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You searched for +publisher:"Universidade Estadual de Campinas" +contributor:("Ugarte, Daniel M?rio, 1963-"). Showing records 1 – 2 of 2 total matches.

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Universidade Estadual de Campinas

1. Tizei, Luiz Henrique Galv?o. Homogeneidade qu?mica, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V .

Degree: 2011, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: O desenvolvimento de novos materias tem grande interesse devido ? ocorr?ncia de novos fen?menos e propriedades, as quais podem ser usadas em futuras aplica??es tecnol?gicas. Em particular, nas ?ltimas d?cadas, esfor?os imensos foram realizados buscando compreender nanomateriais e os efeitos da redu??o de tamanho e de dimens?o. Entre os diferentes avan?os alcan?ados, podemos citar o desenvolvimento significativo de nanofios semicondutores (estruturas quasi-unidimensionais) com dezenas ou centenas de nanometros de espessura e milhares de nanometros de comprimento. O m?todo mais utilizado para o crescimento de nanofios ? o m?todo catal?tico chamado VLS (Vapor-L?quido-S?lido), no qual uma nanopart?cula met?lica serve como sorvedouro preferencial de ?tomos de um vapor e, tamb?m, como posi??o para a forma??o de um s?lido (nanofio). O VLS foi proposto por Wagner e Ellis nos anos 60. Em nossos trabalhos, nos concentramos no estudo de nanofios de semicondutores III-V crescidos em um reator de Epitaxia de Feixe Qu?mico (CBE) catalisados por nanopart?culas de Au. Mais especificamente, estudamos nanofios de InP, InAs, InGaP, InAsP e heteroestruturas InP/InAs/InP. Como a qualidade de interfaces e homogeneidade qu?mica do material crescido, influenciam diretamente as propriedades ?pticas e el?tricas de nanofios, nossa pesquisa nos levou a avaliar os limites da aplica??o de diversas t?cnicas de microscopia eletr?nica de transmiss?o aplicadas: TEM (Microscopia Eletr?nica de Transmiss?o), STEM (Microscopia Eletr?nica de Transmiss?o em Varredura), HRTEM (Microscopia Eletr?nica de Transmiss?o de Alta Resolu??o), EDS (Espectroscopia de Raios-X Dispersados em Energia) e EELS (Espectroscopia de Perda de Energia de El?trons). Como consequ?ncia, determinamos os limites de detec??o de varia??es qu?micas e de medidas de larguras de interfaces das diferentes t?cnicas. Em particular, devido ?s limita??es impostas pelo dano por radia??o no material, propusemos o uso de deslocamentos qu?micos de plasmons (EELS) para a caracteriza??o qu?mica de nanoestruturas de semicondutores III-V. Desenvolvemos uma metodologia para a an?lise de se??es transversais de nanofios de InAsP. Os experimentos realizados indicam a diferen?a entre os semicondutores produzidos por crescimento axial (catal?tico) e por radial (bidimensional). Al?m disso, a an?lise qu?mica detalhada de heteroestruturas InP/InAs/InP levou a detec??o de concentra??es inesperados de As no segmento final de InP. Interpretamos esta observa??o como uma indica??o de que As difunde atrav?s da nanopart?cula catalisadora durante o crescimento, demonstrando uma rota de incorpora??o de elementos do grupo V em nanofios crescidos pelo m?todo VLS. Finalmente, estudamos os efeitos de defeitos estruturais extendidos, como discord?ncias na morfologia e distor??es estruturais de nanofios. Neste sentido, observamos a tor??o de Eshelby em nanofios de InP contendo discord?ncias em parafuso ?nicas. Nossos resultados mostram que as taxas de tor??o medida s?o muito maiores (at? 100%) do que o previsto pela… Advisors/Committee Members: Ugarte, Daniel M?rio, 1963- (advisor), Leite, Edson Roberto (committee member), Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (committee member), Pagliuso, Pascoal Jos? Giglio (committee member), Iikawa, Fernando (committee member).

Subjects/Keywords: Nanofios; Semicondutores III-V; El?trons - Difra??o; Defeitos estruturais; Deforma??o estrutural; Tor??o de Eshelby; Crescimento vapor-l?quido-s?lido; Microscopia eletr?nica de transmiss?o; Espectroscopia de raio X dispersados em energia; Espectroscopia de perda de energia de el?trons

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APA (6th Edition):

Tizei, L. H. G. (2011). Homogeneidade qu?mica, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277621

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Tizei, Luiz Henrique Galv?o. “Homogeneidade qu?mica, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V .” 2011. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 19, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277621.

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MLA Handbook (7th Edition):

Tizei, Luiz Henrique Galv?o. “Homogeneidade qu?mica, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V .” 2011. Web. 19 Feb 2020.

Vancouver:

Tizei LHG. Homogeneidade qu?mica, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2011. [cited 2020 Feb 19]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277621.

