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You searched for +publisher:"Universidade do Rio Grande do Sul" +contributor:("Wirth, Gilson Inacio"). Showing records 1 – 25 of 25 total matches.

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Universidade do Rio Grande do Sul

1. Paniz, Vitor. Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM).

Degree: 2010, Universidade do Rio Grande do Sul

Nesta dissertação é apresentado o estudo da célula SRAM estática de 6 transistores, com tecnologia CMOS, sendo utilizada em ambiente exposto à radiação. Foi verificado,… (more)

Subjects/Keywords: Transistores; SRAM; CMOS; Circuitos eletrônicos; Dose effect; Simulação numérica; Total ionization dose; Read noise margin; Threshold voltage; Leakage current

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APA (6th Edition):

Paniz, V. (2010). Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM). (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/27264

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Paniz, Vitor. “Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM).” 2010. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/27264.

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MLA Handbook (7th Edition):

Paniz, Vitor. “Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM).” 2010. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Paniz V. Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM). [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2010. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/27264.

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Council of Science Editors:

Paniz V. Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM). [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2010. Available from: http://hdl.handle.net/10183/27264

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Universidade do Rio Grande do Sul

2. Amaral, Raul Vieira. Metodologia de análise da variabilidade em FPGA.

Degree: 2010, Universidade do Rio Grande do Sul

Este trabalho visa propor uma metodologia de análise da variabilidade do tempo de atraso de propagação no FPGA. Para alcançar esse objetivo são utilizados três… (more)

Subjects/Keywords: Electrical engineering; Fpga; FPGA; Circuitos digitais; Sistemas digitais; Variability; Propagation-delay Time; Delay; Within-die

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APA (6th Edition):

Amaral, R. V. (2010). Metodologia de análise da variabilidade em FPGA. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/27934

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Amaral, Raul Vieira. “Metodologia de análise da variabilidade em FPGA.” 2010. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/27934.

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MLA Handbook (7th Edition):

Amaral, Raul Vieira. “Metodologia de análise da variabilidade em FPGA.” 2010. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Amaral RV. Metodologia de análise da variabilidade em FPGA. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2010. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/27934.

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Council of Science Editors:

Amaral RV. Metodologia de análise da variabilidade em FPGA. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2010. Available from: http://hdl.handle.net/10183/27934

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Universidade do Rio Grande do Sul

3. Furtado, Gabriela Firpo. Metodologia determinística para simulação elétrica do impacto de BTI em circuitos MOS.

Degree: 2017, Universidade do Rio Grande do Sul

Aborda-se, nesse trabalho, o fenômeno de envelhecimento de transistores MOS por bias temperature instability (BTI), relevante fator de degradação da confiabilidade e de redução do(more)

Subjects/Keywords: Bias temperature instability; Circuitos integrados; Logic gates; Cmos; Simulação elétrica; Propagation delay; Single event transient; Propagation induced pulse broadening

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APA (6th Edition):

Furtado, G. F. (2017). Metodologia determinística para simulação elétrica do impacto de BTI em circuitos MOS. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/165167

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Furtado, Gabriela Firpo. “Metodologia determinística para simulação elétrica do impacto de BTI em circuitos MOS.” 2017. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/165167.

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MLA Handbook (7th Edition):

Furtado, Gabriela Firpo. “Metodologia determinística para simulação elétrica do impacto de BTI em circuitos MOS.” 2017. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Furtado GF. Metodologia determinística para simulação elétrica do impacto de BTI em circuitos MOS. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2017. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/165167.

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Council of Science Editors:

Furtado GF. Metodologia determinística para simulação elétrica do impacto de BTI em circuitos MOS. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2017. Available from: http://hdl.handle.net/10183/165167

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Universidade do Rio Grande do Sul

4. Rossetto, Alan Carlos Junior. Análise dos efeitos de dose total ionizante em circuitos analógicos CMOS.

Degree: 2014, Universidade do Rio Grande do Sul

Este trabalho apresenta um estudo sobre o comportamento de circuitos analógicos CMOS quando sujeitos aos efeitos de dose total ionizante. Os efeitos de dose total… (more)

Subjects/Keywords: Radiação ionizante; Analog circuits; Radiation; Cmos; Circuitos analógicos; Total ionizing dose

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APA (6th Edition):

Rossetto, A. C. J. (2014). Análise dos efeitos de dose total ionizante em circuitos analógicos CMOS. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/115557

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Rossetto, Alan Carlos Junior. “Análise dos efeitos de dose total ionizante em circuitos analógicos CMOS.” 2014. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/115557.

