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You searched for subject:( Lasers semicondutores). Showing records 1 – 30 of 58 total matches.

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Universidade Estadual de Campinas

1. Weinketz, Sieghard. Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas .

Degree: 1988, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: São feitos estudos de simulação de lasers semicondutores visando a obtenção do valor corrente limiar em função das dimensões do dispositivo, para o caso… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores

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APA (6th Edition):

Weinketz, S. (1988). Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277780

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Weinketz, Sieghard. “Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas .” 1988. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277780.

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MLA Handbook (7th Edition):

Weinketz, Sieghard. “Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas .” 1988. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Weinketz S. Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1988. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277780.

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Council of Science Editors:

Weinketz S. Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1988. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277780

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Universidade Estadual de Campinas

2. Bossi, Reusi Ines. Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação .

Degree: 1977, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Campos, Marcio D'Olne, 1943- (advisor).

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores

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APA (6th Edition):

Bossi, R. I. (1977). Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278248

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Bossi, Reusi Ines. “Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação .” 1977. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278248.

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MLA Handbook (7th Edition):

Bossi, Reusi Ines. “Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação .” 1977. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Bossi RI. Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1977. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278248.

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Council of Science Editors:

Bossi RI. Estudo de anomalias na potência radiada por lasers de junção semicondutora em função da excitação . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1977. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278248

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Universidade Estadual de Campinas

3. Camilo Junior, Alexandre. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE .

Degree: 1990, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo do crescimento de InP sobre InP pela técnica de Epitaxia Química em Vácuo, utilizando o sistema construído no LPD/DFA-UNICAMP.… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Lasers

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APA (6th Edition):

Camilo Junior, A. (1990). Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Camilo Junior, Alexandre. “Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE .” 1990. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447.

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MLA Handbook (7th Edition):

Camilo Junior, Alexandre. “Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE .” 1990. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Camilo Junior A. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447.

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Council of Science Editors:

Camilo Junior A. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447

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Universidade Estadual de Campinas

4. Morosini, Antonio Carlos. Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor .

Degree: 1975, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Campos, Marcio D'Olne, 1943- (advisor).

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores

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APA (6th Edition):

Morosini, A. C. (1975). Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278319

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Morosini, Antonio Carlos. “Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor .” 1975. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278319.

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MLA Handbook (7th Edition):

Morosini, Antonio Carlos. “Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor .” 1975. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Morosini AC. Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1975. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278319.

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Council of Science Editors:

Morosini AC. Estudo sobre autopulso em lasers de semicondutor . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1975. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278319

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Universidade Estadual de Campinas

5. Nassar, Antonio Boulhosa. Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes .

Degree: 1980, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho estudou-se a blindagem de impurezas carregadas em semicondutores, submetidos a campos magnéticos fortes uniformes e radiação laser, em baixas temperaturas, e sua… (more)

Subjects/Keywords: Lasers; Semicondutores

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APA (6th Edition):

Nassar, A. B. (1980). Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278266

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Nassar, Antonio Boulhosa. “Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes .” 1980. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278266.

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MLA Handbook (7th Edition):

Nassar, Antonio Boulhosa. “Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes .” 1980. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Nassar AB. Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1980. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278266.

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Council of Science Editors:

Nassar AB. Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1980. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278266

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Universidade Estadual de Campinas

6. Nunes Junior, Alcides da Silva. Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs .

Degree: 1989, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Utilizamos a caracterização eletro-óptica em lasers do tipo Poço Quântico Simples, com camada ativa de 150Þ e contato de faixa de 4,0 mm de… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores

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APA (6th Edition):

Nunes Junior, A. d. S. (1989). Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277160

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Nunes Junior, Alcides da Silva. “Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs .” 1989. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277160.

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MLA Handbook (7th Edition):

Nunes Junior, Alcides da Silva. “Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs .” 1989. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Nunes Junior AdS. Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277160.

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Council of Science Editors:

Nunes Junior AdS. Influência da temperatura sobre o guia de ondas de lasers do tipo poço quântico simples de GaAs . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277160

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Universidade Estadual de Campinas

7. Barros, Miriam Regina Xavier de. Geração de pulsos ultracurtos e estudo de relaxaçães rapidas em vidros dopados com CdTe1-xSx .

