Advanced search options

Advanced Search Options 🞨

Browse by author name (“Author name starts with…”).

Find ETDs with:

in
/  
in
/  
in
/  
in

Written in Published in Earliest date Latest date

Sorted by

Results per page:

Sorted by: relevance · author · university · dateNew search

You searched for +publisher:"Universidade Estadual de Campinas" +contributor:("Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-"). Showing records 1 – 14 of 14 total matches.

Search Limiters

Last 2 Years | English Only

No search limiters apply to these results.

▼ Search Limiters


Universidade Estadual de Campinas

1. Tesser Junior, Nelson Luiz. Contribuição ao estudo da difusão de zinco e cádmio em Inp e o composto quaternário In0,97Ga0,03As0.08P0.92 .

Degree: 1986, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Nos últimos anos, sistemas InGaAsP-InP têm mostrado serem de grande interesse na fabricação de dispositivos como LEDs, LASERs, detetores(19,20,21), circuitos integrados etc. Estes avançados… (more)

Subjects/Keywords: Difusão; Física

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Tesser Junior, N. L. (1986). Contribuição ao estudo da difusão de zinco e cádmio em Inp e o composto quaternário In0,97Ga0,03As0.08P0.92 . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278443

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Tesser Junior, Nelson Luiz. “Contribuição ao estudo da difusão de zinco e cádmio em Inp e o composto quaternário In0,97Ga0,03As0.08P0.92 .” 1986. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278443.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Tesser Junior, Nelson Luiz. “Contribuição ao estudo da difusão de zinco e cádmio em Inp e o composto quaternário In0,97Ga0,03As0.08P0.92 .” 1986. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Tesser Junior NL. Contribuição ao estudo da difusão de zinco e cádmio em Inp e o composto quaternário In0,97Ga0,03As0.08P0.92 . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1986. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278443.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Tesser Junior NL. Contribuição ao estudo da difusão de zinco e cádmio em Inp e o composto quaternário In0,97Ga0,03As0.08P0.92 . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1986. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278443

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation


Universidade Estadual de Campinas

2. Shibli, Suhaila Maluf. Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37 .

Degree: 1987, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: A liga quaternária semicondutora InGaAsP vem sendo utilizada na fabricação de dispositivos optoeletrônicos, os quais requerem um alto grau de controle quanto às suas… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores líquidos; Física

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Shibli, S. M. (1987). Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37 . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278448

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Shibli, Suhaila Maluf. “Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37 .” 1987. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278448.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Shibli, Suhaila Maluf. “Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37 .” 1987. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Shibli SM. Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37 . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1987. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278448.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Shibli SM. Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37 . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1987. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278448

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation


Universidade Estadual de Campinas

3. Giglio, Jose Fernando Trevisan. Um estudo do laser com perfil de ganho invertido (LPGI) .

Degree: 1992, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948- (advisor).

Subjects/Keywords: Lasers; Física

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Giglio, J. F. T. (1992). Um estudo do laser com perfil de ganho invertido (LPGI) . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278454

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Giglio, Jose Fernando Trevisan. “Um estudo do laser com perfil de ganho invertido (LPGI) .” 1992. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278454.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Giglio, Jose Fernando Trevisan. “Um estudo do laser com perfil de ganho invertido (LPGI) .” 1992. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Giglio JFT. Um estudo do laser com perfil de ganho invertido (LPGI) . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1992. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278454.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Giglio JFT. Um estudo do laser com perfil de ganho invertido (LPGI) . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1992. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278454

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation


Universidade Estadual de Campinas

4. Camilo Junior, Alexandre. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE .

Degree: 1990, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo do crescimento de InP sobre InP pela técnica de Epitaxia Química em Vácuo, utilizando o sistema construído no LPD/DFA-UNICAMP.… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Lasers

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Camilo Junior, A. (1990). Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Camilo Junior, Alexandre. “Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE .” 1990. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Camilo Junior, Alexandre. “Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE .” 1990. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Camilo Junior A. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Camilo Junior A. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation


Universidade Estadual de Campinas

5. Rocha, Stenio. Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In 0,53 Ga 0,47 AS/In P:Fe .

Degree: 1990, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Foram medidos a resistividade e o coeficiente de Hall de camadas epitaxiais de n-In0.53Ga0.47As crescidas sobre substratos semi-isolantes de Inp:Fe por L.P.E (epitaxia da… (more)

