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Université de Grenoble

1. Morel, Paul-Henry. Etude de de l'intégration 3D et des propriétés physiques de nanofils de silicium obtenus par croissance. Réalisation de capacités ultra-denses : Study of the grown silicon nanowire 3D integration and physical properties – Fabrication of high density capacitors.

Degree: Docteur es, Sciences et technologie industrielles, 2011, Université de Grenoble

L'évolution de la microélectronique est rythmée par l'augmentation constante du nombre de transistors intégrés dans chaque circuit grâce à la miniaturisation des dispositifs. Face à… (more)

Subjects/Keywords: Microélectronique; Nanotechnologies; Nanofil CVD; Intégration; Capacité; Croissance; Microelectronics; Nanotechnologies; CVD nanowires; Integration; Capacitor; Growth

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APA (6th Edition):

Morel, P. (2011). Etude de de l'intégration 3D et des propriétés physiques de nanofils de silicium obtenus par croissance. Réalisation de capacités ultra-denses : Study of the grown silicon nanowire 3D integration and physical properties – Fabrication of high density capacitors. (Doctoral Dissertation). Université de Grenoble. Retrieved from http://www.theses.fr/2011GRENT071

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Morel, Paul-Henry. “Etude de de l'intégration 3D et des propriétés physiques de nanofils de silicium obtenus par croissance. Réalisation de capacités ultra-denses : Study of the grown silicon nanowire 3D integration and physical properties – Fabrication of high density capacitors.” 2011. Doctoral Dissertation, Université de Grenoble. Accessed December 08, 2019. http://www.theses.fr/2011GRENT071.

MLA Handbook (7th Edition):

Morel, Paul-Henry. “Etude de de l'intégration 3D et des propriétés physiques de nanofils de silicium obtenus par croissance. Réalisation de capacités ultra-denses : Study of the grown silicon nanowire 3D integration and physical properties – Fabrication of high density capacitors.” 2011. Web. 08 Dec 2019.

Vancouver:

Morel P. Etude de de l'intégration 3D et des propriétés physiques de nanofils de silicium obtenus par croissance. Réalisation de capacités ultra-denses : Study of the grown silicon nanowire 3D integration and physical properties – Fabrication of high density capacitors. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Grenoble; 2011. [cited 2019 Dec 08]. Available from: http://www.theses.fr/2011GRENT071.

Council of Science Editors:

Morel P. Etude de de l'intégration 3D et des propriétés physiques de nanofils de silicium obtenus par croissance. Réalisation de capacités ultra-denses : Study of the grown silicon nanowire 3D integration and physical properties – Fabrication of high density capacitors. [Doctoral Dissertation]. Université de Grenoble; 2011. Available from: http://www.theses.fr/2011GRENT071


Université de Grenoble

2. Gay, Guillaume. Nanocristaux pour les mémoires flash : multicouches, métalliques et organisés : Nanocrystals for flash memories : multilayers, metallics and organized.

Degree: Docteur es, Sciences et technologie industrielles, 2012, Université de Grenoble

Les deux principales limitations des mémoires non-volatiles de type Flash à stockage de charges dans des nanocristaux en silicium sont la faible fenêtre mémoire et… (more)

Subjects/Keywords: Mémoires flash; Non-volatiles; Nanocristaux; Métal; Auto-organisation; Flash memories; Non-volatile; Nanocrystals; Metal; Self-organization

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APA (6th Edition):

Gay, G. (2012). Nanocristaux pour les mémoires flash : multicouches, métalliques et organisés : Nanocrystals for flash memories : multilayers, metallics and organized. (Doctoral Dissertation). Université de Grenoble. Retrieved from http://www.theses.fr/2012GRENT087

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Gay, Guillaume. “Nanocristaux pour les mémoires flash : multicouches, métalliques et organisés : Nanocrystals for flash memories : multilayers, metallics and organized.” 2012. Doctoral Dissertation, Université de Grenoble. Accessed December 08, 2019. http://www.theses.fr/2012GRENT087.

MLA Handbook (7th Edition):

Gay, Guillaume. “Nanocristaux pour les mémoires flash : multicouches, métalliques et organisés : Nanocrystals for flash memories : multilayers, metallics and organized.” 2012. Web. 08 Dec 2019.

Vancouver:

Gay G. Nanocristaux pour les mémoires flash : multicouches, métalliques et organisés : Nanocrystals for flash memories : multilayers, metallics and organized. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Grenoble; 2012. [cited 2019 Dec 08]. Available from: http://www.theses.fr/2012GRENT087.

Council of Science Editors:

Gay G. Nanocristaux pour les mémoires flash : multicouches, métalliques et organisés : Nanocrystals for flash memories : multilayers, metallics and organized. [Doctoral Dissertation]. Université de Grenoble; 2012. Available from: http://www.theses.fr/2012GRENT087


Université de Grenoble

3. Rosaz, Guillaume. Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil : 3D Integration of Si/SiGe heterostructured nanowires for nanowire transistors.