Degree: 1991, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Cruz, Carlos Henrique de Brito, 1956- (advisor).

Subjects/Keywords: Semicondutores; Lasers

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APA (6th Edition):

Barros, M. R. X. d. (1991). Geração de pulsos ultracurtos e estudo de relaxaçães rapidas em vidros dopados com CdTe1-xSx . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277508

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Barros, Miriam Regina Xavier de. “Geração de pulsos ultracurtos e estudo de relaxaçães rapidas em vidros dopados com CdTe1-xSx .” 1991. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277508.

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MLA Handbook (7th Edition):

Barros, Miriam Regina Xavier de. “Geração de pulsos ultracurtos e estudo de relaxaçães rapidas em vidros dopados com CdTe1-xSx .” 1991. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Barros MRXd. Geração de pulsos ultracurtos e estudo de relaxaçães rapidas em vidros dopados com CdTe1-xSx . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1991. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277508.

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Council of Science Editors:

Barros MRXd. Geração de pulsos ultracurtos e estudo de relaxaçães rapidas em vidros dopados com CdTe1-xSx . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1991. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277508

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Universidade Estadual de Campinas

8. Nunes, Frederico Dias. Filamentos em lasers de semicondutor .

Degree: 1974, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Ripper Filho, José Ellis, 1939- (advisor), Filho, Jose Ellis Ripper (advisor).

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Lasers

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APA (6th Edition):

Nunes, F. D. (1974). Filamentos em lasers de semicondutor . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278044

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Nunes, Frederico Dias. “Filamentos em lasers de semicondutor .” 1974. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278044.

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MLA Handbook (7th Edition):

Nunes, Frederico Dias. “Filamentos em lasers de semicondutor .” 1974. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Nunes FD. Filamentos em lasers de semicondutor . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1974. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278044.

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Council of Science Editors:

Nunes FD. Filamentos em lasers de semicondutor . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1974. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278044

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Universidade Estadual de Campinas

9. Portella, Marcia Tereza. Chaves elétricas a semicondutor controladas por pulsos laser de picosegundos .

Degree: 1984, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Este trabalho teve como objetivo a construção e estudo de chaves elétricas ultra rápidas. Tais dispositivos construídos a partir de semicondutores de alta resistividade,… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Lasers

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APA (6th Edition):

Portella, M. T. (1984). Chaves elétricas a semicondutor controladas por pulsos laser de picosegundos . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278347

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Portella, Marcia Tereza. “Chaves elétricas a semicondutor controladas por pulsos laser de picosegundos .” 1984. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278347.

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MLA Handbook (7th Edition):

Portella, Marcia Tereza. “Chaves elétricas a semicondutor controladas por pulsos laser de picosegundos .” 1984. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Portella MT. Chaves elétricas a semicondutor controladas por pulsos laser de picosegundos . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1984. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278347.

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Council of Science Editors:

Portella MT. Chaves elétricas a semicondutor controladas por pulsos laser de picosegundos . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1984. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278347

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Universidade Estadual de Campinas

10. Mattos, Theresinha de Jesus Serra de, 1947-. Modelo teorico de laser DH de GaAs incluindo calculo auto-consistente de perfil de temperatura .

Degree: 1980, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho, faz-se um estudo de distribui??es de temperatura, portadores, densidade de corrente e ganho, na regi?o ativa, para um laser de heteroestrutura dupla… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Lasers

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APA (6th Edition):

Mattos, Theresinha de Jesus Serra de, 1. (1980). Modelo teorico de laser DH de GaAs incluindo calculo auto-consistente de perfil de temperatura . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278466

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Mattos, Theresinha de Jesus Serra de, 1947-. “Modelo teorico de laser DH de GaAs incluindo calculo auto-consistente de perfil de temperatura .” 1980. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278466.

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MLA Handbook (7th Edition):

Mattos, Theresinha de Jesus Serra de, 1947-. “Modelo teorico de laser DH de GaAs incluindo calculo auto-consistente de perfil de temperatura .” 1980. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Mattos, Theresinha de Jesus Serra de 1. Modelo teorico de laser DH de GaAs incluindo calculo auto-consistente de perfil de temperatura . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1980. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278466.

