference at the Fractional Quantum Hall Edge. (Doctoral Dissertation). ETH Zürich. Retrieved from http://hdl.handle.net/20.500.11850/344449

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Hennel, Szymon. “Tunneling, Spin Dynamics and Interference at the Fractional Quantum Hall Edge.” 2018. Doctoral Dissertation, ETH Zürich. Accessed February 27, 2021. http://hdl.handle.net/20.500.11850/344449.

MLA Handbook (7th Edition):

Hennel, Szymon. “Tunneling, Spin Dynamics and Interference at the Fractional Quantum Hall Edge.” 2018. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Hennel S. Tunneling, Spin Dynamics and Interference at the Fractional Quantum Hall Edge. [Internet] [Doctoral dissertation]. ETH Zürich; 2018. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://hdl.handle.net/20.500.11850/344449.

Council of Science Editors:

Hennel S. Tunneling, Spin Dynamics and Interference at the Fractional Quantum Hall Edge. [Doctoral Dissertation]. ETH Zürich; 2018. Available from: http://hdl.handle.net/20.500.11850/344449

18. Guenery, Pierre-Vincent. Nanostructures d’oxyde d’indium pour les mémoires résistives RRAM intégrées en CMOS Back-End-Of-Line : Indium oxide nanoparticles for resistive non-volatile memory compatible with CMOS Back-end off line.

Degree: Docteur es, Nanoélectronique, 2019, Lyon

Les mémoires informatiques actuelles qui ne sont que l'extrême miniaturisation de la technologie développée dans les années 1960, atteignent des limites technologiques difficilement surmontables techniquement… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Mémoire non volatile - MNV; Mémoires résistives OxRRAM; Nanoparticules; Oxyde d'indium; Caractérisation électrique; Transistor; Conduction électrique; Electronic Engineering; Non Volatile Memory; OxRRAM resistive memory; Nanoparticles; Indium oxide; Electrical characterisation; Transistor; Electrical conductivity; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Guenery, P. (2019). Nanostructures d’oxyde d’indium pour les mémoires résistives RRAM intégrées en CMOS Back-End-Of-Line : Indium oxide nanoparticles for resistive non-volatile memory compatible with CMOS Back-end off line. (Doctoral Dissertation). Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2019LYSEI114

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Guenery, Pierre-Vincent. “Nanostructures d’oxyde d’indium pour les mémoires résistives RRAM intégrées en CMOS Back-End-Of-Line : Indium oxide nanoparticles for resistive non-volatile memory compatible with CMOS Back-end off line.” 2019. Doctoral Dissertation, Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2019LYSEI114.

MLA Handbook (7th Edition):

Guenery, Pierre-Vincent. “Nanostructures d’oxyde d’indium pour les mémoires résistives RRAM intégrées en CMOS Back-End-Of-Line : Indium oxide nanoparticles for resistive non-volatile memory compatible with CMOS Back-end off line.” 2019. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Guenery P. Nanostructures d’oxyde d’indium pour les mémoires résistives RRAM intégrées en CMOS Back-End-Of-Line : Indium oxide nanoparticles for resistive non-volatile memory compatible with CMOS Back-end off line. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; 2019. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2019LYSEI114.

Council of Science Editors:

Guenery P. Nanostructures d’oxyde d’indium pour les mémoires résistives RRAM intégrées en CMOS Back-End-Of-Line : Indium oxide nanoparticles for resistive non-volatile memory compatible with CMOS Back-end off line. [Doctoral Dissertation]. Lyon; 2019. Available from: http://www.theses.fr/2019LYSEI114

19. Hourani, Wael. Caractérisation des courants de fuite à l'échelle nanométrique dans les couches ultra-minces d'oxydes pour la microélectronique : Nanoscale characterization of leakage currents in ultra-thin oxide layers for microelectronics.