Degree: Docteur es, Sciences et technologie industrielles, 2012, Université de Grenoble

Le but de cette thèse est de réaliser et d’étudier les propriétés électroniques d’un transistor à canal nanofil monocristallin à base de Si/SiGe (voir figure),… (more)

Subjects/Keywords: Nanofil; Intégration 3D; Transistor vertical; Hétérostructures; SiGe; Grille enrobante; Nanowire; 3D Integration; Vertical Transistor; Heterostructure; SiGe; Wrap gate

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APA (6th Edition):

Rosaz, G. (2012). Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil : 3D Integration of Si/SiGe heterostructured nanowires for nanowire transistors. (Doctoral Dissertation). Université de Grenoble. Retrieved from http://www.theses.fr/2012GRENT108

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Rosaz, Guillaume. “Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil : 3D Integration of Si/SiGe heterostructured nanowires for nanowire transistors.” 2012. Doctoral Dissertation, Université de Grenoble. Accessed December 08, 2019. http://www.theses.fr/2012GRENT108.

MLA Handbook (7th Edition):

Rosaz, Guillaume. “Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil : 3D Integration of Si/SiGe heterostructured nanowires for nanowire transistors.” 2012. Web. 08 Dec 2019.

Vancouver:

Rosaz G. Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil : 3D Integration of Si/SiGe heterostructured nanowires for nanowire transistors. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Grenoble; 2012. [cited 2019 Dec 08]. Available from: http://www.theses.fr/2012GRENT108.

Council of Science Editors:

Rosaz G. Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil : 3D Integration of Si/SiGe heterostructured nanowires for nanowire transistors. [Doctoral Dissertation]. Université de Grenoble; 2012. Available from: http://www.theses.fr/2012GRENT108


Université de Grenoble

4. Periwal, Priyanka. VLS growth and characterization of axial Si-SiGe heterostructured nanowire for tunnel field effect transistors : VLS croissance et caractérisation de axiale Si/SiGe heterostructured nanofils pour la réalisation de tunnel FET.

Degree: Docteur es, Nanoélectronique et nanotechnologie, 2014, Université de Grenoble

L'augmentation des performances des circuits intégrés s'est effectué durant les trentes dernières années par la miniaturisation du composant clé à savoir le transistor MOSFET. Cette… (more)

Subjects/Keywords: Nanofils; Silicium; Germanium; Dopage; Hétérostructures axiales; Microscopie à sonde locale; CVD; Nanowires; Silicon; Germanium; Axial heterostructures; CVD; Doping; Abruptness; Scanning probe microscopy; 620

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APA (6th Edition):

Periwal, P. (2014). VLS growth and characterization of axial Si-SiGe heterostructured nanowire for tunnel field effect transistors : VLS croissance et caractérisation de axiale Si/SiGe heterostructured nanofils pour la réalisation de tunnel FET. (Doctoral Dissertation). Université de Grenoble. Retrieved from http://www.theses.fr/2014GRENT045

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Periwal, Priyanka. “VLS growth and characterization of axial Si-SiGe heterostructured nanowire for tunnel field effect transistors : VLS croissance et caractérisation de axiale Si/SiGe heterostructured nanofils pour la réalisation de tunnel FET.” 2014. Doctoral Dissertation, Université de Grenoble. Accessed December 08, 2019. http://www.theses.fr/2014GRENT045.

MLA Handbook (7th Edition):

Periwal, Priyanka. “VLS growth and characterization of axial Si-SiGe heterostructured nanowire for tunnel field effect transistors : VLS croissance et caractérisation de axiale Si/SiGe heterostructured nanofils pour la réalisation de tunnel FET.” 2014. Web. 08 Dec 2019.

Vancouver:

Periwal P. VLS growth and characterization of axial Si-SiGe heterostructured nanowire for tunnel field effect transistors : VLS croissance et caractérisation de axiale Si/SiGe heterostructured nanofils pour la réalisation de tunnel FET. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Grenoble; 2014. [cited 2019 Dec 08]. Available from: http://www.theses.fr/2014GRENT045.

Council of Science Editors:

Periwal P. VLS growth and characterization of axial Si-SiGe heterostructured nanowire for tunnel field effect transistors : VLS croissance et caractérisation de axiale Si/SiGe heterostructured nanofils pour la réalisation de tunnel FET. [Doctoral Dissertation]. Université de Grenoble; 2014. Available from: http://www.theses.fr/2014GRENT045


Université de Grenoble

5. Serre, Pauline. Etude des propriétés structurales et électriques de réseaux aléatoires de nanofils de silicium. Application à la détection d'ADN : Study of the structural and electrical properties of random silicon nanowire networks. Application to DNA detectioN.

