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You searched for +publisher:"Universidade Estadual de Campinas" +contributor:("Fichtner, Paulo Fernando Papaleo"). Showing records 1 – 2 of 2 total matches.

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Universidade Estadual de Campinas

1. Grando Stroppa, Daniel. Modelamento de nanocristais pelo uso de técnicas avançadas de QHRTEM .

Degree: 2011, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: O desenvolvimento de tecnologias baseadas em nanoestruturas é dependente da criação de modelos confiáveis que possam suportar a obtenção de materiais com características controladas. Neste contexto, o aprimoramento de técnicas de caracterização quantitativa e com alta resolução espacial é fundamental para o melhor entendimento das correlações entre a configuração de síntese, a morfologia e as propriedades resultantes de materiais nanoestruturados. Esta tese apresenta a avaliação e a aplicação de diferentes técnicas de Microscopia Eletrônica de Transmissão de Alta Resolução Quantitativa (QHRTEM) visando a extração de informações relacionadas à estrutura tridimensional e à segregação de espécies dopantes em nanocristais individuais de óxidos semicondutores dopados (Sb:SnO2 e Gd:CeO2). Os resultados experimentais combinados a cálculos teóricos proporcionaram a obtenção de informações referentes à distribuição de energia superficial e aos mecanismos de crescimento de cristais envolvidos na evolução temporal dos sistemas estudados. A descrição de tais aspectos de sistemas nanocristalinos explicita a importância das técnicas QHRTEM, tanto no contexto do desenvolvimento e aplicação do modelamento de nanocristais, quanto para o avanço das teorias fundamentais que descrevem o comportamento dos materiais em escala nanométrica. Neste sentido, os resultados presentes nesta tese constituem significativos avanços para o entendimento das características dos materiais em escala atômica e para a posterior manipulação destas segundo o preceito da engenharia de materiais no desenvolvimento de novas tecnologias; Abstract: Technologies based on nanostructured materials depend on the development of reliable models which can support the fabrication of nanocrystals with highly controlled features. In this scenario, advances on high resolution quantitative techniques are required in order to improve the description of the nanostructured systems, especially the correlations among the nanocrystals synthesis parameters, the resultant morphology and the system properties. This PhD thesis presents the evaluation and use of different Quantitative High Resolution Transmission Electron Microscopy (QHRTEM) techniques aiming the three-dimensional morphology and the dopant species segregation characterization of individual oxide nanocristals (Sb:SnO2 e Gd:CeO2). In addition, the combined use of such techniques and theoretical calculations provided valuable insights on the surface energy distribution and growth mechanisms present on the analyzed nanocrystalline systems. The obtained high resolution quantitative characterization results indicate that QHRTEM techniques are priceless tools for both the nanocrystal modeling procedures development and application, and for the improvement of fundamental theories that describe the materials features at nanoscale. In this scenario, this thesis presents significant advances on the nanomaterials characteristics description and, consequently, on their further manipulation aiming novel technologies… Advisors/Committee Members: Ramirez Londono, Antonio José (advisor), Londono, Antonio Jose Ramirez (advisor), Suzuki, Carlos Kenichi (committee member), Zanchet, Daniela (committee member), Oliveira, Caue Ribeiro de (committee member), Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (committee member).

Subjects/Keywords: Microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução; Caracterização de materiais; Cristais - Crescimento

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APA (6th Edition):

Grando Stroppa, D. (2011). Modelamento de nanocristais pelo uso de técnicas avançadas de QHRTEM . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/263400

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Grando Stroppa, Daniel. “Modelamento de nanocristais pelo uso de técnicas avançadas de QHRTEM .” 2011. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed March 28, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/263400.

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MLA Handbook (7th Edition):

Grando Stroppa, Daniel. “Modelamento de nanocristais pelo uso de técnicas avançadas de QHRTEM .” 2011. Web. 28 Mar 2020.

Vancouver:

Grando Stroppa D. Modelamento de nanocristais pelo uso de técnicas avançadas de QHRTEM . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2011. [cited 2020 Mar 28]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/263400.