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MLA Handbook (7th Edition):

Rossetto, Alan Carlos Junior. “Análise dos efeitos de dose total ionizante em circuitos analógicos CMOS.” 2014. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Rossetto ACJ. Análise dos efeitos de dose total ionizante em circuitos analógicos CMOS. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2014. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/115557.

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Council of Science Editors:

Rossetto ACJ. Análise dos efeitos de dose total ionizante em circuitos analógicos CMOS. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2014. Available from: http://hdl.handle.net/10183/115557

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Universidade do Rio Grande do Sul

5. Silva, Michele Gusson Vieira da. Análise automatizada dos efeitos do alargamento de pulso induzido em single event transients.

Degree: 2017, Universidade do Rio Grande do Sul

 Aplicações em ambientes expostos a elevados níveis de radiação ionizante impõem uma série de desafios ao desenvolvimento de projetos de circuitos integrados na tecnologia Complementary… (more)

Subjects/Keywords: CMOS; Microeletrônica; Cmos; Single Event Transiente; Propagation Induced Pulse Broadening; Bias Temperature Instability

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APA (6th Edition):

Silva, M. G. V. d. (2017). Análise automatizada dos efeitos do alargamento de pulso induzido em single event transients. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/171361

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Silva, Michele Gusson Vieira da. “Análise automatizada dos efeitos do alargamento de pulso induzido em single event transients.” 2017. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/171361.

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MLA Handbook (7th Edition):

Silva, Michele Gusson Vieira da. “Análise automatizada dos efeitos do alargamento de pulso induzido em single event transients.” 2017. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Silva MGVd. Análise automatizada dos efeitos do alargamento de pulso induzido em single event transients. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2017. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/171361.

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Council of Science Editors:

Silva MGVd. Análise automatizada dos efeitos do alargamento de pulso induzido em single event transients. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2017. Available from: http://hdl.handle.net/10183/171361

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Universidade do Rio Grande do Sul

6. Melos, Ricardo Carvalho de. Trapsimulator : um simulador didático de ruído RTN.

Degree: 2018, Universidade do Rio Grande do Sul

TrapSimulator é uma ferramenta didática de simulação de corrente elétrica sob efeito do ruído Random Telegraph Noise, presente nos dispositivos eletrônicos semicondutores, mais precisamente em… (more)

Subjects/Keywords: RTN; Dispositivos eletrônicos; Project-based learning; Simulação elétrica; Ruído; PBL; Cmos; Simulators; TrapSimulator

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APA (6th Edition):

Melos, R. C. d. (2018). Trapsimulator : um simulador didático de ruído RTN. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/180145

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Melos, Ricardo Carvalho de. “Trapsimulator : um simulador didático de ruído RTN.” 2018. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/180145.

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MLA Handbook (7th Edition):

Melos, Ricardo Carvalho de. “Trapsimulator : um simulador didático de ruído RTN.” 2018. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Melos RCd. Trapsimulator : um simulador didático de ruído RTN. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2018. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/180145.

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Council of Science Editors:

Melos RCd. Trapsimulator : um simulador didático de ruído RTN. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2018. Available from: http://hdl.handle.net/10183/180145

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Universidade do Rio Grande do Sul

7. Colombo, Dalton Martini. Bandgap voltage references in submicrometer CMOS technology.

Degree: 2009, Universidade do Rio Grande do Sul

Referências de tensão são blocos fundamentais em uma série de aplicações de sinais mistos e de rádio frequência, como por exemplo, conversores de dados, PLL's… (more)

Subjects/Keywords: Analog design; Microeletrônica; Cmos; CMOS; Fpga; Voltage references; Bandgap references

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APA (6th Edition):

Colombo, D. M. (2009). Bandgap voltage references in submicrometer CMOS technology. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/16136

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Colombo, Dalton Martini. “Bandgap voltage references in submicrometer CMOS technology.” 2009. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/16136.

