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You searched for +publisher:"Université Claude Bernard – Lyon I" +contributor:("Ferro, Gabriel"). Showing records 1 – 5 of 5 total matches.

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1. Alassaad, Kassem. Addition of Ge to the H-Si-C chemical system during SiC epitaxy : Addition de Ge dans le système chimique H-Si-C durant l'épitaxie de SiC.

Degree: Docteur es, Matériaux, 2014, Université Claude Bernard – Lyon I

Ce travail concerne l'ajout de GeH4 au système de précurseurs gazeux classique SiH4+C3H8 pour la croissance épitaxiale de SiC par dépôt chimique en phase vapeur.… (more)

Subjects/Keywords: 4H-SiC; Homoépitaxie; GeH4; Incorporation de Ge; Mécanisme de croissance; 3C-SiC; Hétéroépitaxie; 4H-SiC; Homoepiataxy; GeH4; Ge incorporation; Growth mechanism; 3C-SiC; Heteroepitaxy; 530

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APA (6th Edition):

Alassaad, K. (2014). Addition of Ge to the H-Si-C chemical system during SiC epitaxy : Addition de Ge dans le système chimique H-Si-C durant l'épitaxie de SiC. (Doctoral Dissertation). Université Claude Bernard – Lyon I. Retrieved from http://www.theses.fr/2014LYO10216

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Alassaad, Kassem. “Addition of Ge to the H-Si-C chemical system during SiC epitaxy : Addition de Ge dans le système chimique H-Si-C durant l'épitaxie de SiC.” 2014. Doctoral Dissertation, Université Claude Bernard – Lyon I. Accessed April 22, 2019. http://www.theses.fr/2014LYO10216.

MLA Handbook (7th Edition):

Alassaad, Kassem. “Addition of Ge to the H-Si-C chemical system during SiC epitaxy : Addition de Ge dans le système chimique H-Si-C durant l'épitaxie de SiC.” 2014. Web. 22 Apr 2019.

Vancouver:

Alassaad K. Addition of Ge to the H-Si-C chemical system during SiC epitaxy : Addition de Ge dans le système chimique H-Si-C durant l'épitaxie de SiC. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Claude Bernard – Lyon I; 2014. [cited 2019 Apr 22]. Available from: http://www.theses.fr/2014LYO10216.

Council of Science Editors:

Alassaad K. Addition of Ge to the H-Si-C chemical system during SiC epitaxy : Addition de Ge dans le système chimique H-Si-C durant l'épitaxie de SiC. [Doctoral Dissertation]. Université Claude Bernard – Lyon I; 2014. Available from: http://www.theses.fr/2014LYO10216

2. Kim-Hak, Olivier. Étude de la nucléation du SiC cubique sur substrats de SiC hexagonaux à partir d’une phase liquide Si-Ge : Study of the nucleation of cubic SiC on hexagonal SiC substrates from a Si-Ge liquid phase.

Degree: Docteur es, Chimie des matériaux, 2009, Université Claude Bernard – Lyon I

L'objectif de ce travail était de comprendre les mécanismes menant à la formation de SiC-3C sur substrats de SiC hexagonaux lors de la croissance par… (more)

Subjects/Keywords: Nucléation; SiC; Ilots; Epitaxie; EBSD; Phase liquide; Nucleation; SiC; Islands; Epitaxy; EBSD; Liquid phase

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APA (6th Edition):

Kim-Hak, O. (2009). Étude de la nucléation du SiC cubique sur substrats de SiC hexagonaux à partir d’une phase liquide Si-Ge : Study of the nucleation of cubic SiC on hexagonal SiC substrates from a Si-Ge liquid phase. (Doctoral Dissertation). Université Claude Bernard – Lyon I. Retrieved from http://www.theses.fr/2009LYO10140

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Kim-Hak, Olivier. “Étude de la nucléation du SiC cubique sur substrats de SiC hexagonaux à partir d’une phase liquide Si-Ge : Study of the nucleation of cubic SiC on hexagonal SiC substrates from a Si-Ge liquid phase.” 2009. Doctoral Dissertation, Université Claude Bernard – Lyon I. Accessed April 22, 2019. http://www.theses.fr/2009LYO10140.

MLA Handbook (7th Edition):

Kim-Hak, Olivier. “Étude de la nucléation du SiC cubique sur substrats de SiC hexagonaux à partir d’une phase liquide Si-Ge : Study of the nucleation of cubic SiC on hexagonal SiC substrates from a Si-Ge liquid phase.” 2009. Web. 22 Apr 2019.