Degree: Docteur es, Dispositifs de l'Electronique Intégrée, 2011, INSA Lyon

La miniaturisation de la structure de transistor MOS a conduit à l'amincissement de l’oxyde de grille. Ainsi, la dégradation et le claquage sous contrainte électrique… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Transistor Métal-Oxyde-Semiconducteur - MOS; Microscopie à Force Atomique - AFM; Couche mince d'oxyde; Microscopie à Force Atomique Tunnel - TUNA; Courant de fuite; Courant tunnel; Tunnel Fowler-Nordheim; Hillocks; Microélectronique; Electronics; MOS - Metal Oxide SemiConductor - Component; AFM - Atomic force microscopy; AFM - Atomic Force Microscopy - Tunnelling; Leakage current; Tunnelling current; Tunnel Fowler-Nordheim; Hillocks; Microelectronics; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Hourani, W. (2011). Caractérisation des courants de fuite à l'échelle nanométrique dans les couches ultra-minces d'oxydes pour la microélectronique : Nanoscale characterization of leakage currents in ultra-thin oxide layers for microelectronics. (Doctoral Dissertation). INSA Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2011ISAL0109

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Hourani, Wael. “Caractérisation des courants de fuite à l'échelle nanométrique dans les couches ultra-minces d'oxydes pour la microélectronique : Nanoscale characterization of leakage currents in ultra-thin oxide layers for microelectronics.” 2011. Doctoral Dissertation, INSA Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2011ISAL0109.

MLA Handbook (7th Edition):

Hourani, Wael. “Caractérisation des courants de fuite à l'échelle nanométrique dans les couches ultra-minces d'oxydes pour la microélectronique : Nanoscale characterization of leakage currents in ultra-thin oxide layers for microelectronics.” 2011. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Hourani W. Caractérisation des courants de fuite à l'échelle nanométrique dans les couches ultra-minces d'oxydes pour la microélectronique : Nanoscale characterization of leakage currents in ultra-thin oxide layers for microelectronics. [Internet] [Doctoral dissertation]. INSA Lyon; 2011. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2011ISAL0109.

Council of Science Editors:

Hourani W. Caractérisation des courants de fuite à l'échelle nanométrique dans les couches ultra-minces d'oxydes pour la microélectronique : Nanoscale characterization of leakage currents in ultra-thin oxide layers for microelectronics. [Doctoral Dissertation]. INSA Lyon; 2011. Available from: http://www.theses.fr/2011ISAL0109

20. Newby, Pascal. Fabrication de semiconducteurs poreux pour améliorer l'isolation thermique des MEMS : Fabrication of porous semicondutors for improved thermal insulation in MEMS.

Degree: Docteur es, Micro et nano technologies, 2013, INSA Lyon

L'isolation thermique est essentielle dans de nombreux types de MEMS (micro-systèmes électro-mécaniques). Selon le type de dispositif, l'isolation permet de réduire la consommation d'énergie, diminuer… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Système micro électromécanique - MEMS; Consommation énergétique; Carbure de silicium poreux; Silicium poreaux; Isolation thermique; Irradiation aux ions lourds; Conductivité thermique; Résistance chimique; Tenue en température; Electronics; MEMS - Micro Electro Mechanical System; Porous silicon carbide; Porous Silicon; Thermal insulation; Heavy ion irradiation; Thermal conductivity; Chemical resistance; High-temperature behaviour; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Newby, P. (2013). Fabrication de semiconducteurs poreux pour améliorer l'isolation thermique des MEMS : Fabrication of porous semicondutors for improved thermal insulation in MEMS. (Doctoral Dissertation). INSA Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2013ISAL0154

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Newby, Pascal. “Fabrication de semiconducteurs poreux pour améliorer l'isolation thermique des MEMS : Fabrication of porous semicondutors for improved thermal insulation in MEMS.” 2013. Doctoral Dissertation, INSA Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2013ISAL0154.

MLA Handbook (7th Edition):

Newby, Pascal. “Fabrication de semiconducteurs poreux pour améliorer l'isolation thermique des MEMS : Fabrication of porous semicondutors for improved thermal insulation in MEMS.” 2013. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Newby P. Fabrication de semiconducteurs poreux pour améliorer l'isolation thermique des MEMS : Fabrication of porous semicondutors for improved thermal insulation in MEMS. [Internet] [Doctoral dissertation]. INSA Lyon; 2013. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2013ISAL0154.

Council of Science Editors:

Newby P. Fabrication de semiconducteurs poreux pour améliorer l'isolation thermique des MEMS : Fabrication of porous semicondutors for improved thermal insulation in MEMS. [Doctoral Dissertation]. INSA Lyon; 2013. Available from: http://www.theses.fr/2013ISAL0154

21. Wang, Lin. Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy : Profilage porteur de structures de nanofils ZnO par microscopie à capacité de balayage et microscopie à dispersion.