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MLA Handbook (7th Edition):

Colombo, Dalton Martini. “Bandgap voltage references in submicrometer CMOS technology.” 2009. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Colombo DM. Bandgap voltage references in submicrometer CMOS technology. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2009. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/16136.

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Council of Science Editors:

Colombo DM. Bandgap voltage references in submicrometer CMOS technology. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2009. Available from: http://hdl.handle.net/10183/16136

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Universidade do Rio Grande do Sul

8. Ribeiro, Ivandro da Silva. Modelagem e caracterização da propagação de pulsos transientes causados por radiação ionizante.

Degree: 2010, Universidade do Rio Grande do Sul

A propagação de eventos transientes na lógica combinacional é estudada através da simulação elétrica do circuito, utilizando-se o simulador Hspice. Uma das fontes de falhas… (more)

Subjects/Keywords: Single event transient; Microeletrônica; SET broadening; Circuitos integrados; Electrical model

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APA (6th Edition):

Ribeiro, I. d. S. (2010). Modelagem e caracterização da propagação de pulsos transientes causados por radiação ionizante. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/31119

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Ribeiro, Ivandro da Silva. “Modelagem e caracterização da propagação de pulsos transientes causados por radiação ionizante.” 2010. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/31119.

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MLA Handbook (7th Edition):

Ribeiro, Ivandro da Silva. “Modelagem e caracterização da propagação de pulsos transientes causados por radiação ionizante.” 2010. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Ribeiro IdS. Modelagem e caracterização da propagação de pulsos transientes causados por radiação ionizante. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2010. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/31119.

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Council of Science Editors:

Ribeiro IdS. Modelagem e caracterização da propagação de pulsos transientes causados por radiação ionizante. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2010. Available from: http://hdl.handle.net/10183/31119

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Universidade do Rio Grande do Sul

9. Mallmann, Rafael Mendes. Arquiteturas em hardware para o alinhamento local de sequências biológicas.

Degree: 2010, Universidade do Rio Grande do Sul

Bancos de dados biológicos utilizados para comparação e alinhamento local de sequências tem crescido de forma exponencial. Isso popularizou programas que realizam buscas nesses bancos.… (more)

Subjects/Keywords: Microeletrônica; DNA sequence scanning; Aplicação dos computadores; Smith-Waterman; Edit distanve; Levenshtein distance; Dynamic programming; Systolic array; FPGA; ASIC; VLSI; Protein sequences; Query sequence; Subject sequence

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APA (6th Edition):

Mallmann, R. M. (2010). Arquiteturas em hardware para o alinhamento local de sequências biológicas. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/56841

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Mallmann, Rafael Mendes. “Arquiteturas em hardware para o alinhamento local de sequências biológicas.” 2010. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/56841.

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MLA Handbook (7th Edition):

Mallmann, Rafael Mendes. “Arquiteturas em hardware para o alinhamento local de sequências biológicas.” 2010. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Mallmann RM. Arquiteturas em hardware para o alinhamento local de sequências biológicas. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2010. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/56841.

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Council of Science Editors:

Mallmann RM. Arquiteturas em hardware para o alinhamento local de sequências biológicas. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2010. Available from: http://hdl.handle.net/10183/56841

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Universidade do Rio Grande do Sul

10. Simionovski, Alexandre. Sensor de corrente transiente para detecção do SET com célula de memória dinâmica.

Degree: 2012, Universidade do Rio Grande do Sul

Esta dissertação trata do projeto e avaliação de um novo circuito sensor de corrente com célula de memória dinâmica para a detecção de correntes transientes… (more)

Subjects/Keywords: Circuitos integrados; Electrical engineering; Microelectronics; Microeletrônica; Sensores; CMOS; Transient event detection; Ionizing particles; Current sensor; Dynamic storage

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APA (6th Edition):

Simionovski, A. (2012). Sensor de corrente transiente para detecção do SET com célula de memória dinâmica. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/61132

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Simionovski, Alexandre. “Sensor de corrente transiente para detecção do SET com célula de memória dinâmica.” 2012. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/61132.

