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You searched for +publisher:"Université Lille I – Sciences et Technologies" +contributor:("Wallart, Xavier"). Showing records 1 – 4 of 4 total matches.

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1. El Kazzi, Salim. Croissance épitaxiale d'hétérostructures antimoniées sur substrats fortement désadaptés en maille pour applications aux transistors à effet de champ : Epitaxial growth of Sb-based heterostructures on highly mismatched substrates for field effect transistor applications.

Degree: Docteur es, Micro et nanotechnologie, acoustique et télécommunication, 2012, Université Lille I – Sciences et Technologies

La nécessité de diminuer la consommation à la fois des systèmes autonomes communicants à haute fréquence et des circuits CMOS implique l’utilisation de transistors fonctionnant… (more)

Subjects/Keywords: Systèmes autonomes communicants; 621.381 528 4

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APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

El Kazzi, S. (2012). Croissance épitaxiale d'hétérostructures antimoniées sur substrats fortement désadaptés en maille pour applications aux transistors à effet de champ : Epitaxial growth of Sb-based heterostructures on highly mismatched substrates for field effect transistor applications. (Doctoral Dissertation). Université Lille I – Sciences et Technologies. Retrieved from http://www.theses.fr/2012LIL10053

Chicago Manual of Style (16th Edition):

El Kazzi, Salim. “Croissance épitaxiale d'hétérostructures antimoniées sur substrats fortement désadaptés en maille pour applications aux transistors à effet de champ : Epitaxial growth of Sb-based heterostructures on highly mismatched substrates for field effect transistor applications.” 2012. Doctoral Dissertation, Université Lille I – Sciences et Technologies. Accessed November 22, 2019. http://www.theses.fr/2012LIL10053.

MLA Handbook (7th Edition):

El Kazzi, Salim. “Croissance épitaxiale d'hétérostructures antimoniées sur substrats fortement désadaptés en maille pour applications aux transistors à effet de champ : Epitaxial growth of Sb-based heterostructures on highly mismatched substrates for field effect transistor applications.” 2012. Web. 22 Nov 2019.

Vancouver:

El Kazzi S. Croissance épitaxiale d'hétérostructures antimoniées sur substrats fortement désadaptés en maille pour applications aux transistors à effet de champ : Epitaxial growth of Sb-based heterostructures on highly mismatched substrates for field effect transistor applications. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Lille I – Sciences et Technologies; 2012. [cited 2019 Nov 22]. Available from: http://www.theses.fr/2012LIL10053.

Council of Science Editors:

El Kazzi S. Croissance épitaxiale d'hétérostructures antimoniées sur substrats fortement désadaptés en maille pour applications aux transistors à effet de champ : Epitaxial growth of Sb-based heterostructures on highly mismatched substrates for field effect transistor applications. [Doctoral Dissertation]. Université Lille I – Sciences et Technologies; 2012. Available from: http://www.theses.fr/2012LIL10053

2. Fahed, Maria. Selective area growth of in-plane III-V nanostructures using molecular beam epitaxy : Croissance localisée dans le plan des nanostructures III-V par épitaxie par jets moléculaires.

Degree: Docteur es, Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications, 2016, Université Lille I – Sciences et Technologies

Pour répondre aux défis matériaux relatifs à l’intégration des semiconducteurs III-V sur silicium, l’utilisation de nanostructures telles les boîtes quantiques et les nanofils s’avère une… (more)

Subjects/Keywords: Croissance localisée; 621.381 52

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APA (6th Edition):

Fahed, M. (2016). Selective area growth of in-plane III-V nanostructures using molecular beam epitaxy : Croissance localisée dans le plan des nanostructures III-V par épitaxie par jets moléculaires. (Doctoral Dissertation). Université Lille I – Sciences et Technologies. Retrieved from http://www.theses.fr/2016LIL10114

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Fahed, Maria. “Selective area growth of in-plane III-V nanostructures using molecular beam epitaxy : Croissance localisée dans le plan des nanostructures III-V par épitaxie par jets moléculaires.” 2016. Doctoral Dissertation, Université Lille I – Sciences et Technologies. Accessed November 22, 2019. http://www.theses.fr/2016LIL10114.

MLA Handbook (7th Edition):

Fahed, Maria. “Selective area growth of in-plane III-V nanostructures using molecular beam epitaxy : Croissance localisée dans le plan des nanostructures III-V par épitaxie par jets moléculaires.” 2016. Web. 22 Nov 2019.

Vancouver:

Fahed M. Selective area growth of in-plane III-V nanostructures using molecular beam epitaxy : Croissance localisée dans le plan des nanostructures III-V par épitaxie par jets moléculaires. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Lille I – Sciences et Technologies; 2016. [cited 2019 Nov 22]. Available from: http://www.theses.fr/2016LIL10114.

