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You searched for +publisher:"Université de Sherbrooke" +contributor:("Souifi, Abdelkader"). Showing records 1 – 5 of 5 total matches.

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Université de Sherbrooke

1. Eugene, Lino. Réalisation et caractérisation opto-électrique d'un nanopixel à base de nanocristaux de silicium .

Degree: 2009, Université de Sherbrooke

 Actuellement, plusieurs types de photodétecteurs sont disponibles sur le marché. Leurs performances se caractérisent notamment par la réponse spectrale, le courant d'obscurité, le rapport signal… (more)

Subjects/Keywords: Photocourant; Transport électrique; Capacité MOS; Cathodoluminescence; SU-8; Nanofabrication; Nanocristaux de silicium; Blocage de Coulomb; Photodétection

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APA (6th Edition):

Eugene, L. (2009). Réalisation et caractérisation opto-électrique d'un nanopixel à base de nanocristaux de silicium . (Doctoral Dissertation). Université de Sherbrooke. Retrieved from http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1919

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Eugene, Lino. “Réalisation et caractérisation opto-électrique d'un nanopixel à base de nanocristaux de silicium .” 2009. Doctoral Dissertation, Université de Sherbrooke. Accessed January 22, 2020. http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1919.

MLA Handbook (7th Edition):

Eugene, Lino. “Réalisation et caractérisation opto-électrique d'un nanopixel à base de nanocristaux de silicium .” 2009. Web. 22 Jan 2020.

Vancouver:

Eugene L. Réalisation et caractérisation opto-électrique d'un nanopixel à base de nanocristaux de silicium . [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Sherbrooke; 2009. [cited 2020 Jan 22]. Available from: http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1919.

Council of Science Editors:

Eugene L. Réalisation et caractérisation opto-électrique d'un nanopixel à base de nanocristaux de silicium . [Doctoral Dissertation]. Université de Sherbrooke; 2009. Available from: http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1919


Université de Sherbrooke

2. Ayadi, Yosri. 3D integration of single electron transistors in the Back-End-Of-Line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors .

Degree: 2017, Université de Sherbrooke

 La forte demande et le besoin d’intégration hétérogène de nouvelles fonctionnalités dans les systèmes mobiles et autonomes, tels que les mémoires, capteurs, et interfaces de(more)

Subjects/Keywords: Single electron transistors; 3D monolithic integration; FET-based gas sensors; Gas sensing; Hydrogen detection; MW-CNT networks; Ultra-low power; FDSOI; Double gate-SET; Double gate-FET; Sensing layer texturing; Transistors monoélectroniques; Intégration 3D monolithique; Capteur de gaz à base de FET; Capteur de gaz; Détection du dihydrogène; Texturation de surface de la couche sensible; Réseaux de MW-CNTs; Ultra-basse consommation

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APA (6th Edition):

Ayadi, Y. (2017). 3D integration of single electron transistors in the Back-End-Of-Line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors . (Doctoral Dissertation). Université de Sherbrooke. Retrieved from http://hdl.handle.net/11143/10122

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Ayadi, Yosri. “3D integration of single electron transistors in the Back-End-Of-Line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors .” 2017. Doctoral Dissertation, Université de Sherbrooke. Accessed January 22, 2020. http://hdl.handle.net/11143/10122.

MLA Handbook (7th Edition):

Ayadi, Yosri. “3D integration of single electron transistors in the Back-End-Of-Line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors .” 2017. Web. 22 Jan 2020.

Vancouver:

Ayadi Y. 3D integration of single electron transistors in the Back-End-Of-Line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors . [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Sherbrooke; 2017. [cited 2020 Jan 22]. Available from: http://hdl.handle.net/11143/10122.

Council of Science Editors:

Ayadi Y. 3D integration of single electron transistors in the Back-End-Of-Line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors . [Doctoral Dissertation]. Université de Sherbrooke; 2017. Available from: http://hdl.handle.net/11143/10122


Université de Sherbrooke

3. Avenas, Quentin. Intégration d'une méthode d'actuation électrocinétique sur biocapteur plasmonique .

Degree: 2019, Université de Sherbrooke

 Cette thèse porte sur le développement d’un capteur plasmonique intégrant une fonction d’actuation des objets visés. L’objectif est de passer outre la limite de diffusion… (more)

