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You searched for +publisher:"Université de Sherbrooke" +contributor:("Ecoffey, Serge"). Showing records 1 – 2 of 2 total matches.

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Université de Sherbrooke

1. Valverde, Lucas. Conception de cellules bipolaires commutables pour la technologie « Resistive Random Access Memory » .

Degree: 2015, Université de Sherbrooke

Avec le développement des technologies portables, les mémoires de type flash sont de plus en plus utilisées. Les compétences requises pour répondre au marché florissant augmentent chaque année. Cependant, les technologies actuelles sont basées sur l’intégration de transistors. Leurs performances impliquent un long temps d’écriture et des tensions d’opérations importantes. La technologie Resistive Random Access Memory (RRAM) permet de répondre aux problématiques liées aux mémoires de type flash. La simplicité de fabrication de ces mémoires permet une forte densité d’intégration à faible coût. Également, les performances attendues par cette technologie dépassent les performances actuelles de Dynamic Random Access Memory (DRAM). Les études réalisées actuellement au sein de la communauté scientifique permettent de déterminer les meilleures performances selon le choix des matériaux. Les premières études se concentraient sur l’oxyde de titane TiO2 en tant qu’isolant, puis avec l’augmentation de l’intérêt envers cette technologie le nombre d’oxydes étudiés s’est élargi. Les dispositifs conventionnels utilisent une couche d’oxyde comprise entre deux électrodes métalliques. En augmentant la densité de dispositifs dans des circuits en matrices croisées, l’isolation entre les points mémoires n’est pas garantie et les courants de fuites deviennent un facteur limitant. Pour éviter ces problèmes, le contrôle de chaque cellule est réalisé par un transistor, on parle d’architecture 1T1R avec n transistors nécessaires pour n points mémoires. En 2008 Dubuc[1] propose un nouveau procédé de fabrication: le procédé nanodamascène. En adaptant ce procédé, et en disposant deux cellules dos à dos, nous créons un composant qui ne nécessite plus de transistor de contrôle [2]. Cela permet, en outre, de réduire les courants de fuite et simplifie l’adressage de chaque cellule. Les dispositifs sont incorporés dans une couche offrant une surface planaire. Il n’y a pas de limite technique à la superposition des couches, ce qui permet une haute densité d’intégration dans le Back-end-of-line du CMOS (Complementary Metal Oxyde Semiconductor), offrant de nouveaux horizons à la technologie RRAM. Suivant les éléments précédents, mon projet de maîtrise a pour objectif de démontrer la possibilité de fabriquer des cellules RRAM en utilisant le procédé nanodamascène. Ce développement implique la fabrication, pour la première fois, de dispositifs micrométriques de type croisés et planaires en utilisant des architectures dont la fabrication est maîtrisée au sein du laboratoire. Cela permettra de mettre au point les différentes procédés de fabrication pour les deux types de dispositifs, de se familiariser avec les techniques de caractérisation électrique, d’acquérir des connaissances sur les matériaux actifs, et proposer des premiers dispositifs RRAM. Advisors/Committee Members: Drouin, Dominique (advisor), Ecoffey, Serge (advisor).

Subjects/Keywords: RRAM; BRS; BEOL; Mémoire; Procédé damascène

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APA (6th Edition):

Valverde, L. (2015). Conception de cellules bipolaires commutables pour la technologie « Resistive Random Access Memory » . (Masters Thesis). Université de Sherbrooke. Retrieved from http://hdl.handle.net/11143/6041

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Valverde, Lucas. “Conception de cellules bipolaires commutables pour la technologie « Resistive Random Access Memory » .” 2015. Masters Thesis, Université de Sherbrooke. Accessed January 24, 2020. http://hdl.handle.net/11143/6041.

MLA Handbook (7th Edition):

Valverde, Lucas. “Conception de cellules bipolaires commutables pour la technologie « Resistive Random Access Memory » .” 2015. Web. 24 Jan 2020.

Vancouver:

Valverde L. Conception de cellules bipolaires commutables pour la technologie « Resistive Random Access Memory » . [Internet] [Masters thesis]. Université de Sherbrooke; 2015. [cited 2020 Jan 24]. Available from: http://hdl.handle.net/11143/6041.