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MLA Handbook (7th Edition):

Simionovski, Alexandre. “Sensor de corrente transiente para detecção do SET com célula de memória dinâmica.” 2012. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Simionovski A. Sensor de corrente transiente para detecção do SET com célula de memória dinâmica. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2012. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/61132.

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Council of Science Editors:

Simionovski A. Sensor de corrente transiente para detecção do SET com célula de memória dinâmica. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2012. Available from: http://hdl.handle.net/10183/61132

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Universidade do Rio Grande do Sul

11. Brusamarello, Lucas. Modeling and simulation of device variability and reliability at the electrical level.

Degree: 2011, Universidade do Rio Grande do Sul

O efeito das variações intrínsecas afetando parâmetros elétricos de circuitos fabricados com tecnologia CMOS de escala nanométrica apresenta novos desafios para o yield de circuitos… (more)

Subjects/Keywords: Microelectronics; Microeletrônica; Electronic design automation; Simulação computacional; Yield; Circuit simulation; Monte Carlo method

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APA (6th Edition):

Brusamarello, L. (2011). Modeling and simulation of device variability and reliability at the electrical level. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/65634

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Brusamarello, Lucas. “Modeling and simulation of device variability and reliability at the electrical level.” 2011. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/65634.

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MLA Handbook (7th Edition):

Brusamarello, Lucas. “Modeling and simulation of device variability and reliability at the electrical level.” 2011. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Brusamarello L. Modeling and simulation of device variability and reliability at the electrical level. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2011. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/65634.

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Brusamarello L. Modeling and simulation of device variability and reliability at the electrical level. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2011. Available from: http://hdl.handle.net/10183/65634

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Universidade do Rio Grande do Sul

12. Vidor, Fábio Fedrizzi. Study of the hysteretic behavior in ZnO nanoparticle thin-film transistors.

Degree: 2012, Universidade do Rio Grande do Sul

Nas últimas décadas, o interesse na eletrônica flexível tem aumentado. Sistemas que apresentam benefícios, tais como: baixo custo, melhor desempenho, transparência, confiabilidade e melhores credenciais… (more)

Subjects/Keywords: Microeletrônica; Nanoparticles; Cmos : Circuitos integrados : Eletronica; ZnO; Thin-film transistors; Low-cost electronics

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APA (6th Edition):

Vidor, F. F. (2012). Study of the hysteretic behavior in ZnO nanoparticle thin-film transistors. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/71874

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Vidor, Fábio Fedrizzi. “Study of the hysteretic behavior in ZnO nanoparticle thin-film transistors.” 2012. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/71874.

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MLA Handbook (7th Edition):

Vidor, Fábio Fedrizzi. “Study of the hysteretic behavior in ZnO nanoparticle thin-film transistors.” 2012. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Vidor FF. Study of the hysteretic behavior in ZnO nanoparticle thin-film transistors. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2012. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/71874.

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Vidor FF. Study of the hysteretic behavior in ZnO nanoparticle thin-film transistors. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2012. Available from: http://hdl.handle.net/10183/71874

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Universidade do Rio Grande do Sul

13. Della Giustina, Rafael Varela. Estudo e simulação de ruído em circuitos e dispositivos MOS.

Degree: 2012, Universidade do Rio Grande do Sul

A redução das dimensões dos dispositivos semicondutores para escalas submicrométricas impõe diversos desafios no projeto de circuitos integrados. O impacto das variações intrínsecas afetando parâmetros… (more)

Subjects/Keywords: Electrical engineering; Microeletrônica; Microelectronics; Circuitos integrados; Simulação numérica; Low-frequency noise; Ruído; Thermal noise; Reliability of integrated circuits

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APA (6th Edition):

Della Giustina, R. V. (2012). Estudo e simulação de ruído em circuitos e dispositivos MOS. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/79837

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Della Giustina, Rafael Varela. “Estudo e simulação de ruído em circuitos e dispositivos MOS.” 2012. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/79837.

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MLA Handbook (7th Edition):

Della Giustina, Rafael Varela. “Estudo e simulação de ruído em circuitos e dispositivos MOS.” 2012. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Della Giustina RV. Estudo e simulação de ruído em circuitos e dispositivos MOS. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2012. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/79837.

