Advanced search options

Advanced Search Options 🞨

Browse by author name (“Author name starts with…”).

Find ETDs with:

in
/  
in
/  
in
/  
in

Written in Published in Earliest date Latest date

Sorted by

Results per page:

You searched for +publisher:"Universidade Estadual de Campinas" +contributor:("Riul J?nior, Antonio"). One record found.

Search Limiters

Last 2 Years | English Only

No search limiters apply to these results.

▼ Search Limiters


Universidade Estadual de Campinas

1. Oliveira, Douglas Soares de, 1988-. Alternativas para o crescimento de nanofios semicondutores III-V .

Degree: 2016, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Nesta tese, abordamos tr?s temas relacionados com s?ntese de nanofios semicondutores III-V pelo m?todo vapor-l?quido-s?lido, e que t?m sido pouco explorados na literatura. Buscando alternativas ao uso de ouro como catalisador, investigamos o crescimento de nanofios de InP catalisados por prata. Mostramos que sua s?ntese pelo m?todo vapor-l?quido-s?lido ? poss?vel e determinamos as condi??es de crescimento para que os nanofios tenham estrutura cristalina wurtzita, sem falhas de empilhamento, e baixo crescimento radial. Al?m disso, observamos que os nanofios tamb?m podem ser sintetizados por um processo no qual seu ?pice ? rombudo, e algumas vezes maior que a nanopart?cula catalisadora. Por fim, comparamos a forma??o de oscila??es peri?dicas espont?neas de di?metro em nanofios de InP catalisados por ouro e prata. Verificamos que a menor taxa de crescimento dos nanofios catalisados com prata pode ser respons?vel pela maior dist?ncia m?dia na forma??o das oscila??es de di?metro. Em um segundo trabalho, procurando novas estrat?gias para integra??o de nanofios em dispositivos planares, estudamos a s?ntese por vapor-l?quido-s?lido de nanofios planares de InP catalisados por ouro. Discutimos o papel das energias de interface e composi??o do catalisador para o favorecimento da forma??o de nanofios planares ou verticais, mostrando que o aumento da diferen?a entre os valores da energia por unidade de ?rea da interface s?lido-l?quido e da interface s?lido-vapor favorece a forma??o de nanofios verticais, enquanto que um decr?scimo nessa diferen?a favorece a forma??o de nanofios planares. Verificamos tamb?m que, enquanto camadas espessas de ?xido entre os nanofios e o substrato levam ao crescimento de nanofios sem dire??o preferencial, camadas mais finas promovem crescimento direcionado. Finalmente, no terceiro tema desta tese, n?s realizamos um estudo aprofundado sobre as caracter?sticas estruturais e morfol?gicas de nanofios de InGaP crescidos na dire??o [211]. Mostramos que a s?ntese de nanofios III-V nesta dire??o depende da forma??o de defeitos cristalinos paralelos ao seu eixo de crescimento. Estes defeitos, no entanto, decomp?em a interface entre o nanofio o catalisador em facetas <111> com polaridades diferentes, que n?o s?o equivalentes. Verificamos que falhas de empilhamento atravessam preferencialmente as facetas <111>A, equilibrando a taxa de crescimento entre facetas n?o equivalentes, e permitindo um crescimento est?vel. Por fim, mostramos que existe a forma??o de uma estrutura core-shell n?o conc?ntrica espont?nea devido a assimetria entre as facetas laterais do nanofio; Abstract: In this thesis we report results on three different subjects ? largely unexplored in literature ? related to the synthesis of III-V semiconductor nanowires using the vapor-liquid-solid method. In search for new catalysts to replace Au, we investigated the growth of silver-catalyzed InP nanowires. We show that the vapor-liquid-solid method can indeed be achieved with Ag nanoparticles, and established the growth conditions under which… Advisors/Committee Members: Cotta, M?nica Alonso, 1963- (advisor), Riul J?nior, Antonio (committee member), Couto Junior, Odilon Divino Damasceno (committee member), Chiaramonte, Thalita (committee member), Baptista, Daniel Lorscheitter (committee member).

Subjects/Keywords: Nanofios semicondutores; Vapor-l?quido-s?lido; Cristais - Defeitos; Nanofios planares; Semicondutores III-V

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Oliveira, Douglas Soares de, 1. (2016). Alternativas para o crescimento de nanofios semicondutores III-V . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/276906

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Oliveira, Douglas Soares de, 1988-. “Alternativas para o crescimento de nanofios semicondutores III-V .” 2016. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed November 17, 2019. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/276906.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Oliveira, Douglas Soares de, 1988-. “Alternativas para o crescimento de nanofios semicondutores III-V .” 2016. Web. 17 Nov 2019.

Vancouver:

Oliveira, Douglas Soares de 1. Alternativas para o crescimento de nanofios semicondutores III-V . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2016. [cited 2019 Nov 17]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/276906.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Oliveira, Douglas Soares de 1. Alternativas para o crescimento de nanofios semicondutores III-V . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2016. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/276906

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

.