Degree: Docteur es, Matériaux, 2016, Lyon

Ce travail de thèse porte sur l'application des techniques Scanning Capacitance Microscopy (SCM) et Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) pour la caractérisation électrique de nanofils… (more)

Subjects/Keywords: Electronique; Semiconducteur; Matériaux pour l'électronique; Nanofils ZNO; Microscopie à sonde locale; Scanning capacitance Microscopy - SCM; Scanning Spreading Resistance Microcopy - SSRM; Propriétés électr; Propriétés optoélectroniques; Dopage de type p; Nanoélectronique; Electronics; SemiConductors; Electronic Materials; Scanning capacitance Microscopy - SCM; Scanning Spreading Resistance Microcopy - SSRM; ZNO nanowires; Scanning Probe Microscopy - SPM; Electrical properties.; P-Type doping; Nanoelectronics; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Wang, L. (2016). Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy : Profilage porteur de structures de nanofils ZnO par microscopie à capacité de balayage et microscopie à dispersion. (Doctoral Dissertation). Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2016LYSEI031

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Wang, Lin. “Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy : Profilage porteur de structures de nanofils ZnO par microscopie à capacité de balayage et microscopie à dispersion.” 2016. Doctoral Dissertation, Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2016LYSEI031.

MLA Handbook (7th Edition):

Wang, Lin. “Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy : Profilage porteur de structures de nanofils ZnO par microscopie à capacité de balayage et microscopie à dispersion.” 2016. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Wang L. Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy : Profilage porteur de structures de nanofils ZnO par microscopie à capacité de balayage et microscopie à dispersion. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; 2016. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2016LYSEI031.

Council of Science Editors:

Wang L. Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy : Profilage porteur de structures de nanofils ZnO par microscopie à capacité de balayage et microscopie à dispersion. [Doctoral Dissertation]. Lyon; 2016. Available from: http://www.theses.fr/2016LYSEI031

22. Martin, Simon. Caractérisation électrique multi-échelle d'oxydes minces ferroélectriques : Multi-scale electrical characterization of ferroelectric thin films.

Degree: Docteur es, Electronique, micro et nanoélectronique, 2016, Lyon

Les matériaux ferroélectriques sont des matériaux qui possèdent une polarisation spontanée en l'absence de champ électrique, leur conférant plusieurs propriétés intéressantes du point de vue… (more)

Subjects/Keywords: Microélectronique; Nanoelectronique; Oxydes ferroélectriques; Couches minces; Couches minces ferroélectriques; Caractérisation électrique; Courant de fuite; Microscopie à Force Atomique; Piezoresponse Force Microscopy - PFM; Mesure polarisation rémanente nanométrique - nano-PUND; Titano-Zirconate de plomb - Pb(Zr, Ti)O3; Titanate de Baryum - BaTiO3; Ferrite de galium - GaFeO3; Microelectronics; Nanoelectronics; Ferroelectric oxide; Thin Layer; Electrical characterisation; Leakage current; Atomic Force Microscopy; Piezoresponse Force Microscopy - PFM; Remnent polarisation measurement - nano-PUND; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Martin, S. (2016). Caractérisation électrique multi-échelle d'oxydes minces ferroélectriques : Multi-scale electrical characterization of ferroelectric thin films. (Doctoral Dissertation). Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2016LYSEI145

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Martin, Simon. “Caractérisation électrique multi-échelle d'oxydes minces ferroélectriques : Multi-scale electrical characterization of ferroelectric thin films.” 2016. Doctoral Dissertation, Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2016LYSEI145.

MLA Handbook (7th Edition):

Martin, Simon. “Caractérisation électrique multi-échelle d'oxydes minces ferroélectriques : Multi-scale electrical characterization of ferroelectric thin films.” 2016. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Martin S. Caractérisation électrique multi-échelle d'oxydes minces ferroélectriques : Multi-scale electrical characterization of ferroelectric thin films. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; 2016. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2016LYSEI145.

Council of Science Editors:

Martin S. Caractérisation électrique multi-échelle d'oxydes minces ferroélectriques : Multi-scale electrical characterization of ferroelectric thin films. [Doctoral Dissertation]. Lyon; 2016. Available from: http://www.theses.fr/2016LYSEI145

23. Moreno Villavicencio, Maiglid Andreina. Development of 3D high-resolution imaging of complex devices by the correlation of ToF-SIMS and AFM : Développement de l’imagerie 3D haute résolution par ToF-SIMS et AFM de dispositifs avancés.