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Council of Science Editors:

Della Giustina RV. Estudo e simulação de ruído em circuitos e dispositivos MOS. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2012. Available from: http://hdl.handle.net/10183/79837

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Universidade do Rio Grande do Sul

14. Vaz, Pablo Ilha. Efeitos da radiação ionizante e técnicas de proteção aplicadas a projetos de dispositivos MOS customizados.

Degree: 2015, Universidade do Rio Grande do Sul

Os efeitos produzidos pela interação da radiação ionizante com os circuitos integrados podem ser classificados em efeitos de eventos únicos (Single Event Effects - SEE),… (more)

Subjects/Keywords: Enclosed-gate; Microeletrônica; RHBD; Radiação ionizante; CMOS; TID; SEE; Hardened by design; ELT

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APA (6th Edition):

Vaz, P. I. (2015). Efeitos da radiação ionizante e técnicas de proteção aplicadas a projetos de dispositivos MOS customizados. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/129819

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Vaz, Pablo Ilha. “Efeitos da radiação ionizante e técnicas de proteção aplicadas a projetos de dispositivos MOS customizados.” 2015. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/129819.

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MLA Handbook (7th Edition):

Vaz, Pablo Ilha. “Efeitos da radiação ionizante e técnicas de proteção aplicadas a projetos de dispositivos MOS customizados.” 2015. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Vaz PI. Efeitos da radiação ionizante e técnicas de proteção aplicadas a projetos de dispositivos MOS customizados. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2015. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/129819.

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Council of Science Editors:

Vaz PI. Efeitos da radiação ionizante e técnicas de proteção aplicadas a projetos de dispositivos MOS customizados. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2015. Available from: http://hdl.handle.net/10183/129819

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Universidade do Rio Grande do Sul

15. Camargo, Vinícius Valduga de Almeida. Modelagem e simulação de NBTI em circuitos digitais.

Degree: 2012, Universidade do Rio Grande do Sul

A miniaturização dos transistores do tipo MOS traz consigo um aumento na variabilidade de seus parâmetros elétricos, originaria do processo de fabricação e de efeitos… (more)

Subjects/Keywords: Microeletrônica; NBTI; RTS; Circuitos digitais; Modelagem computacional; RTN; Simulação computacional; Circuit simulation; SSTA; Microelectronics

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APA (6th Edition):

Camargo, V. V. d. A. (2012). Modelagem e simulação de NBTI em circuitos digitais. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/131896

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Camargo, Vinícius Valduga de Almeida. “Modelagem e simulação de NBTI em circuitos digitais.” 2012. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/131896.

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MLA Handbook (7th Edition):

Camargo, Vinícius Valduga de Almeida. “Modelagem e simulação de NBTI em circuitos digitais.” 2012. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Camargo VVdA. Modelagem e simulação de NBTI em circuitos digitais. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2012. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/131896.

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Council of Science Editors:

Camargo VVdA. Modelagem e simulação de NBTI em circuitos digitais. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2012. Available from: http://hdl.handle.net/10183/131896

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Universidade do Rio Grande do Sul

16. Colombo, Dalton Martini. Design of analog integrated circuits aiming characterization of radiation and noise.

Degree: 2015, Universidade do Rio Grande do Sul

This thesis is focused on two challenges faced by analog integrated circuit designers when predicting the reliability of transistors implemented in modern CMOS processes: radiation… (more)

Subjects/Keywords: Microeletrônica; Flicker noise; Radiação; RTS noise; Circuitos integrados; Radiation; Total dose effects; Voltage reference; Oscillators; LC-tank; Bandgap; Threshold voltage

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APA (6th Edition):

Colombo, D. M. (2015). Design of analog integrated circuits aiming characterization of radiation and noise. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/133731

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Colombo, Dalton Martini. “Design of analog integrated circuits aiming characterization of radiation and noise.” 2015. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/133731.

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MLA Handbook (7th Edition):

Colombo, Dalton Martini. “Design of analog integrated circuits aiming characterization of radiation and noise.” 2015. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Colombo DM. Design of analog integrated circuits aiming characterization of radiation and noise. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2015. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/133731.