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Council of Science Editors:

Grando Stroppa D. Modelamento de nanocristais pelo uso de técnicas avançadas de QHRTEM . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2011. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/263400

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Universidade Estadual de Campinas

2. Tizei, Luiz Henrique Galv?o. Homogeneidade qu?mica, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V .

Degree: 2011, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: O desenvolvimento de novos materias tem grande interesse devido ? ocorr?ncia de novos fen?menos e propriedades, as quais podem ser usadas em futuras aplica??es tecnol?gicas. Em particular, nas ?ltimas d?cadas, esfor?os imensos foram realizados buscando compreender nanomateriais e os efeitos da redu??o de tamanho e de dimens?o. Entre os diferentes avan?os alcan?ados, podemos citar o desenvolvimento significativo de nanofios semicondutores (estruturas quasi-unidimensionais) com dezenas ou centenas de nanometros de espessura e milhares de nanometros de comprimento. O m?todo mais utilizado para o crescimento de nanofios ? o m?todo catal?tico chamado VLS (Vapor-L?quido-S?lido), no qual uma nanopart?cula met?lica serve como sorvedouro preferencial de ?tomos de um vapor e, tamb?m, como posi??o para a forma??o de um s?lido (nanofio). O VLS foi proposto por Wagner e Ellis nos anos 60. Em nossos trabalhos, nos concentramos no estudo de nanofios de semicondutores III-V crescidos em um reator de Epitaxia de Feixe Qu?mico (CBE) catalisados por nanopart?culas de Au. Mais especificamente, estudamos nanofios de InP, InAs, InGaP, InAsP e heteroestruturas InP/InAs/InP. Como a qualidade de interfaces e homogeneidade qu?mica do material crescido, influenciam diretamente as propriedades ?pticas e el?tricas de nanofios, nossa pesquisa nos levou a avaliar os limites da aplica??o de diversas t?cnicas de microscopia eletr?nica de transmiss?o aplicadas: TEM (Microscopia Eletr?nica de Transmiss?o), STEM (Microscopia Eletr?nica de Transmiss?o em Varredura), HRTEM (Microscopia Eletr?nica de Transmiss?o de Alta Resolu??o), EDS (Espectroscopia de Raios-X Dispersados em Energia) e EELS (Espectroscopia de Perda de Energia de El?trons). Como consequ?ncia, determinamos os limites de detec??o de varia??es qu?micas e de medidas de larguras de interfaces das diferentes t?cnicas. Em particular, devido ?s limita??es impostas pelo dano por radia??o no material, propusemos o uso de deslocamentos qu?micos de plasmons (EELS) para a caracteriza??o qu?mica de nanoestruturas de semicondutores III-V. Desenvolvemos uma metodologia para a an?lise de se??es transversais de nanofios de InAsP. Os experimentos realizados indicam a diferen?a entre os semicondutores produzidos por crescimento axial (catal?tico) e por radial (bidimensional). Al?m disso, a an?lise qu?mica detalhada de heteroestruturas InP/InAs/InP levou a detec??o de concentra??es inesperados de As no segmento final de InP. Interpretamos esta observa??o como uma indica??o de que As difunde atrav?s da nanopart?cula catalisadora durante o crescimento, demonstrando uma rota de incorpora??o de elementos do grupo V em nanofios crescidos pelo m?todo VLS. Finalmente, estudamos os efeitos de defeitos estruturais extendidos, como discord?ncias na morfologia e distor??es estruturais de nanofios. Neste sentido, observamos a tor??o de Eshelby em nanofios de InP contendo discord?ncias em parafuso ?nicas. Nossos resultados mostram que as taxas de tor??o medida s?o muito maiores (at? 100%) do que o previsto pela… Advisors/Committee Members: Ugarte, Daniel M?rio, 1963- (advisor), Leite, Edson Roberto (committee member), Fichtner, Paulo Fernando Papaleo (committee member), Pagliuso, Pascoal Jos? Giglio (committee member), Iikawa, Fernando (committee member).

Subjects/Keywords: Nanofios; Semicondutores III-V; El?trons - Difra??o; Defeitos estruturais; Deforma??o estrutural; Tor??o de Eshelby; Crescimento vapor-l?quido-s?lido; Microscopia eletr?nica de transmiss?o; Espectroscopia de raio X dispersados em energia; Espectroscopia de perda de energia de el?trons

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APA (6th Edition):

Tizei, L. H. G. (2011). Homogeneidade qu?mica, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277621

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Tizei, Luiz Henrique Galv?o. “Homogeneidade qu?mica, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V .” 2011. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed March 28, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277621.

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MLA Handbook (7th Edition):

Tizei, Luiz Henrique Galv?o. “Homogeneidade qu?mica, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V .” 2011. Web. 28 Mar 2020.

Vancouver:

Tizei LHG. Homogeneidade qu?mica, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2011. [cited 2020 Mar 28]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277621.

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Council of Science Editors:

Tizei LHG. Homogeneidade qu?mica, interfaces e defeitos estruturais em nanofios de semicondutores III-V . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2011. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277621

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