Vancouver:

Kim-Hak O. Étude de la nucléation du SiC cubique sur substrats de SiC hexagonaux à partir d’une phase liquide Si-Ge : Study of the nucleation of cubic SiC on hexagonal SiC substrates from a Si-Ge liquid phase. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Claude Bernard – Lyon I; 2009. [cited 2019 Apr 22]. Available from: http://www.theses.fr/2009LYO10140.

Council of Science Editors:

Kim-Hak O. Étude de la nucléation du SiC cubique sur substrats de SiC hexagonaux à partir d’une phase liquide Si-Ge : Study of the nucleation of cubic SiC on hexagonal SiC substrates from a Si-Ge liquid phase. [Doctoral Dissertation]. Université Claude Bernard – Lyon I; 2009. Available from: http://www.theses.fr/2009LYO10140

3. Da Conceicao Lorenzzi, Jean Carlos. Growth and doping of heteroepitaxial 3C-SiC layers on α-SiC substrates using Vapour-Liquid-Solid mechanism : La croissance et le dopage de couches 3C-SiC hétéroépitaxiales sur des substrats α-SiC en utilisant le mécanisme vapeur-liquide-solide.

Degree: Docteur es, Matériaux, 2010, Université Claude Bernard – Lyon I

L'utilisation récente d'une voie originale de croissance cristalline basée sur les mécanismes vapeur-liquide-solide (VLS) à partir d'un bain Ge-Si a permis des améliorations importantes de… (more)

Subjects/Keywords: SiC-3C; Hétéroépitaxie; Mécanismes vapeur-liquide-solide (VLS); Caractérisation de semiconducteur; Dopage; Couche mince; Condensateurs MOS; 3C-SiC; Heteroepitaxy; Vapour-liquid-solid (VLS) mechanism; Semiconductor characterisation; Doping; Thin film; MOS capacitors; 660.282

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APA (6th Edition):

Da Conceicao Lorenzzi, J. C. (2010). Growth and doping of heteroepitaxial 3C-SiC layers on α-SiC substrates using Vapour-Liquid-Solid mechanism : La croissance et le dopage de couches 3C-SiC hétéroépitaxiales sur des substrats α-SiC en utilisant le mécanisme vapeur-liquide-solide. (Doctoral Dissertation). Université Claude Bernard – Lyon I. Retrieved from http://www.theses.fr/2010LYO10179

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Da Conceicao Lorenzzi, Jean Carlos. “Growth and doping of heteroepitaxial 3C-SiC layers on α-SiC substrates using Vapour-Liquid-Solid mechanism : La croissance et le dopage de couches 3C-SiC hétéroépitaxiales sur des substrats α-SiC en utilisant le mécanisme vapeur-liquide-solide.” 2010. Doctoral Dissertation, Université Claude Bernard – Lyon I. Accessed April 22, 2019. http://www.theses.fr/2010LYO10179.

MLA Handbook (7th Edition):

Da Conceicao Lorenzzi, Jean Carlos. “Growth and doping of heteroepitaxial 3C-SiC layers on α-SiC substrates using Vapour-Liquid-Solid mechanism : La croissance et le dopage de couches 3C-SiC hétéroépitaxiales sur des substrats α-SiC en utilisant le mécanisme vapeur-liquide-solide.” 2010. Web. 22 Apr 2019.

Vancouver:

Da Conceicao Lorenzzi JC. Growth and doping of heteroepitaxial 3C-SiC layers on α-SiC substrates using Vapour-Liquid-Solid mechanism : La croissance et le dopage de couches 3C-SiC hétéroépitaxiales sur des substrats α-SiC en utilisant le mécanisme vapeur-liquide-solide. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Claude Bernard – Lyon I; 2010. [cited 2019 Apr 22]. Available from: http://www.theses.fr/2010LYO10179.

Council of Science Editors:

Da Conceicao Lorenzzi JC. Growth and doping of heteroepitaxial 3C-SiC layers on α-SiC substrates using Vapour-Liquid-Solid mechanism : La croissance et le dopage de couches 3C-SiC hétéroépitaxiales sur des substrats α-SiC en utilisant le mécanisme vapeur-liquide-solide. [Doctoral Dissertation]. Université Claude Bernard – Lyon I; 2010. Available from: http://www.theses.fr/2010LYO10179

4. Vo-Ha, Arthur. Croissance localisée par transport VLS de carbure de silicium sur substrats SiC et diamant pour des applications en électronique de puissance : Localized growth of silicon carbide by VLS transport on SiC and diamond substrates for power electronics devices.