Degree: Docteur es, Nanoélectronique et nanotechnologie, 2014, Université de Grenoble

Un « Nanonet », acronyme pour « NANOstructured NETwork », est défini comme un réseau de nanostructures unidimensionnelles à fort facteur de forme et aléatoirement… (more)

Subjects/Keywords: Nanonet; Nanofils de silicium; Percolation; Conduction électrique; Puce à ADN; Détection par fluorescence; Nanonet; Silicon nanowires; Percolation; Electrical conduction; DNA chip; Fluorescence detection; 620

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APA (6th Edition):

Serre, P. (2014). Etude des propriétés structurales et électriques de réseaux aléatoires de nanofils de silicium. Application à la détection d'ADN : Study of the structural and electrical properties of random silicon nanowire networks. Application to DNA detectioN. (Doctoral Dissertation). Université de Grenoble. Retrieved from http://www.theses.fr/2014GRENT110

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Serre, Pauline. “Etude des propriétés structurales et électriques de réseaux aléatoires de nanofils de silicium. Application à la détection d'ADN : Study of the structural and electrical properties of random silicon nanowire networks. Application to DNA detectioN.” 2014. Doctoral Dissertation, Université de Grenoble. Accessed December 08, 2019. http://www.theses.fr/2014GRENT110.

MLA Handbook (7th Edition):

Serre, Pauline. “Etude des propriétés structurales et électriques de réseaux aléatoires de nanofils de silicium. Application à la détection d'ADN : Study of the structural and electrical properties of random silicon nanowire networks. Application to DNA detectioN.” 2014. Web. 08 Dec 2019.

Vancouver:

Serre P. Etude des propriétés structurales et électriques de réseaux aléatoires de nanofils de silicium. Application à la détection d'ADN : Study of the structural and electrical properties of random silicon nanowire networks. Application to DNA detectioN. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Grenoble; 2014. [cited 2019 Dec 08]. Available from: http://www.theses.fr/2014GRENT110.

Council of Science Editors:

Serre P. Etude des propriétés structurales et électriques de réseaux aléatoires de nanofils de silicium. Application à la détection d'ADN : Study of the structural and electrical properties of random silicon nanowire networks. Application to DNA detectioN. [Doctoral Dissertation]. Université de Grenoble; 2014. Available from: http://www.theses.fr/2014GRENT110

6. Potié, Alexis. Etude de la croissance de nanofils de Si Ge et caractérisation par microscopie à force atomique : Study of SiGe nanowires growth by chemical vapour deposition and characterization by atomic force microscopy.

Degree: Docteur es, Sciences et technologie industrielles, 2012, Université de Grenoble

Étude de la croissance de nanofils de SiGe par dépôt chimique en phase vapeur et caractérisation par microscopie à force atomique. Les nanofils semi-conducteurs constituent… (more)

Subjects/Keywords: Microélectronique; Nanotechnologies; Nanofils; Silicium; Germanium; CVD; Catalyseurs alternatifs; Caractérisation; AFM; Nanomanipulation; III-V; Microelectronics; Nanotechnology; Nanowire; Silicon; Germanium; CVD; Alternative catalysts; Characterization; AFM; Nanomanipulation; III-V

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APA (6th Edition):

Potié, A. (2012). Etude de la croissance de nanofils de Si Ge et caractérisation par microscopie à force atomique : Study of SiGe nanowires growth by chemical vapour deposition and characterization by atomic force microscopy. (Doctoral Dissertation). Université de Grenoble. Retrieved from http://www.theses.fr/2012GRENT008

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Potié, Alexis. “Etude de la croissance de nanofils de Si Ge et caractérisation par microscopie à force atomique : Study of SiGe nanowires growth by chemical vapour deposition and characterization by atomic force microscopy.” 2012. Doctoral Dissertation, Université de Grenoble. Accessed December 08, 2019. http://www.theses.fr/2012GRENT008.

MLA Handbook (7th Edition):

Potié, Alexis. “Etude de la croissance de nanofils de Si Ge et caractérisation par microscopie à force atomique : Study of SiGe nanowires growth by chemical vapour deposition and characterization by atomic force microscopy.” 2012. Web. 08 Dec 2019.

Vancouver:

Potié A. Etude de la croissance de nanofils de Si Ge et caractérisation par microscopie à force atomique : Study of SiGe nanowires growth by chemical vapour deposition and characterization by atomic force microscopy. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université de Grenoble; 2012. [cited 2019 Dec 08]. Available from: http://www.theses.fr/2012GRENT008.

Council of Science Editors:

Potié A. Etude de la croissance de nanofils de Si Ge et caractérisation par microscopie à force atomique : Study of SiGe nanowires growth by chemical vapour deposition and characterization by atomic force microscopy. [Doctoral Dissertation]. Université de Grenoble; 2012. Available from: http://www.theses.fr/2012GRENT008

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