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Council of Science Editors:

Colombo DM. Design of analog integrated circuits aiming characterization of radiation and noise. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2015. Available from: http://hdl.handle.net/10183/133731

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Universidade do Rio Grande do Sul

17. Silva, Maurício Banaszeski da. Circuito on-chip para a caracterização em alta escala do efeito de Bias Temperature Instability.

Degree: 2016, Universidade do Rio Grande do Sul

O trabalho propõe um circuito para caracterização estatística do fenômeno Bias Temperature Instability (BTI). O circuito tem como base uma matriz de transistores para caracterização… (more)

Subjects/Keywords: Microeletrônica; Bias temperature instability (BTI); Large-scale characterization; Circuitos integrados; Deeply scaled transistors; Reliability; Performance degradation (Aging)

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APA (6th Edition):

Silva, M. B. d. (2016). Circuito on-chip para a caracterização em alta escala do efeito de Bias Temperature Instability. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/147989

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Silva, Maurício Banaszeski da. “Circuito on-chip para a caracterização em alta escala do efeito de Bias Temperature Instability.” 2016. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/147989.

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MLA Handbook (7th Edition):

Silva, Maurício Banaszeski da. “Circuito on-chip para a caracterização em alta escala do efeito de Bias Temperature Instability.” 2016. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Silva MBd. Circuito on-chip para a caracterização em alta escala do efeito de Bias Temperature Instability. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2016. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/147989.

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Council of Science Editors:

Silva MBd. Circuito on-chip para a caracterização em alta escala do efeito de Bias Temperature Instability. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2016. Available from: http://hdl.handle.net/10183/147989

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Universidade do Rio Grande do Sul

18. Silva, Maurício Banaszeski da. A physics-based statistical random telegraph noise model.

Degree: 2016, Universidade do Rio Grande do Sul

Low Frequency Noise (LFN) and Random Telegraph Noise (RTN) are performance limiters in many analog and digital circuits. For small area devices, the noise power… (more)

Subjects/Keywords: Flicker noise; Microeletrônica; Halo implants; Mosfet; Low frequency noise (LFN); MOSFETs; Power spectral density (PSD); Random telegraph noise (RTN); Statistical model; Variability

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APA (6th Edition):

Silva, M. B. d. (2016). A physics-based statistical random telegraph noise model. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/150171

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Silva, Maurício Banaszeski da. “A physics-based statistical random telegraph noise model.” 2016. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/150171.

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MLA Handbook (7th Edition):

Silva, Maurício Banaszeski da. “A physics-based statistical random telegraph noise model.” 2016. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Silva MBd. A physics-based statistical random telegraph noise model. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2016. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/150171.

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Council of Science Editors:

Silva MBd. A physics-based statistical random telegraph noise model. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2016. Available from: http://hdl.handle.net/10183/150171

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Universidade do Rio Grande do Sul

19. Camargo, Vinícius Valduga de Almeida. Evaluating the impact of charge traps on MOSFETs and ciruits.

Degree: 2016, Universidade do Rio Grande do Sul

Nesta tese são apresentados estudos do impacto de armadilhas no desempenho elétrico de MOSFETs em nível de circuito e um simulador Ensamble Monte Carlo (EMC)… (more)

Subjects/Keywords: Traps; Microeletrônica; Cmos; RTS; BTI; Ensemble Monte Carlo; TCAD; Circuit simulations

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APA (6th Edition):

Camargo, V. V. d. A. (2016). Evaluating the impact of charge traps on MOSFETs and ciruits. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/150857

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Camargo, Vinícius Valduga de Almeida. “Evaluating the impact of charge traps on MOSFETs and ciruits.” 2016. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/150857.

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MLA Handbook (7th Edition):

Camargo, Vinícius Valduga de Almeida. “Evaluating the impact of charge traps on MOSFETs and ciruits.” 2016. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Camargo VVdA. Evaluating the impact of charge traps on MOSFETs and ciruits. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2016. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/150857.

