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Universidade Estadual de Campinas

1. Barbieri, Paulo Fernando. Propriedades eletr?nicas e estruturais do xen?nio implantado em sil?cio amorfo .

Degree: 2009, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Esta tese mostra um estudo realizado sobre implanta??o de xen?nio (Xe) em uma matriz amorfa de sil?cio (a-Si) utilizando a t?cnica de Deposi??o Assistida com Feixe de ?ons (IBAD). Para esta finalidade, um feixe de ?ons de Xe com energia de 1500 eV, obtido de um canh?o tipo Kaufman, foi utilizado para a realiza??o de sputtering de um alvo de sil?cio, produzindo um filme de a-Si em um substrato colocado a 15 cm de dist?ncia via deposi??o. Ao mesmo tempo outro feixe de ?ons de Xe, obtido por um segundo canh?o de energia vari?vel (0 a 300 eV), implantava ?tomos na rede do a-Si que estava em forma??o. Foi poss?vel implantar concentra??es de xen?nio de at? 5% com energia da ordem de 50 eV. Esta energia de implanta??o ? de v?rias ordens de grandeza menor do que a energia utilizada no processo convencional de implanta??o que utiliza valores de energia de ordem de milhares de eV. Para investigar o Xe dentro da matriz amorfa de Si foram utilizadas t?cnicas de excita??es at?micas XAS (X-Ray Absorption Spectroscopy), XPS (X-Ray Photoelectron Spectroscopy) e XAES (X-Ray Auger Excited Spectroscopy) e tamb?m simula??es te?ricas para XAS. Os resultados experimentais de XAS indicam que os ?tomos de Xe s?o implantados majoritariamente de forma dispersa pela matriz, isolados dentro de defeitos estruturais. Medidas de XPS mostram que os n?veis eletr?nicos de caro?o dos ?tomos de xen?nio s?o alterados em fun??o do s?tio de aprisionamento, que por sua vez, est?o relacionados com a energia de implanta??o. Um estudo utilizando uma combina??o de XPS e XAES permitiu identificar e separar as contribui??es relativas ?s altera??es eletr?nicas observadas nos ?tomos de Xe devido a inser??o deles dentro do a-Si. A an?lise destes resultados, XPS/XAES, forneceu ind?cios sobre os tamanhos das cavidades hospedeiras dos ?tomos de Xe. Simula??es te?ricas de XAS foram bastante satisfat?rias e corroboram com as observa??es realizadas por XPS/XAES e indicam timidamente forma??es de aglomerados para alguns casos, ou seja, minoritariamente. Dependendo da energia de implanta??o, a din?mica de crescimento do filme ? alterada possibilitando estruturas diferentes na matriz. Foi tamb?m constatado que o aumento da densidade do a-Si por efeito de compacta??o pode ser mascarado pela introdu??o de elementos com massas relativamente grandes, como por exemplo, Xe; Abstract: A study of xenon (Xe) implantation in amorphous silicon (a-Si) by Ion Beam Assisted Deposition (IBAD) technique is investigated in this thesis. A Xe ion beam with energy of 1500 eV, obtained from a Kaufman gun, was used for sputtering a Si target, depositing an a-Si film on the substrate holder placed 15 cm apart. Simultaneously, another Xe beam with variable energy (0 ? 300 eV), was used to bombard the a-Si for the implantation of Xe atoms. It was obtained Xenon concentration up to 5%, using energy as low as 50 eV, which is orders of magnitude smaller than those usually used by conventional implantation, that requires thousands of eV. For the investigation of the Xe atoms in the a-Si… Advisors/Committee Members: Marques, Francisco das Chagas, 1957- (advisor), Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de (committee member), Landers, Richard (committee member), Farfan, Ana Melva Cmpi (committee member), Lacerda, Monica de Mesquita (committee member).

Subjects/Keywords: Xen?nio; Implanta??o assistida; Excita??es at?micas; Sil?cio amorfo

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APA (6th Edition):

Barbieri, P. F. (2009). Propriedades eletr?nicas e estruturais do xen?nio implantado em sil?cio amorfo . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277731

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Barbieri, Paulo Fernando. “Propriedades eletr?nicas e estruturais do xen?nio implantado em sil?cio amorfo .” 2009. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed May 29, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277731.

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MLA Handbook (7th Edition):

Barbieri, Paulo Fernando. “Propriedades eletr?nicas e estruturais do xen?nio implantado em sil?cio amorfo .” 2009. Web. 29 May 2020.

Vancouver:

Barbieri PF. Propriedades eletr?nicas e estruturais do xen?nio implantado em sil?cio amorfo . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2009. [cited 2020 May 29]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277731.

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Council of Science Editors:

Barbieri PF. Propriedades eletr?nicas e estruturais do xen?nio implantado em sil?cio amorfo . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2009. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277731

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