Subjects/Keywords: Biocapteur; Résonance de plasmon de surface (SPR); Diélectrophorèse (DEP); Limite de détection; Transfert de masse; Electrodes interdigitées; Acide désoxyribonucléique (ADN); Biosensor; Surface plasmon resonance (SPR); Dielectrophoresis (DEP); Electroosmosis (ACEO); Limit of detection; Mass transfer; Interdigitated electrodes; Deoxyribonucleic acid (DNA); Électroosmose (ACEO)

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APA (6th Edition):

Avenas, Q. (2019). Intégration d'une méthode d'actuation électrocinétique sur biocapteur plasmonique . (Doctoral Dissertation). Université de Sherbrooke. Retrieved from http://hdl.handle.net/11143/14666

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Avenas, Quentin. “Intégration d'une méthode d'actuation électrocinétique sur biocapteur plasmonique .” 2019. Doctoral Dissertation, Université de Sherbrooke. Accessed January 22, 2020. http://hdl.handle.net/11143/14666.

MLA Handbook (7th Edition):

Avenas, Quentin. “Intégration d'une méthode d'actuation électrocinétique sur biocapteur plasmonique .” 2019. Web. 22 Jan 2020.

Vancouver:

Avenas Q. Intégration d'une méthode d'actuation électrocinétique sur biocapteur plasmonique . [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Sherbrooke; 2019. [cited 2020 Jan 22]. Available from: http://hdl.handle.net/11143/14666.

Council of Science Editors:

Avenas Q. Intégration d'une méthode d'actuation électrocinétique sur biocapteur plasmonique . [Doctoral Dissertation]. Université de Sherbrooke; 2019. Available from: http://hdl.handle.net/11143/14666


Université de Sherbrooke

4. Labalette, Marina. Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS .

Degree: 2018, Université de Sherbrooke

 Les dispositifs mémoires résistives, notamment ceux à base d’oxyde de commutation OxRRAM, se placent parmi les dispositifs mémoires émergentes les plus attractifs pour remplacer les… (more)

Subjects/Keywords: Filière CMOS; Mémoires résistives OxRRAM; Dispositifs CRS; Intégration monolithique BEOL; Caractérisations en mode QS et pulsé; Architecture mémoire haute densité; Configuration 1T1R; Oxide based resistive memories OxRRAM; CRS dispositive; CMOS BEOL; 3D monolithic integration; DC and pulsed electrical characterization; High density of integration; 1T1R configuration

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APA (6th Edition):

Labalette, M. (2018). Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS . (Doctoral Dissertation). Université de Sherbrooke. Retrieved from http://hdl.handle.net/11143/12267

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Labalette, Marina. “Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS .” 2018. Doctoral Dissertation, Université de Sherbrooke. Accessed January 22, 2020. http://hdl.handle.net/11143/12267.

MLA Handbook (7th Edition):

Labalette, Marina. “Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS .” 2018. Web. 22 Jan 2020.

Vancouver:

Labalette M. Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS . [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Sherbrooke; 2018. [cited 2020 Jan 22]. Available from: http://hdl.handle.net/11143/12267.

Council of Science Editors:

Labalette M. Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS . [Doctoral Dissertation]. Université de Sherbrooke; 2018. Available from: http://hdl.handle.net/11143/12267


Université de Sherbrooke

5. Ayele, Getenet Tesega. Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors .

Degree: 2019, Université de Sherbrooke

 Le marché des capteurs a récemment connu une croissance spectaculaire alimentée par l'application remarquable de capteurs dans l'électronique de consommation, l'industrie de l'automatisation, les appareils… (more)

Subjects/Keywords: Back end of line (BEOL); Couplage capacitif; CMOS; Fully depleted silicon on insulator (FDSOI); Ion-sensitive field-effect transistor (ISFET); Capteur de pH; Ultrathin body and buried oxide (UTBB); Capacitive coupling; pH sensor

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APA (6th Edition):

Ayele, G. T. (2019). Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors . (Doctoral Dissertation). Université de Sherbrooke. Retrieved from http://hdl.handle.net/11143/15541

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Ayele, Getenet Tesega. “Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors .” 2019. Doctoral Dissertation, Université de Sherbrooke. Accessed January 22, 2020. http://hdl.handle.net/11143/15541.

MLA Handbook (7th Edition):

Ayele, Getenet Tesega. “Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors .” 2019. Web. 22 Jan 2020.

Vancouver:

Ayele GT. Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors . [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Sherbrooke; 2019. [cited 2020 Jan 22]. Available from: http://hdl.handle.net/11143/15541.

Council of Science Editors:

Ayele GT. Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors . [Doctoral Dissertation]. Université de Sherbrooke; 2019. Available from: http://hdl.handle.net/11143/15541

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