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Council of Science Editors:

Mattos, Theresinha de Jesus Serra de 1. Modelo teorico de laser DH de GaAs incluindo calculo auto-consistente de perfil de temperatura . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1980. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278466

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Universidade Estadual de Campinas

11. Prince, Francisco Carlos de, 1954-. Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 um .

Degree: 1981, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: A idéia de se fabricar lasers semicondutores de InGaAsP surgiu em fins de 76 quando o Prof. Navin Patel retornou de uma conferência nos… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Lasers

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APA (6th Edition):

Prince, Francisco Carlos de, 1. (1981). Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 um . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278510

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Prince, Francisco Carlos de, 1954-. “Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 um .” 1981. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278510.

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MLA Handbook (7th Edition):

Prince, Francisco Carlos de, 1954-. “Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 um .” 1981. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Prince, Francisco Carlos de 1. Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 um . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1981. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278510.

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Council of Science Editors:

Prince, Francisco Carlos de 1. Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 um . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1981. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278510

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Universidade Estadual de Campinas

12. Pudenzi, Márcio Alberto Araújo, 1952-. Estudo das ondas guiadas em lasers de semicondutor .

Degree: 1980, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho estudamos as ondas guiadas em lasers de semicondutor. Na primeira parte realizamos o estudo experimental de lasers com faixa de contato Inclinada… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Lasers

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APA (6th Edition):

Pudenzi, Márcio Alberto Araújo, 1. (1980). Estudo das ondas guiadas em lasers de semicondutor . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278293

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Pudenzi, Márcio Alberto Araújo, 1952-. “Estudo das ondas guiadas em lasers de semicondutor .” 1980. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278293.

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MLA Handbook (7th Edition):

Pudenzi, Márcio Alberto Araújo, 1952-. “Estudo das ondas guiadas em lasers de semicondutor .” 1980. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Pudenzi, Márcio Alberto Araújo 1. Estudo das ondas guiadas em lasers de semicondutor . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1980. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278293.

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Council of Science Editors:

Pudenzi, Márcio Alberto Araújo 1. Estudo das ondas guiadas em lasers de semicondutor . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1980. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278293

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Universidade Estadual de Campinas

13. Miranda, Rubens da Silva. Estudo de fenômenos ultra-rápidos .

Degree: 1989, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: No presente trabalho, o processo de geração de pulsos laser ultra-curtos em uma cavidade do tipo "colliding pulse mode-locked" foi estudado. Um modelo foi… (more)

Subjects/Keywords: Lasers; Lasers semicondutores

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APA (6th Edition):

Miranda, R. d. S. (1989). Estudo de fenômenos ultra-rápidos . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278314

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Miranda, Rubens da Silva. “Estudo de fenômenos ultra-rápidos .” 1989. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278314.

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MLA Handbook (7th Edition):

Miranda, Rubens da Silva. “Estudo de fenômenos ultra-rápidos .” 1989. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Miranda RdS. Estudo de fenômenos ultra-rápidos . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278314.

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Council of Science Editors:

Miranda RdS. Estudo de fenômenos ultra-rápidos . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278314

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Universidade Estadual de Campinas

14. Catalani, Fernando. Caracterização de laser de diodo para espectroscopia de alta resolução .

Degree: 1997, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Nas últimas décadas os lasers de diodo têm se tornado os mais importantes em termos econômicos. É crescente a sua aplicação em diversas áreas… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Iodo

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APA (6th Edition):

Catalani, F. (1997). Caracterização de laser de diodo para espectroscopia de alta resolução . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277573

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Catalani, Fernando. “Caracterização de laser de diodo para espectroscopia de alta resolução .” 1997. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277573.

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MLA Handbook (7th Edition):

Catalani, Fernando. “Caracterização de laser de diodo para espectroscopia de alta resolução .” 1997. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Catalani F. Caracterização de laser de diodo para espectroscopia de alta resolução . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1997. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277573.