Degree: Docteur es, Micro et nano technologies, 2019, Lyon

La miniaturisation continue et la complexité des dispositifs poussent les techniques existantes de nano-caractérisation à leurs limites. De ce fait, la combinaison de ces techniques… (more)

Subjects/Keywords: Electronique des micro-Ondes; AFM - Atomic force microscopy; ToF-SIMS; Caractérisation chimique; Caractérisation 3D; Piezoresponse Force Microscopy - PFM; Scanning capacitance Microscopy - SCM; Scanning spreading resistance microscopy; Electronique des micro-Ondes; Reconstruction 3D; Visualisation 3D; Cartographie des vitesses de pulvérisation; Imagerie 3D; Electronic Engineering; AFM - Atomic force microscopy; ToF-SIMS; Chemical Characterization; 3D Characterization; PFM - Piezoresponse Force Microscopy; SCM - Scanning Capacitance Microscopy; Microwave Electronics; 3D Reconstruction; 3D visualization; Sputter rate map; 3D Imaging; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Moreno Villavicencio, M. A. (2019). Development of 3D high-resolution imaging of complex devices by the correlation of ToF-SIMS and AFM : Développement de l’imagerie 3D haute résolution par ToF-SIMS et AFM de dispositifs avancés. (Doctoral Dissertation). Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2019LYSEI122

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Moreno Villavicencio, Maiglid Andreina. “Development of 3D high-resolution imaging of complex devices by the correlation of ToF-SIMS and AFM : Développement de l’imagerie 3D haute résolution par ToF-SIMS et AFM de dispositifs avancés.” 2019. Doctoral Dissertation, Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2019LYSEI122.

MLA Handbook (7th Edition):

Moreno Villavicencio, Maiglid Andreina. “Development of 3D high-resolution imaging of complex devices by the correlation of ToF-SIMS and AFM : Développement de l’imagerie 3D haute résolution par ToF-SIMS et AFM de dispositifs avancés.” 2019. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Moreno Villavicencio MA. Development of 3D high-resolution imaging of complex devices by the correlation of ToF-SIMS and AFM : Développement de l’imagerie 3D haute résolution par ToF-SIMS et AFM de dispositifs avancés. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; 2019. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2019LYSEI122.

Council of Science Editors:

Moreno Villavicencio MA. Development of 3D high-resolution imaging of complex devices by the correlation of ToF-SIMS and AFM : Développement de l’imagerie 3D haute résolution par ToF-SIMS et AFM de dispositifs avancés. [Doctoral Dissertation]. Lyon; 2019. Available from: http://www.theses.fr/2019LYSEI122

24. Pelloquin, Sylvain. LaAlO3 amorphe déposé par épitaxie par jets moléculaires sur silicium comme alternative pour la grille high-κ des transistors CMOS : Amorphous LaAlO3 deposited by molecular beam epitaxy on silicium as alternative high-κ gate in CMOS transistors.

Degree: Docteur es, Dispositifs de l'électronique intégrée, 2011, INSA Lyon

Depuis l'invention du transistor MOS à effet de champ dans les années 60, l'exploitation de cette brique élémentaire a permis une évolution exponentielle du domaine… (more)

Subjects/Keywords: Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS; Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée; Dielectric high K; Equivalent Oxide Thickness - EOT; Epitaxie par jet moléculaire - MBE; Diffraction RHEED - Reflection high-Energy Electron diffraction; Microscopie à Force Atomique; Microscopie électronique en transmission; Spectroscopie de photoélectrons; Réflectivite des rayons X - XRR; Oxygène atomique; Oxyde de Hafnium - HfO2; CMOS - Complementary Metal Oxide SemiConductor; MOSFET - Metal Oxide SemiConductor Field Effect - Transistor; Dielectric high K; EOT - Equivalent Oxide Thickness; MBE - Molecular Beam Epitaxy; RHEED - Reflection High Energy Electron Diffraction; Electronic Transmission Microscopy; Photo Electron Spectroscopy; XRR - X-ray reflectivity; Atomic oxygen; Hafnium Oxide - HfO2; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Pelloquin, S. (2011). LaAlO3 amorphe déposé par épitaxie par jets moléculaires sur silicium comme alternative pour la grille high-κ des transistors CMOS : Amorphous LaAlO3 deposited by molecular beam epitaxy on silicium as alternative high-κ gate in CMOS transistors. (Doctoral Dissertation). INSA Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2011ISAL0051

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Pelloquin, Sylvain. “LaAlO3 amorphe déposé par épitaxie par jets moléculaires sur silicium comme alternative pour la grille high-κ des transistors CMOS : Amorphous LaAlO3 deposited by molecular beam epitaxy on silicium as alternative high-κ gate in CMOS transistors.” 2011. Doctoral Dissertation, INSA Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2011ISAL0051.