Council of Science Editors:

Fahed M. Selective area growth of in-plane III-V nanostructures using molecular beam epitaxy : Croissance localisée dans le plan des nanostructures III-V par épitaxie par jets moléculaires. [Doctoral Dissertation]. Université Lille I – Sciences et Technologies; 2016. Available from: http://www.theses.fr/2016LIL10114

3. Demonchaux, Thomas. Étude de semiconducteurs III-V non-stoechiométriques pour l'échantillonnage de signaux hyperfréquences : Study of non-stoichiometric III-V semiconductors for microwave signals sampling.

Degree: Docteur es, Électronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes, 2018, Université Lille I – Sciences et Technologies

L’arséniure de gallium épitaxié à basse température (GaAs-BT) présente des propriétés d’intérêt pour l’opto-électronique. Ses propriétés sont liées à la présence de défauts ponctuels à… (more)

Subjects/Keywords: Pompe sonde optique; 621.381 52

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APA (6th Edition):

Demonchaux, T. (2018). Étude de semiconducteurs III-V non-stoechiométriques pour l'échantillonnage de signaux hyperfréquences : Study of non-stoichiometric III-V semiconductors for microwave signals sampling. (Doctoral Dissertation). Université Lille I – Sciences et Technologies. Retrieved from http://www.theses.fr/2018LIL1I049

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Demonchaux, Thomas. “Étude de semiconducteurs III-V non-stoechiométriques pour l'échantillonnage de signaux hyperfréquences : Study of non-stoichiometric III-V semiconductors for microwave signals sampling.” 2018. Doctoral Dissertation, Université Lille I – Sciences et Technologies. Accessed November 22, 2019. http://www.theses.fr/2018LIL1I049.

MLA Handbook (7th Edition):

Demonchaux, Thomas. “Étude de semiconducteurs III-V non-stoechiométriques pour l'échantillonnage de signaux hyperfréquences : Study of non-stoichiometric III-V semiconductors for microwave signals sampling.” 2018. Web. 22 Nov 2019.

Vancouver:

Demonchaux T. Étude de semiconducteurs III-V non-stoechiométriques pour l'échantillonnage de signaux hyperfréquences : Study of non-stoichiometric III-V semiconductors for microwave signals sampling. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Lille I – Sciences et Technologies; 2018. [cited 2019 Nov 22]. Available from: http://www.theses.fr/2018LIL1I049.

Council of Science Editors:

Demonchaux T. Étude de semiconducteurs III-V non-stoechiométriques pour l'échantillonnage de signaux hyperfréquences : Study of non-stoichiometric III-V semiconductors for microwave signals sampling. [Doctoral Dissertation]. Université Lille I – Sciences et Technologies; 2018. Available from: http://www.theses.fr/2018LIL1I049

4. Chinni, Vinay Kumar. AlGaSb/InAs vertical tunnel field effect transistors for low power electronics : Transistors à effet tunnel vertical à hétérojonction AlGaSb/InAs pour électronique basse consommation.

Degree: Docteur es, Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications, 2017, Université Lille I – Sciences et Technologies

Depuis une dizaine d’années, la miniaturisation des circuits microélectroniques silicium est freinée par l’augmentation de la densité de puissance consommée car la réduction de la… (more)

Subjects/Keywords: TFET; Pente sous le seuil; 621.381 528

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APA (6th Edition):

Chinni, V. K. (2017). AlGaSb/InAs vertical tunnel field effect transistors for low power electronics : Transistors à effet tunnel vertical à hétérojonction AlGaSb/InAs pour électronique basse consommation. (Doctoral Dissertation). Université Lille I – Sciences et Technologies. Retrieved from http://www.theses.fr/2017LIL10022

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Chinni, Vinay Kumar. “AlGaSb/InAs vertical tunnel field effect transistors for low power electronics : Transistors à effet tunnel vertical à hétérojonction AlGaSb/InAs pour électronique basse consommation.” 2017. Doctoral Dissertation, Université Lille I – Sciences et Technologies. Accessed November 22, 2019. http://www.theses.fr/2017LIL10022.

MLA Handbook (7th Edition):

Chinni, Vinay Kumar. “AlGaSb/InAs vertical tunnel field effect transistors for low power electronics : Transistors à effet tunnel vertical à hétérojonction AlGaSb/InAs pour électronique basse consommation.” 2017. Web. 22 Nov 2019.

Vancouver:

Chinni VK. AlGaSb/InAs vertical tunnel field effect transistors for low power electronics : Transistors à effet tunnel vertical à hétérojonction AlGaSb/InAs pour électronique basse consommation. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Lille I – Sciences et Technologies; 2017. [cited 2019 Nov 22]. Available from: http://www.theses.fr/2017LIL10022.

Council of Science Editors:

Chinni VK. AlGaSb/InAs vertical tunnel field effect transistors for low power electronics : Transistors à effet tunnel vertical à hétérojonction AlGaSb/InAs pour électronique basse consommation. [Doctoral Dissertation]. Université Lille I – Sciences et Technologies; 2017. Available from: http://www.theses.fr/2017LIL10022

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