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Catalani F. Caracterização de laser de diodo para espectroscopia de alta resolução . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1997. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277573

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Universidade Estadual de Campinas

15. Pataro, Lisandra Losada. Confinamento lateral de portadores e fótons e o comportamento espectral de laser de três terminais .

Degree: 2001, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: A disponibilidade de estruturas de semicondutor com poços quânticos aumentou o interesse em desenvolver sistemas ópticos para computação e interconexão óptica utilizando o laser… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Dispositivos optoeletrônicos; Semicondutores

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APA (6th Edition):

Pataro, L. L. (2001). Confinamento lateral de portadores e fótons e o comportamento espectral de laser de três terminais . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278490

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Pataro, Lisandra Losada. “Confinamento lateral de portadores e fótons e o comportamento espectral de laser de três terminais .” 2001. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278490.

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MLA Handbook (7th Edition):

Pataro, Lisandra Losada. “Confinamento lateral de portadores e fótons e o comportamento espectral de laser de três terminais .” 2001. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Pataro LL. Confinamento lateral de portadores e fótons e o comportamento espectral de laser de três terminais . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2001. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278490.

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Pataro LL. Confinamento lateral de portadores e fótons e o comportamento espectral de laser de três terminais . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2001. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278490

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Universidade Estadual de Campinas

16. Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-. Fabricação e caracterização de laser de homojunção de GaAs em contato de faixa .

Degree: 1977, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed Advisors/Committee Members: Campos, Marcio D'Olne, 1943- (advisor), Patel, Navin Bhailalbhai, 1942- (advisor).

Subjects/Keywords: Lasers em física; Lasers semicondutores

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APA (6th Edition):

Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1. (1977). Fabricação e caracterização de laser de homojunção de GaAs em contato de faixa . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278304

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-. “Fabricação e caracterização de laser de homojunção de GaAs em contato de faixa .” 1977. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278304.

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MLA Handbook (7th Edition):

Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-. “Fabricação e caracterização de laser de homojunção de GaAs em contato de faixa .” 1977. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de 1. Fabricação e caracterização de laser de homojunção de GaAs em contato de faixa . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1977. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278304.

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Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de 1. Fabricação e caracterização de laser de homojunção de GaAs em contato de faixa . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1977. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278304

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Universidade Estadual de Campinas

17. Prince, Francisco Carlos de, 1954-. Influência de tensões presentes na região ativa de lasers semicondutores de GaAs homo e dupla-heteroestrutura .

Degree: 1977, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Patel, Navin Bhailalbhai, 1942- (advisor), Patel, Navin B (advisor).

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Lasers em física

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APA (6th Edition):

Prince, Francisco Carlos de, 1. (1977). Influência de tensões presentes na região ativa de lasers semicondutores de GaAs homo e dupla-heteroestrutura . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278434

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Prince, Francisco Carlos de, 1954-. “Influência de tensões presentes na região ativa de lasers semicondutores de GaAs homo e dupla-heteroestrutura .” 1977. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278434.

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MLA Handbook (7th Edition):

Prince, Francisco Carlos de, 1954-. “Influência de tensões presentes na região ativa de lasers semicondutores de GaAs homo e dupla-heteroestrutura .” 1977. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Prince, Francisco Carlos de 1. Influência de tensões presentes na região ativa de lasers semicondutores de GaAs homo e dupla-heteroestrutura . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1977. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278434.

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Prince, Francisco Carlos de 1. Influência de tensões presentes na região ativa de lasers semicondutores de GaAs homo e dupla-heteroestrutura . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1977. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278434

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Universidade Estadual de Campinas

18. Grossman, Benjamin. Mecanismos de injeção em lasers de heteroestrutura dupla .

Degree: 1973, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Leite, Rogerio Cezar de Cerqueira, 1931- (advisor).

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Lasers em física

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APA (6th Edition):

Grossman, B. (1973). Mecanismos de injeção em lasers de heteroestrutura dupla . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277109

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Grossman, Benjamin. “Mecanismos de injeção em lasers de heteroestrutura dupla .” 1973. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277109.

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MLA Handbook (7th Edition):

Grossman, Benjamin. “Mecanismos de injeção em lasers de heteroestrutura dupla .” 1973. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Grossman B. Mecanismos de injeção em lasers de heteroestrutura dupla . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1973. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277109.