Council of Science Editors:

Valverde L. Conception de cellules bipolaires commutables pour la technologie « Resistive Random Access Memory » . [Masters Thesis]. Université de Sherbrooke; 2015. Available from: http://hdl.handle.net/11143/6041


Université de Sherbrooke

2. Labalette, Marina. Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS .

Degree: 2018, Université de Sherbrooke

Les dispositifs mémoires résistives, notamment ceux à base d’oxyde de commutation OxRRAM, se placent parmi les dispositifs mémoires émergentes les plus attractifs pour remplacer les technologies dynamic random acces memory (DRAM) et Flash grâce à leur faible coût de fabrication, les faibles tensions et courants nécessaires à leur fonctionnement, ainsi que leur fort potentiel d’intégration dans le back end of line (BEOL) de la technologie complementary metal oxyde semiconductor (CMOS). Ce dernier avantage réside dans le fait qu’il s’agit de dispositifs à deux terminaux facilement agençables en matrices crossbar. Cependant de gros problèmes de courant de fuite et de courants parasites entravent l’utilisation de ces matrices crossbar, et différentes options sont alors possibles dont le remplacement des dispositifs mémoires unitaires par des dispositifs mémoires résistives complémentaires (CRS). Les CRS ne sont autres que deux dispositifs oxide random access memory (OxRRAM) mis dos à dos et possèdent dans leur caractéristique électrique globale une non-linéarité intrinsèque pour les deux états de stockage ‘0’ et ‘1’ ainsi qu’un comportement auto-redresseur leur permettant de combiner à la fois les avantages d’un sélecteur et d’un transistor associé au point mémoire. Cette thèse porte alors sur les travaux de fabrication et caractérisations électriques de dispositifs OxRRAM et CRS sur substrats silicium (Si) et puces CMOS provenant de la technologie C040 de STMicroelectronics. Le procédé nanodamascène employé pour fabriquer les dispositifs offre deux avantages majeurs : il ne nécessite aucune étape supplémentaire dans la fabrication de CRS par rapport aux dispositifs OxRRAM et il permet d’envisager une intégration 3D monolithique agressive. Tout d’abord des caractérisations morphologiques de haute résolution ont permis de valider l’intégrité des dispositifs fabriqués. Ensuite, une étude étendue des caractérisations électriques en mode quasi-statique (QS) et configuration 1R des dispositifs OxRRAM a permis d’appréhender leur fonctionnement et d’étudier les mécanismes de conduction des différents états : Pristine, low resistance state (LRS) et high resistance state (HRS). Puis, la réalisation et la caractérisation en mode QS et pulsé de configurations 1T1R a permis de démontrer l’avantage du transistor de contrôle pour limiter le courant dans la cellule lors des opérations de FORMAGE et de SET, ce qui augmente considérablement le nombre de cycles tout en vérifiant la compatibilité BEOL du procédé. Enfin, la preuve de concept du fonctionnement de dispositifs CRS fabriqués en utilisant le procédé nanodamascène a été validée, et le potentiel d’intégration de tels dispositifs dans des matrices crossbar hautes densités pour de l’intégration 3D monolithique a été discuté. Les résultats de cette thèse ont permis d’apporter une preuve de concept de la fabrication de dispositifs CRS en utilisant le procédé nanodamascène, d’étudier en détails les caractéristiques des OxRRAM les constituant, et ainsi de pouvoir discuter et… Advisors/Committee Members: Drouin, Dominique (advisor), Souifi, Abdelkader (advisor), Ecoffey, Serge (advisor).

Subjects/Keywords: Filière CMOS; Mémoires résistives OxRRAM; Dispositifs CRS; Intégration monolithique BEOL; Caractérisations en mode QS et pulsé; Architecture mémoire haute densité; Configuration 1T1R; Oxide based resistive memories OxRRAM; CRS dispositive; CMOS BEOL; 3D monolithic integration; DC and pulsed electrical characterization; High density of integration; 1T1R configuration

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APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Labalette, M. (2018). Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS . (Doctoral Dissertation). Université de Sherbrooke. Retrieved from http://hdl.handle.net/11143/12267

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Labalette, Marina. “Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS .” 2018. Doctoral Dissertation, Université de Sherbrooke. Accessed January 24, 2020. http://hdl.handle.net/11143/12267.

MLA Handbook (7th Edition):

Labalette, Marina. “Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS .” 2018. Web. 24 Jan 2020.

Vancouver:

Labalette M. Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS . [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Sherbrooke; 2018. [cited 2020 Jan 24]. Available from: http://hdl.handle.net/11143/12267.

Council of Science Editors:

Labalette M. Intégration 3D de mémoires résistives complémentaires dans le back-end-of-line du CMOS . [Doctoral Dissertation]. Université de Sherbrooke; 2018. Available from: http://hdl.handle.net/11143/12267

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