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Council of Science Editors:

Tizei LHG. Homogeneidade qu?mica, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2011. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277621

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Universidade Estadual de Campinas

2. Rodrigues, Varlei, 1973-. Efeitos do arranjo at?mico na condut?ncia qu?ntica de nonofios met?licos .

Degree: 2002, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: O estudo e controle de sistemas nanom?tricos t?m atra?do grande interesse devido aos novos efeitos neles observados. Estes fen?menos t?m a sua principal origem no reduzido tamanho destas estruturas, onde o comportamento ondulat?rio da mat?ria torna-se preponderante. Um importante exemplo dos avan?os nesta ?rea ? a possibilidade de se gerar fios met?licos com di?metro da ordem do comprimento de onda dos el?trons de condu??o.Nestes casos, o condutor comporta-se como um guia de ondas, onde acondut?ncia passa a ter um car?ter discreto, variando em m?ltiplos inteiros de um quantum de condut?ncia. Usualmente, estes NF's s?o gerados usando um procedimento bastante simples: duas superf?cies met?licas s?o postas emcontato e depois afastadas. Durante a separa??o, pontos de contato s?o alongados e afinados at? o limite antes da quebra, quando s?o compostos deapenas alguns ?tomos. Simultaneamente a este processo, o transporte el?tricodos NF's ? medido. Apesar da aparente simplicidade deste procedimento, ele oferece severas complica??es na interpreta??o de seus resultados. As medidasde condut?ncia s?o realizadas enquanto o arranjo at?mico dos NF's ? modificado, consequentemente, as propriedades eletr?nicas e estruturais varia simultaneamente durante o experimento. Isto dificulta o entendimento da contribui??o de cada efeito no transporte el?trico observado. Nesta tese, o problema de correlacionar estrutura e condut?ncia nestas medidas foi abordado sob dois pontos de vista. Primeiro, o arranjo at?mico foi estudado usando microscopia eletr?nica de transmiss?o de alta resolu??o; segundo, um sistema de quebra mecanicamente controlada de jun??es em ultra alto v?cuo foi empregado para examinar o comportamento do transporte el?trico nestes sistemas. Usando os resultados obtidos, modelos te?ricos foram desenvolvidos para correlacionar os efeitos el?tricos e estruturais. A an?lise do arranjo at?micados NF's mostrou que eles s?o cristalinos e livres de defeitos nos est?gios finais, antes da sua ruptura. Al?m disso, foi mostrado que n?o existe uma infinidade de poss?veis tipos de arranjos at?micos adotados por NF's gerados por deforma??o mec?nica. Por serem sistemas com poucos ?tomos (- 10-200), as orienta??es assumidas usualmente s?o aquelas que permitem o m?ximo empacotamento de ?tomos na se??o transversal do fio e a sua forma ? predominantemente determinada pela energia de superf?cie. Tamb?m foi mostrado que o n?mero de poss?veis estruturas adotadas pelo NF's ? restrito, as quais podem ser interpretadas ou at? previstas com o uso de regras simples j? bem estabelecida sem cristalografia e f?sica de nanopart?culas. A partir destes dados, foram estabelecidos modelos que correlacionassem o comportamento da condut?ncia destes sistemas e as suas estruturas. Em particular, para o caso de NF's de ouro foram feitas estimativas quanto ao comportamento esperado do transporte el?trico com base na geometria dos poss?veis NF's. As previs?es mostraram excelente acordo com os dados experimentais. Por outro lado, para a prata foram feitas… Advisors/Committee Members: Ugarte, Daniel M?rio, 1963- (advisor), Fazzio, Adalberto (committee member), Silva, Antonio Jose Roque da (committee member), Silva, Edison Zacarias da (committee member), Tessler, Leandro Russovski (committee member).

Subjects/Keywords: Nanoestrutura; Contatos el?tricos; Eletr?nica qu?ntica - Transporte

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APA (6th Edition):

Rodrigues, Varlei, 1. (2002). Efeitos do arranjo at?mico na condut?ncia qu?ntica de nonofios met?licos . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277629

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Rodrigues, Varlei, 1973-. “Efeitos do arranjo at?mico na condut?ncia qu?ntica de nonofios met?licos .” 2002. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 19, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277629.

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MLA Handbook (7th Edition):

Rodrigues, Varlei, 1973-. “Efeitos do arranjo at?mico na condut?ncia qu?ntica de nonofios met?licos .” 2002. Web. 19 Feb 2020.

Vancouver:

Rodrigues, Varlei 1. Efeitos do arranjo at?mico na condut?ncia qu?ntica de nonofios met?licos . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2002. [cited 2020 Feb 19]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277629.

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Council of Science Editors:

Rodrigues, Varlei 1. Efeitos do arranjo at?mico na condut?ncia qu?ntica de nonofios met?licos . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2002. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277629

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Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

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