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Grossman B. Mecanismos de injeção em lasers de heteroestrutura dupla . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1973. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277109

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Universidade Estadual de Campinas

19. Sacilotti, Marco Antonio. Efeitos de temperatura sobre corrente limiar de laser de semicondutor ALxGA1-xAs-HD .

Degree: 1976, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: A existência de pouquíssimos dados experimentais sobre recombinações radiativas em laser de heteroestrutura dupla de semicondutor com a variação da temperatura nos levou a… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Lasers em física

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APA (6th Edition):

Sacilotti, M. A. (1976). Efeitos de temperatura sobre corrente limiar de laser de semicondutor ALxGA1-xAs-HD . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278436

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Sacilotti, Marco Antonio. “Efeitos de temperatura sobre corrente limiar de laser de semicondutor ALxGA1-xAs-HD .” 1976. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278436.

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MLA Handbook (7th Edition):

Sacilotti, Marco Antonio. “Efeitos de temperatura sobre corrente limiar de laser de semicondutor ALxGA1-xAs-HD .” 1976. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Sacilotti MA. Efeitos de temperatura sobre corrente limiar de laser de semicondutor ALxGA1-xAs-HD . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1976. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278436.

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Council of Science Editors:

Sacilotti MA. Efeitos de temperatura sobre corrente limiar de laser de semicondutor ALxGA1-xAs-HD . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1976. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278436

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Universidade Estadual de Campinas

20. Morosini, Maria Beny Zakia, 1950-. Estudo do crescimento epitaxial por fase liquida de GaSb, GaA1Sb e GaA1AsSb e sua aplicação em dispositivos lasers .

Degree: 1989, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed Advisors/Committee Members: Patel, Navin Bhailalbhai, 1942- (advisor).

Subjects/Keywords: Semicondutores; Lasers semicondutores; Epitaxia; Dispositivos optoeletrônicos

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APA (6th Edition):

Morosini, Maria Beny Zakia, 1. (1989). Estudo do crescimento epitaxial por fase liquida de GaSb, GaA1Sb e GaA1AsSb e sua aplicação em dispositivos lasers . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278570

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Morosini, Maria Beny Zakia, 1950-. “Estudo do crescimento epitaxial por fase liquida de GaSb, GaA1Sb e GaA1AsSb e sua aplicação em dispositivos lasers .” 1989. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278570.

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MLA Handbook (7th Edition):

Morosini, Maria Beny Zakia, 1950-. “Estudo do crescimento epitaxial por fase liquida de GaSb, GaA1Sb e GaA1AsSb e sua aplicação em dispositivos lasers .” 1989. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Morosini, Maria Beny Zakia 1. Estudo do crescimento epitaxial por fase liquida de GaSb, GaA1Sb e GaA1AsSb e sua aplicação em dispositivos lasers . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278570.

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Council of Science Editors:

Morosini, Maria Beny Zakia 1. Estudo do crescimento epitaxial por fase liquida de GaSb, GaA1Sb e GaA1AsSb e sua aplicação em dispositivos lasers . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278570

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Universidade Estadual de Campinas

21. Pinheiro, Ernesto Sa. Comportamento da emissão espontânea em lasers de GaAs .

Degree: 1974, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho estudamos em detalhe o comportamento da emissão espontânea em lasers de Arseneto de Gálio ( CaAs ). Este estudo compreendeu duas partes.… (more)

Subjects/Keywords: Lasers em física; Semicondutores

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APA (6th Edition):

Pinheiro, E. S. (1974). Comportamento da emissão espontânea em lasers de GaAs . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277034

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Pinheiro, Ernesto Sa. “Comportamento da emissão espontânea em lasers de GaAs .” 1974. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277034.

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MLA Handbook (7th Edition):

Pinheiro, Ernesto Sa. “Comportamento da emissão espontânea em lasers de GaAs .” 1974. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Pinheiro ES. Comportamento da emissão espontânea em lasers de GaAs . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1974. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277034.

