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You searched for +publisher:"Valenciennes" +contributor:("Dogheche, Elhadj"). Showing records 1 – 2 of 2 total matches.

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1. Alshehri, Bandar. Conception, fabrication et caractérisation de photodiodes à base de nitrures semiconducteurs : application aux composants ultra-rapides : Design, fabrication and characterization of III-nitrides-based photodiodes : application to high-speed devices.

Degree: Docteur es, Électronique. Micro et nano technologie, 2016, Valenciennes

Les matériaux semi-conducteurs à base de nitrures disposant de largeur de bande interdite allant de 0,7 à 6 eV, connaissent un intérêt sans cesse croissant pour le développement de dispositifs optoélectroniques du futur. Le but de ces travaux est d’étudier, de concevoir et de développer une photodiode de type PIN à base de matériaux InxGa1-xN et GaN déposés par MOCVD et MBE. Elle est étudiée en considérant différentes configurations de la couche absorbante InGaN, à savoir une couche simple épaisse (SL) ou des puits quantiques (MQW). Toutefois en jouant sur la composition x en indium de la couche InGaN, cela permet la mise au point de différente longueur d'onde d'absorption dans la structure PIN. Des analyses structurales, microstructurales et optiques ont été réalisées par RX, TEM, PL, AFM et MEB pour des photodiodes PIN avec une couche absorbante InGaN de composition en indium variant de 10 à 50%. Nous avons pu vérifier que la qualité du matériau se dégradait lorsque l'on augmentait la teneur en indium et que cela impactait sur les performances de composants. La conception de la structure PIN a été définie pour différentes géométries de photodiode (de 25 à 104 μm²). Des caractérisations statiques et dynamiques de dispositifs fabriquées ont été réalisées afin d'obtenir la réponse de la photodiode. Pour les photodiodes à grande échelle, la valeur de photocourant a atteint un maximum de 3,2 mA démontrant une fréquence de coupure de 940 MHz. La μ-photodiode a révélé 395 μA de photocourant et une fréquence de coupure 1,45 GHz.

III-Nitrides semi-conductor materials with flexible bandgap has revealed a major interest for the future development of optoelectronic devices. The aim of this work is to study, design and develop a PIN photodiode based on InxGa1-xN and GaN materials deposited by MOCVD and MBE. Different configurations are considered for the InGaN absorbent layer: a single layer (SL) and multiple quantum wells (MQW). In order to observe the shift in the absorption wavelength, the composition of the InGaN layer ranges from10 to 50%. Structural, microstructural and optical analysis are performed using XRD, TEM, PL, AFM and SEM. We have verified that the material quality promptly degrades when increasing the indium content which impacts on the device performances. The design of the PIN structure is governed by the limitation of the active surface (from 25 to 104 μm²) in order to limit the global capacitance. Different prototypes are fabricated in clean room before characterization. Static and dynamic characterizations have been realized to qualify the photodiode response. We have investigated the influence of the indium content on the electrical performance. For the large-scale photodiodes, photocurrent value has reached a maximum of 3.2 mA with laser power of 75 mW demonstrating cut-off frequency of 940 MHz. μ-photodiode has revealed 395 μA of maximal photocurrent with cut-off frequency of 1.45 GHz.

Advisors/Committee Members: Dogheche, Elhadj (thesis director).

Subjects/Keywords: Nitrures semiconducteurs; Photodiodes; Conception et fabrication; Nitrides semiconductor; Photodiode; Design and fabrication

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APA (6th Edition):

Alshehri, B. (2016). Conception, fabrication et caractérisation de photodiodes à base de nitrures semiconducteurs : application aux composants ultra-rapides : Design, fabrication and characterization of III-nitrides-based photodiodes : application to high-speed devices. (Doctoral Dissertation). Valenciennes. Retrieved from http://www.theses.fr/2016VALE0022

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Alshehri, Bandar. “Conception, fabrication et caractérisation de photodiodes à base de nitrures semiconducteurs : application aux composants ultra-rapides : Design, fabrication and characterization of III-nitrides-based photodiodes : application to high-speed devices.” 2016. Doctoral Dissertation, Valenciennes. Accessed July 22, 2019. http://www.theses.fr/2016VALE0022.

MLA Handbook (7th Edition):

Alshehri, Bandar. “Conception, fabrication et caractérisation de photodiodes à base de nitrures semiconducteurs : application aux composants ultra-rapides : Design, fabrication and characterization of III-nitrides-based photodiodes : application to high-speed devices.” 2016. Web. 22 Jul 2019.

Vancouver:

Alshehri B. Conception, fabrication et caractérisation de photodiodes à base de nitrures semiconducteurs : application aux composants ultra-rapides : Design, fabrication and characterization of III-nitrides-based photodiodes : application to high-speed devices. [Internet] [Doctoral dissertation]. Valenciennes; 2016. [cited 2019 Jul 22]. Available from: http://www.theses.fr/2016VALE0022.

Council of Science Editors:

Alshehri B. Conception, fabrication et caractérisation de photodiodes à base de nitrures semiconducteurs : application aux composants ultra-rapides : Design, fabrication and characterization of III-nitrides-based photodiodes : application to high-speed devices. [Doctoral Dissertation]. Valenciennes; 2016. Available from: http://www.theses.fr/2016VALE0022

2. Leroy, Floriane. Etude des propriétés électro-optiques des couches minces de Ba1-xSrxTiO3 pour la modulation optique : Lead-free piezoelectric films prepared by sol-gel and potential applications in MEMS.