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Council of Science Editors:

Camargo VVdA. Evaluating the impact of charge traps on MOSFETs and ciruits. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2016. Available from: http://hdl.handle.net/10183/150857

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Universidade do Rio Grande do Sul

20. Both, Thiago Hanna. Análise dos efeitos de dose total ionizante em transistores CMOS tecnologia 0,35 μm.

Degree: 2013, Universidade do Rio Grande do Sul

Este trabalho apresenta um estudo sobre a degradação de parâmetros elétricos de transistores CMOS tecnologia 0,35 μm, fabricados com o processo AMS C35B4, devido aos… (more)

Subjects/Keywords: Radiação ionizante; Ionizing radiation; TID; Cmos; Transistores; Total ionizing dose

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APA (6th Edition):

Both, T. H. (2013). Análise dos efeitos de dose total ionizante em transistores CMOS tecnologia 0,35 μm. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/115558

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Both, Thiago Hanna. “Análise dos efeitos de dose total ionizante em transistores CMOS tecnologia 0,35 μm.” 2013. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/115558.

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MLA Handbook (7th Edition):

Both, Thiago Hanna. “Análise dos efeitos de dose total ionizante em transistores CMOS tecnologia 0,35 μm.” 2013. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Both TH. Análise dos efeitos de dose total ionizante em transistores CMOS tecnologia 0,35 μm. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2013. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/115558.

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Council of Science Editors:

Both TH. Análise dos efeitos de dose total ionizante em transistores CMOS tecnologia 0,35 μm. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2013. Available from: http://hdl.handle.net/10183/115558

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Universidade do Rio Grande do Sul

21. Grisales, Catalina Aguirre. Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante.

Degree: 2013, Universidade do Rio Grande do Sul

Nesta dissertação é apresentado o estudo dos transistores de porta flutuante (Floating Gate Transistor - FG Transistor), sua modelagem, e a análise do efeito da… (more)

Subjects/Keywords: Floating gate transistor; Transistores; MOS transistor; Simulação numérica; Total ionizing dose; Threshold voltage; Charge retention; Capacitive coupling coefficient

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APA (6th Edition):

Grisales, C. A. (2013). Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/96480

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Grisales, Catalina Aguirre. “Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante.” 2013. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/96480.

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MLA Handbook (7th Edition):

Grisales, Catalina Aguirre. “Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante.” 2013. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Grisales CA. Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2013. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/96480.

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Council of Science Editors:

Grisales CA. Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2013. Available from: http://hdl.handle.net/10183/96480

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Universidade do Rio Grande do Sul

22. Santos, Ulisses Lyra dos. Projeto de um amplificador operacional cmos de dois estágios e simulação elétrica do efeito de dose total.

Degree: 2010, Universidade do Rio Grande do Sul

Este trabalho tem o objetivo de, inicialmente, fazer uma análise das fontes de radiação relevantes para aplicações de circuitos integrados em ambientes aeroespaciais. Em seguida… (more)

Subjects/Keywords: Circuitos eletrônicos; TID; Dispositivos eletrônicos; Operational amplifier; Efeitos da radiação; Monte Carlo analyses; Electric simulation

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APA (6th Edition):

Santos, U. L. d. (2010). Projeto de um amplificador operacional cmos de dois estágios e simulação elétrica do efeito de dose total. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/27262

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Santos, Ulisses Lyra dos. “Projeto de um amplificador operacional cmos de dois estágios e simulação elétrica do efeito de dose total.” 2010. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/27262.

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MLA Handbook (7th Edition):

Santos, Ulisses Lyra dos. “Projeto de um amplificador operacional cmos de dois estágios e simulação elétrica do efeito de dose total.” 2010. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Santos ULd. Projeto de um amplificador operacional cmos de dois estágios e simulação elétrica do efeito de dose total. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2010. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/27262.

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Council of Science Editors:

Santos ULd. Projeto de um amplificador operacional cmos de dois estágios e simulação elétrica do efeito de dose total. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2010. Available from: http://hdl.handle.net/10183/27262

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Universidade do Rio Grande do Sul

23. Simionovski, Alexandre. Sensor de corrente transiente para um sistema de proteção de circuitos integrados contra erros induzidos por radiação ionizante.