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Council of Science Editors:

Pinheiro ES. Comportamento da emissão espontânea em lasers de GaAs . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1974. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277034

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Universidade Estadual de Campinas

22. Sartorio, Maria Salete. Efeitos de pressão uniaxial sobre as recombinações radiativas em lasers de GaAs .

Degree: 1975, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Brosson, Philippe (advisor).

Subjects/Keywords: Lasers em física; Semicondutores

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APA (6th Edition):

Sartorio, M. S. (1975). Efeitos de pressão uniaxial sobre as recombinações radiativas em lasers de GaAs . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277058

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Sartorio, Maria Salete. “Efeitos de pressão uniaxial sobre as recombinações radiativas em lasers de GaAs .” 1975. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277058.

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MLA Handbook (7th Edition):

Sartorio, Maria Salete. “Efeitos de pressão uniaxial sobre as recombinações radiativas em lasers de GaAs .” 1975. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Sartorio MS. Efeitos de pressão uniaxial sobre as recombinações radiativas em lasers de GaAs . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1975. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277058.

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Sartorio MS. Efeitos de pressão uniaxial sobre as recombinações radiativas em lasers de GaAs . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1975. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277058

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Universidade Estadual de Campinas

23. Mialichi, José Roberto. Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica .

Degree: 2006, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Esta dissertação de mestrado apresenta estudos teóricos sobre o cálculo de ganho óptico em nanoestruturas baseadas no sistema InGaAs/InGaAsP. A partir da teoria de… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Nanoestrutura; Ganho ótico

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APA (6th Edition):

Mialichi, J. R. (2006). Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278576

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Mialichi, José Roberto. “Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica .” 2006. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278576.

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MLA Handbook (7th Edition):

Mialichi, José Roberto. “Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica .” 2006. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Mialichi JR. Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2006. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278576.

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Council of Science Editors:

Mialichi JR. Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2006. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278576

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Universidade Estadual de Campinas

24. Frateschi, Newton Cesário, 1962-. Estudo de técnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutores .

Degree: 1986, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Desenvolvemos uma teoria de perturbação, baseada no esquema perturbativo de Au e Aharonov, para aplicação à equação de Helmholtz. Obtivemos, com esta teoria, o… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Perturbação (Matemática)

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Frateschi, Newton Cesário, 1. (1986). Estudo de técnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutores . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277322

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Frateschi, Newton Cesário, 1962-. “Estudo de técnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutores .” 1986. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277322.

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MLA Handbook (7th Edition):

Frateschi, Newton Cesário, 1962-. “Estudo de técnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutores .” 1986. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Frateschi, Newton Cesário 1. Estudo de técnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutores . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1986. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277322.

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Frateschi, Newton Cesário 1. Estudo de técnicas perturbativas para aplicação a lasers semicondutores . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1986. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277322

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Universidade Estadual de Campinas

25. Rosa, Celso Pereira Tome. Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs .

Degree: 1985, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho, estudamos o comportamento dos lasers semicondutores de InGaAsP-DH e GaAlAs-QW, quando submetidos a aplicação de pressão uniaxial. Na primeira parte, fazemos uma… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Pressão hidrostática

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APA (6th Edition):

Rosa, C. P. T. (1985). Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277178

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Rosa, Celso Pereira Tome. “Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs .” 1985. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277178.

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MLA Handbook (7th Edition):

Rosa, Celso Pereira Tome. “Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs .” 1985. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Rosa CPT. Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1985. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277178.

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Council of Science Editors:

Rosa CPT. Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1985. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277178

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Universidade Estadual de Campinas

26. Vilela, Jose Mario Carneiro. Efeitos transitórios em lasers de heteroestrutura simples de GaAs .

Degree: 1978, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Nunes, Frederico Dias (advisor).

Subjects/Keywords: Lasers; Semicondutores; Comunicações óticas

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APA (6th Edition):

Vilela, J. M. C. (1978). Efeitos transitórios em lasers de heteroestrutura simples de GaAs . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277830

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Vilela, Jose Mario Carneiro. “Efeitos transitórios em lasers de heteroestrutura simples de GaAs .” 1978. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277830.