Degree: Docteur es, Électronique - Micro et nano technologie, 2012, Valenciennes

Le développement de nouveaux matériaux est essentiel dans la réalisation de capteurs de petites dimensions et pour les composants micro-nano-optoélectroniques. Les matériaux à base d'oxydes en sont de bons candidats. Ce travail de thèse a concerné la synthèse de matériaux ferroélectriques tels le BaTiO3 (BTO) et le Ba1-xSrxTiO3 (BST), associés à des électrodes inférieures et supérieures en oxyde d'indium-d'étain (ITO), tous déposés par pulvérisation cathodique RF (radio fréquence). Nous nous sommes concentrés sur la relation existante entre les propriétés optiques et électro-optiques de guide d'ondes et l'orientation cristalline, la couche d'interface ainsi que la nature du substrat. Après la caractérisation des propriétés structurales, nous avons évalué les propriétés optiques de ces matériaux par la technique du couplage par prisme pour une gamme de longueurs d'ondes de l'UV au proche IR. Les résultats ont montré un bon confinement de la lumière dans le film, avec des pertes planaires de propagation optique de l'ordre de 3 dB/cm aux longueurs d'onde télécoms, résultats à l'état de l'art pour ces matériaux.Cette méthode de couplage optique a permis de mettre en évidence les propriétés électro-optiques du BTO et du BST dans cette même gamme de longueurs d'onde et pour les deux polarisations optiques, à partir de la variation des spectres de réflectivité. Si le BTO a montré un coefficient r33 de 23 pm/V aux longueurs d'onde télécoms, nous avons mesuré autour de 19 pm/V pour le BST(70/30).

The development of new material is essential for the realization of small sized sensors and for micro-nanooptoelectronics. Functional oxides are candidates of a major interest for the realization of new devices. This work concerns the growth of heterostructures formed by BaTiO3 (BTO) or Ba1-xSrxTiO3 (BST) ferroelectric multilayers associated to (ITO: Indium Tin Oxide) conductive oxides bottom and top electrodes. We focused on the relation between waveguide and electro-optic (EO) properties and the crystalline orientation, the interface layer and the nature of the substrate.RF (Radio Frequency) magnetron sputtering is a selected deposition technique for these applications. While the characterization of properties has become an integral part of research for the understanding of the material behavior, we evaluate the optical properties by prism coupling at wavelengths ranging from 450 nm to 1539 nm.The guided mode spectrum indicates that a good confinement of light is achieved in the film witch is necessary for optical waveguide devices. Ordinary and extraordinary refractive indices for BST/BTO are respectively 2,111/2,224 and 2,052/2,219 at 1539 nm. Optical propagation loss in a planar waveguide configuration in TE at 1539 nm wavelength was determined to be 3 dB/cm. The electro-optic effects were investigated in this study through the variation of the resonant coupling angle, refractive index variation ( n) in the prism coupling measurements. Finally, the EO coefficient of our BTO is 23 pm/V and 19 pm/V for BST(70/30) at 1539 nm.

Advisors/Committee Members: Dogheche, Elhadj (thesis director), Decoster, Didier (thesis director).

Subjects/Keywords: Couche mince; Matériaux ferroélectriques; Couplage par prisme; Propriétés optiques; Modulation électro-optique; Thin film; Ferroelectric material; Prism-couplin; Optical properties; Electro-optic modulation

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APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Leroy, F. (2012). Etude des propriétés électro-optiques des couches minces de Ba1-xSrxTiO3 pour la modulation optique : Lead-free piezoelectric films prepared by sol-gel and potential applications in MEMS. (Doctoral Dissertation). Valenciennes. Retrieved from http://www.theses.fr/2012VALE0021

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Leroy, Floriane. “Etude des propriétés électro-optiques des couches minces de Ba1-xSrxTiO3 pour la modulation optique : Lead-free piezoelectric films prepared by sol-gel and potential applications in MEMS.” 2012. Doctoral Dissertation, Valenciennes. Accessed July 22, 2019. http://www.theses.fr/2012VALE0021.

MLA Handbook (7th Edition):

Leroy, Floriane. “Etude des propriétés électro-optiques des couches minces de Ba1-xSrxTiO3 pour la modulation optique : Lead-free piezoelectric films prepared by sol-gel and potential applications in MEMS.” 2012. Web. 22 Jul 2019.

Vancouver:

Leroy F. Etude des propriétés électro-optiques des couches minces de Ba1-xSrxTiO3 pour la modulation optique : Lead-free piezoelectric films prepared by sol-gel and potential applications in MEMS. [Internet] [Doctoral dissertation]. Valenciennes; 2012. [cited 2019 Jul 22]. Available from: http://www.theses.fr/2012VALE0021.

Council of Science Editors:

Leroy F. Etude des propriétés électro-optiques des couches minces de Ba1-xSrxTiO3 pour la modulation optique : Lead-free piezoelectric films prepared by sol-gel and potential applications in MEMS. [Doctoral Dissertation]. Valenciennes; 2012. Available from: http://www.theses.fr/2012VALE0021

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