Degree: 2018, Universidade do Rio Grande do Sul

 Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um sensor de corrente transiente destinado a detectar a ocorrência de um evento transiente causado pela incidência de radiação… (more)

Subjects/Keywords: Electrical Engineering; Circuitos integrados; Radiação ionizante; Microelectronics; Sensores; CMOS; Transient Event Detection; Cmos; Ionizing Radiation; Current Sensor; Bulk-BICS; Device Simulation; TCAD

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APA (6th Edition):

Simionovski, A. (2018). Sensor de corrente transiente para um sistema de proteção de circuitos integrados contra erros induzidos por radiação ionizante. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/179523

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Simionovski, Alexandre. “Sensor de corrente transiente para um sistema de proteção de circuitos integrados contra erros induzidos por radiação ionizante.” 2018. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/179523.

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MLA Handbook (7th Edition):

Simionovski, Alexandre. “Sensor de corrente transiente para um sistema de proteção de circuitos integrados contra erros induzidos por radiação ionizante.” 2018. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Simionovski A. Sensor de corrente transiente para um sistema de proteção de circuitos integrados contra erros induzidos por radiação ionizante. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2018. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/179523.

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Simionovski A. Sensor de corrente transiente para um sistema de proteção de circuitos integrados contra erros induzidos por radiação ionizante. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2018. Available from: http://hdl.handle.net/10183/179523

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Universidade do Rio Grande do Sul

24. Becker, Thales Exenberger. Caracterização elétrica temporal de transistores de filmes finos de nanopartículas de óxido de zinco.

Degree: 2018, Universidade do Rio Grande do Sul

Neste trabalho, são discutidas as características de transistores de filmes finos (TFTs) nos quais nanopartículas de óxido de zinco (ZnO) são empregadas como material ativo… (more)

Subjects/Keywords: ZnO Nanoparticles; Nanopartículas de óxido de zinco; Thin-film Transistor; Transistores de filmes finos; Temporal Characterization; Abrupt Effects; Memory Effects; Hypotheses

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APA (6th Edition):

Becker, T. E. (2018). Caracterização elétrica temporal de transistores de filmes finos de nanopartículas de óxido de zinco. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/179538

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Becker, Thales Exenberger. “Caracterização elétrica temporal de transistores de filmes finos de nanopartículas de óxido de zinco.” 2018. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/179538.

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MLA Handbook (7th Edition):

Becker, Thales Exenberger. “Caracterização elétrica temporal de transistores de filmes finos de nanopartículas de óxido de zinco.” 2018. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Becker TE. Caracterização elétrica temporal de transistores de filmes finos de nanopartículas de óxido de zinco. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2018. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/179538.

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Becker TE. Caracterização elétrica temporal de transistores de filmes finos de nanopartículas de óxido de zinco. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2018. Available from: http://hdl.handle.net/10183/179538

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Universidade do Rio Grande do Sul

25. Both, Thiago Hanna. Autocorrelation analysis in frequency domain as a tool for MOSFET low frequency noise characterization.

Degree: 2017, Universidade do Rio Grande do Sul

Low-frequency noise (LFN) is a performance limiter for analog, digital and RF circuits, introducing phase noise in oscillators and reducing the stability of SRAM cells,… (more)

Subjects/Keywords: Microeletrônica; 1/f noise; Random Telegraph Noise; Circuitos digitais; MOSFET; Low-frequency noise; CMOS

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APA (6th Edition):

Both, T. H. (2017). Autocorrelation analysis in frequency domain as a tool for MOSFET low frequency noise characterization. (Thesis). Universidade do Rio Grande do Sul. Retrieved from http://hdl.handle.net/10183/174487

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Both, Thiago Hanna. “Autocorrelation analysis in frequency domain as a tool for MOSFET low frequency noise characterization.” 2017. Thesis, Universidade do Rio Grande do Sul. Accessed April 04, 2020. http://hdl.handle.net/10183/174487.

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Both, Thiago Hanna. “Autocorrelation analysis in frequency domain as a tool for MOSFET low frequency noise characterization.” 2017. Web. 04 Apr 2020.

Vancouver:

Both TH. Autocorrelation analysis in frequency domain as a tool for MOSFET low frequency noise characterization. [Internet] [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2017. [cited 2020 Apr 04]. Available from: http://hdl.handle.net/10183/174487.

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Council of Science Editors:

Both TH. Autocorrelation analysis in frequency domain as a tool for MOSFET low frequency noise characterization. [Thesis]. Universidade do Rio Grande do Sul; 2017. Available from: http://hdl.handle.net/10183/174487

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