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MLA Handbook (7th Edition):

Vilela, Jose Mario Carneiro. “Efeitos transitórios em lasers de heteroestrutura simples de GaAs .” 1978. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Vilela JMC. Efeitos transitórios em lasers de heteroestrutura simples de GaAs . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1978. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277830.

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Council of Science Editors:

Vilela JMC. Efeitos transitórios em lasers de heteroestrutura simples de GaAs . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1978. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277830

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Universidade Estadual de Campinas

27. Dacal, Luis Carlos Ogando. Caracterização térmica de diodos-laser de potência para telecomunicações através da microscopia fototérmica .

Degree: 1997, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho foram investigados, através da Microscopia Fototérmica de Reflexão, diodo-lasers de potência fabricados pelo CPqD ( Telebrás ) e usados em telecomunicações. Trata-se… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Análise térmica

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APA (6th Edition):

Dacal, L. C. O. (1997). Caracterização térmica de diodos-laser de potência para telecomunicações através da microscopia fototérmica . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277320

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Dacal, Luis Carlos Ogando. “Caracterização térmica de diodos-laser de potência para telecomunicações através da microscopia fototérmica .” 1997. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277320.

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Dacal, Luis Carlos Ogando. “Caracterização térmica de diodos-laser de potência para telecomunicações através da microscopia fototérmica .” 1997. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Dacal LCO. Caracterização térmica de diodos-laser de potência para telecomunicações através da microscopia fototérmica . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1997. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277320.

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Dacal LCO. Caracterização térmica de diodos-laser de potência para telecomunicações através da microscopia fototérmica . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1997. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277320

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Universidade Estadual de Campinas

28. Zampronio, Marlete Aparecida. Acoplamento de luz do laser semicondutor em fibras ópticas multimodo .

Degree: 1981, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Fizemos um estudo do acoplamento de luz de lasers semicondutores em fibras ópticas multimodo. O feixe de luz destas fontes tem uma grande divergência… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Fibras óticas

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APA (6th Edition):

Zampronio, M. A. (1981). Acoplamento de luz do laser semicondutor em fibras ópticas multimodo . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277861

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Zampronio, Marlete Aparecida. “Acoplamento de luz do laser semicondutor em fibras ópticas multimodo .” 1981. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277861.

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Zampronio, Marlete Aparecida. “Acoplamento de luz do laser semicondutor em fibras ópticas multimodo .” 1981. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Zampronio MA. Acoplamento de luz do laser semicondutor em fibras ópticas multimodo . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1981. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277861.

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Zampronio MA. Acoplamento de luz do laser semicondutor em fibras ópticas multimodo . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1981. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277861

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Universidade Estadual de Campinas

29. Marotta, Ana Maria Hildsdorf. Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb .

Degree: 1975, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho foram calculados os níveis de energia eletrônicos do InSb pelo método APW. Inicialmente pelo método APW não relativístico, foram calculados os níveis… (more)

Subjects/Keywords: Íons; Lasers semicondutores; Relatividade (Física)

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Marotta, A. M. H. (1975). Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278571

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Marotta, Ana Maria Hildsdorf. “Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb .” 1975. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278571.

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MLA Handbook (7th Edition):

Marotta, Ana Maria Hildsdorf. “Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb .” 1975. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Marotta AMH. Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1975. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278571.

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Marotta AMH. Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1975. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278571

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Universidade Estadual de Campinas

30. Mecchi Neto, Francisco. Estudo da solda de lasers de semicondutor .

Degree: 1989, Universidade Estadual de Campinas

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Solda e soldagem

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Mecchi Neto, F. (1989). Estudo da solda de lasers de semicondutor . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/264043

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Mecchi Neto, Francisco. “Estudo da solda de lasers de semicondutor .” 1989. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed April 05, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/264043.

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MLA Handbook (7th Edition):

Mecchi Neto, Francisco. “Estudo da solda de lasers de semicondutor .” 1989. Web. 05 Apr 2020.

Vancouver:

Mecchi Neto F. Estudo da solda de lasers de semicondutor . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. [cited 2020 Apr 05]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/264043.

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Mecchi Neto F. Estudo da solda de lasers de semicondutor . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/264043

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