Degree: Docteur es, Science des matériaux, 2014, Université Claude Bernard – Lyon I

La croissance localisée de SiC dopé p par un mécanisme Vapeur-Liquide-Solide (VLS) a été effectuée sur substrats SiC-4H (0001) 8°off et diamant (100). Pour ce… (more)

Subjects/Keywords: SiC; Diamant; Épitaxie; VLS localisée; Dopage p; SiC; Diamond; Epitaxy; Localised VLS; P-type doping; 620.11

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APA (6th Edition):

Vo-Ha, A. (2014). Croissance localisée par transport VLS de carbure de silicium sur substrats SiC et diamant pour des applications en électronique de puissance : Localized growth of silicon carbide by VLS transport on SiC and diamond substrates for power electronics devices. (Doctoral Dissertation). Université Claude Bernard – Lyon I. Retrieved from http://www.theses.fr/2014LYO10008

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Vo-Ha, Arthur. “Croissance localisée par transport VLS de carbure de silicium sur substrats SiC et diamant pour des applications en électronique de puissance : Localized growth of silicon carbide by VLS transport on SiC and diamond substrates for power electronics devices.” 2014. Doctoral Dissertation, Université Claude Bernard – Lyon I. Accessed April 22, 2019. http://www.theses.fr/2014LYO10008.

MLA Handbook (7th Edition):

Vo-Ha, Arthur. “Croissance localisée par transport VLS de carbure de silicium sur substrats SiC et diamant pour des applications en électronique de puissance : Localized growth of silicon carbide by VLS transport on SiC and diamond substrates for power electronics devices.” 2014. Web. 22 Apr 2019.

Vancouver:

Vo-Ha A. Croissance localisée par transport VLS de carbure de silicium sur substrats SiC et diamant pour des applications en électronique de puissance : Localized growth of silicon carbide by VLS transport on SiC and diamond substrates for power electronics devices. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Claude Bernard – Lyon I; 2014. [cited 2019 Apr 22]. Available from: http://www.theses.fr/2014LYO10008.

Council of Science Editors:

Vo-Ha A. Croissance localisée par transport VLS de carbure de silicium sur substrats SiC et diamant pour des applications en électronique de puissance : Localized growth of silicon carbide by VLS transport on SiC and diamond substrates for power electronics devices. [Doctoral Dissertation]. Université Claude Bernard – Lyon I; 2014. Available from: http://www.theses.fr/2014LYO10008

5. Gerges, Tony. Préparation et étude de nanostructures 1D de nitrure d'aluminium fabriquées par électrofilage : Preparation and study of AIN nanostructures obtained by electrospinning.

Degree: Docteur es, Matériaux, 2014, Université Claude Bernard – Lyon I

Les nanostructures 1D d'AlN promettent des nouvelles applications dans la technologie des semi-conducteurs, des antennes optiques et des résonateurs nanomécaniques. Elles peuvent également aboutir à… (more)

Subjects/Keywords: AlN; Nanofilaments; Électrofilage; Coextrusion; PDC; AlN; Nanofilaments; Electrospinning; Coextrusion; PDC; 620.11

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APA (6th Edition):

Gerges, T. (2014). Préparation et étude de nanostructures 1D de nitrure d'aluminium fabriquées par électrofilage : Preparation and study of AIN nanostructures obtained by electrospinning. (Doctoral Dissertation). Université Claude Bernard – Lyon I. Retrieved from http://www.theses.fr/2014LYO10319

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Gerges, Tony. “Préparation et étude de nanostructures 1D de nitrure d'aluminium fabriquées par électrofilage : Preparation and study of AIN nanostructures obtained by electrospinning.” 2014. Doctoral Dissertation, Université Claude Bernard – Lyon I. Accessed April 22, 2019. http://www.theses.fr/2014LYO10319.

MLA Handbook (7th Edition):

Gerges, Tony. “Préparation et étude de nanostructures 1D de nitrure d'aluminium fabriquées par électrofilage : Preparation and study of AIN nanostructures obtained by electrospinning.” 2014. Web. 22 Apr 2019.

Vancouver:

Gerges T. Préparation et étude de nanostructures 1D de nitrure d'aluminium fabriquées par électrofilage : Preparation and study of AIN nanostructures obtained by electrospinning. [Internet] [Doctoral dissertation]. Université Claude Bernard – Lyon I; 2014. [cited 2019 Apr 22]. Available from: http://www.theses.fr/2014LYO10319.

Council of Science Editors:

Gerges T. Préparation et étude de nanostructures 1D de nitrure d'aluminium fabriquées par électrofilage : Preparation and study of AIN nanostructures obtained by electrospinning. [Doctoral Dissertation]. Université Claude Bernard – Lyon I; 2014. Available from: http://www.theses.fr/2014LYO10319

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