MLA Handbook (7th Edition):

Pelloquin, Sylvain. “LaAlO3 amorphe déposé par épitaxie par jets moléculaires sur silicium comme alternative pour la grille high-κ des transistors CMOS : Amorphous LaAlO3 deposited by molecular beam epitaxy on silicium as alternative high-κ gate in CMOS transistors.” 2011. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Pelloquin S. LaAlO3 amorphe déposé par épitaxie par jets moléculaires sur silicium comme alternative pour la grille high-κ des transistors CMOS : Amorphous LaAlO3 deposited by molecular beam epitaxy on silicium as alternative high-κ gate in CMOS transistors. [Internet] [Doctoral dissertation]. INSA Lyon; 2011. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2011ISAL0051.

Council of Science Editors:

Pelloquin S. LaAlO3 amorphe déposé par épitaxie par jets moléculaires sur silicium comme alternative pour la grille high-κ des transistors CMOS : Amorphous LaAlO3 deposited by molecular beam epitaxy on silicium as alternative high-κ gate in CMOS transistors. [Doctoral Dissertation]. INSA Lyon; 2011. Available from: http://www.theses.fr/2011ISAL0051

25. Stragier, Anne-Sophie. Elaboration et caractérisation de structures Silicium-sur-Isolant réalisées par la technologie Smart Cut™ avec une couche fragile enterrée en silicium poreux : Elaboration and characterization of Silicon-On-Insulator structures made by the Smart Cut™ technology with a weak embedded porous silicon layer.

Degree: Docteur es, Electronique, électrotechnique, automatique, 2011, INSA Lyon

Au vu des limitations rencontrées par la miniaturisation des circuits microélectroniques, l’augmentation de performances des systèmes repose largement aujourd’hui sur la fabrication d’empilements de couches… (more)

Subjects/Keywords: Génie électronique; Microélectronique; Empilement de couches minces; Transfert de couche mince; Technologie smart cut; SOPL - Silicon on porous layer; Porosification du silicium; Anodisation électrochimique; Structure sur Silicium; Silicium sur isolant - SOI; Structure temporaire; Double report de couche; Film mince; Couche mince de Silicium monocristallin; Imageur à matrice de Silicium; Photovoltaique; Electronic Engineering; Micro Electronics; Thin Layer Transfer; Smart cut; SOPL - Silicon on porous layer; Porous Silicon Layer; Electrochemical Anodization; On Silicon Structure; SOI - Silicon On Insulator; Double layer transfer; Single Crystal Silicon Thin Layer; Silicon Mesh Imaging System; Photovoltaics; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Stragier, A. (2011). Elaboration et caractérisation de structures Silicium-sur-Isolant réalisées par la technologie Smart Cut™ avec une couche fragile enterrée en silicium poreux : Elaboration and characterization of Silicon-On-Insulator structures made by the Smart Cut™ technology with a weak embedded porous silicon layer. (Doctoral Dissertation). INSA Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2011ISAL0108

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Stragier, Anne-Sophie. “Elaboration et caractérisation de structures Silicium-sur-Isolant réalisées par la technologie Smart Cut™ avec une couche fragile enterrée en silicium poreux : Elaboration and characterization of Silicon-On-Insulator structures made by the Smart Cut™ technology with a weak embedded porous silicon layer.” 2011. Doctoral Dissertation, INSA Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2011ISAL0108.

MLA Handbook (7th Edition):

Stragier, Anne-Sophie. “Elaboration et caractérisation de structures Silicium-sur-Isolant réalisées par la technologie Smart Cut™ avec une couche fragile enterrée en silicium poreux : Elaboration and characterization of Silicon-On-Insulator structures made by the Smart Cut™ technology with a weak embedded porous silicon layer.” 2011. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Stragier A. Elaboration et caractérisation de structures Silicium-sur-Isolant réalisées par la technologie Smart Cut™ avec une couche fragile enterrée en silicium poreux : Elaboration and characterization of Silicon-On-Insulator structures made by the Smart Cut™ technology with a weak embedded porous silicon layer. [Internet] [Doctoral dissertation]. INSA Lyon; 2011. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2011ISAL0108.

Council of Science Editors:

Stragier A. Elaboration et caractérisation de structures Silicium-sur-Isolant réalisées par la technologie Smart Cut™ avec une couche fragile enterrée en silicium poreux : Elaboration and characterization of Silicon-On-Insulator structures made by the Smart Cut™ technology with a weak embedded porous silicon layer. [Doctoral Dissertation]. INSA Lyon; 2011. Available from: http://www.theses.fr/2011ISAL0108

26. Pic, Axel. Numerical and experimental investigations of self-heating phenomena in 3D Hybrid Bonding imaging technologies : Etudes numériques et expérimentales des phénomènes d'auto-échauffement dans les technologies d'imagerie 3D par collage hybride.

Degree: Docteur es, Energétique/Thermique, 2019, Lyon

Dans cette thèse, les phénomènes d’auto-échauffement ont été étudié pour guider la conception de circuits intégrés 3D de nouvelle génération. Grâce à des études expérimentales… (more)

Subjects/Keywords: Physique; Thermique; Nanoscience; Microélectronique; Circuits intégrés; Collage hybride; Imageur; Température; Conductivité thermique; Transfert thermique; Résistance thermique; Conductance thermique; Résistance Kapitza; Dioxyde de silicium; Nitrure; Low-K; Dissipation thermique; Point chaud; Electromigration; Microscopie thermique; Sthm; Palladium; Infrarouge; Modélisation FEM; Modèlisation multi-Échelles; Physics; Nanoscience; Microelectronics; Integrated circuits; 3D model; Hybrid bonding; Mager; Temperature; Thermal conductivity; Heat transfer; Thermal resistance; Thermal conductance; Kapitza resistance; Silicon dioxide; Hotspot; Electromigration; Cooling System; SThM - Scanning Thermal Microscopy; Palladium; Wollaston; Thermoresistive; Heater; Sensor; BEOL - Back-End-Of-Line; FEOL - Front-End-Of-Line; Photodiode; Pixel; Dark current; FEM - Finite Element Modelling; Multiscale; AMM - Acoustic Mismatch model; DMM - Diffuse Mismatch Model; 621.381 620 107 2

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APA (6th Edition):

Pic, A. (2019). Numerical and experimental investigations of self-heating phenomena in 3D Hybrid Bonding imaging technologies : Etudes numériques et expérimentales des phénomènes d'auto-échauffement dans les technologies d'imagerie 3D par collage hybride. (Doctoral Dissertation). Lyon. Retrieved from http://www.theses.fr/2019LYSEI054

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Pic, Axel. “Numerical and experimental investigations of self-heating phenomena in 3D Hybrid Bonding imaging technologies : Etudes numériques et expérimentales des phénomènes d'auto-échauffement dans les technologies d'imagerie 3D par collage hybride.” 2019. Doctoral Dissertation, Lyon. Accessed February 27, 2021. http://www.theses.fr/2019LYSEI054.

MLA Handbook (7th Edition):

Pic, Axel. “Numerical and experimental investigations of self-heating phenomena in 3D Hybrid Bonding imaging technologies : Etudes numériques et expérimentales des phénomènes d'auto-échauffement dans les technologies d'imagerie 3D par collage hybride.” 2019. Web. 27 Feb 2021.

Vancouver:

Pic A. Numerical and experimental investigations of self-heating phenomena in 3D Hybrid Bonding imaging technologies : Etudes numériques et expérimentales des phénomènes d'auto-échauffement dans les technologies d'imagerie 3D par collage hybride. [Internet] [Doctoral dissertation]. Lyon; 2019. [cited 2021 Feb 27]. Available from: http://www.theses.fr/2019LYSEI054.

Council of Science Editors:

Pic A. Numerical and experimental investigations of self-heating phenomena in 3D Hybrid Bonding imaging technologies : Etudes numériques et expérimentales des phénomènes d'auto-échauffement dans les technologies d'imagerie 3D par collage hybride. [Doctoral Dissertation]. Lyon; 2019. Available from: http://www.theses.fr/2019LYSEI054

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