Subjects/Keywords: Ondas eletromagnéticas; Semicondutores

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Rocha, S. (1990). Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In 0,53 Ga 0,47 AS/In P:Fe . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278439

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Rocha, Stenio. “Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In 0,53 Ga 0,47 AS/In P:Fe .” 1990. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278439.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Rocha, Stenio. “Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In 0,53 Ga 0,47 AS/In P:Fe .” 1990. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Rocha S. Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In 0,53 Ga 0,47 AS/In P:Fe . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278439.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Rocha S. Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In 0,53 Ga 0,47 AS/In P:Fe . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278439

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation


Universidade Estadual de Campinas

6. Santos, Thebano Emilio de Almeida. Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado .

Degree: 1986, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: É feito um estudo sobre difusão de estanho em GaAs dopado com Cr (semi-isolante) e tipo p através da técnica que utiliza filme de(more)

Subjects/Keywords: Comunicações óticas; Diodos emissores de luz; Sistemas de comunicação por laser

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Santos, T. E. d. A. (1986). Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278451

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Santos, Thebano Emilio de Almeida. “Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado .” 1986. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278451.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Santos, Thebano Emilio de Almeida. “Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado .” 1986. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Santos TEdA. Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1986. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278451.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Santos TEdA. Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1986. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278451

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation


Universidade Estadual de Campinas

7. Cotta, Mônica Alonso, 1963-. Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo .

Degree: 1991, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresentamos aqui um estudo do crescimento de alguns compostos semicondutores III-V por epitaxia química em vácuo (do inglês Vacuum Chemical Epitaxy, VCE). O sistema… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Físico-química

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Cotta, Mônica Alonso, 1. (1991). Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278450

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Cotta, Mônica Alonso, 1963-. “Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo .” 1991. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278450.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Cotta, Mônica Alonso, 1963-. “Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo .” 1991. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Cotta, Mônica Alonso 1. Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1991. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278450.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Cotta, Mônica Alonso 1. Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1991. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278450

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation


Universidade Estadual de Campinas

8. Barreto, Ciclamio Leite. Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo .

Degree: 1991, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Este trabalho experimental visa descrever a implantação e desenvolvimento de um laboratório de crescimento de semicondutores compostos III-V pelo método de Epitaxia Química em… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores - Pesquisa; Físico-química

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Barreto, C. L. (1991). Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278449

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Barreto, Ciclamio Leite. “Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo .” 1991. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278449.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Barreto, Ciclamio Leite. “Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo .” 1991. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Barreto CL. Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1991. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278449.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Barreto CL. Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1991. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278449

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation


Universidade Estadual de Campinas

9. Miskys, Claudio Ronald. Síntese de fosfeto de índio pelo método de síntese por difusão de soluto .

Degree: 1996, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Desenvolvemos neste trabalho um sistema para realizar a síntese de InP a partir dos elementos Índio e Fósforo utilizando o método de crescimento a… (more)

Subjects/Keywords: Fosfeto de índio

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Miskys, C. R. (1996). Síntese de fosfeto de índio pelo método de síntese por difusão de soluto . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278453

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Miskys, Claudio Ronald. “Síntese de fosfeto de índio pelo método de síntese por difusão de soluto .” 1996. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278453.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Miskys, Claudio Ronald. “Síntese de fosfeto de índio pelo método de síntese por difusão de soluto .” 1996. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Miskys CR. Síntese de fosfeto de índio pelo método de síntese por difusão de soluto . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1996. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278453.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Miskys CR. Síntese de fosfeto de índio pelo método de síntese por difusão de soluto . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1996. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278453

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation


Universidade Estadual de Campinas

10. Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti. Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman.

Degree: 1989, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Mammana, Alaide Pellegrini, 1941- (advisor), Mammana, Alaide Pelegrini (advisor), Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948- (advisor).

Subjects/Keywords: Semicondutores de arsenieto de galio; Dispositivos eletronicos; Dispositivos optoeletrônicos

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Oliveira, C. E. M. (1989). Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman. (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261888

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti. “Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman. ” 1989. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261888.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti. “Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman. ” 1989. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Oliveira CEM. Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman. [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261888.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Oliveira CEM. Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman. [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261888

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation


Universidade Estadual de Campinas

11. Sato, Julio Noboru. Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE .

Degree: 1996, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo de crescimento homoepitaxial de GaAs que tem por objetivo calibrar o sistema CBE montado na Unicamp, auxiliando no crescimento… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores de arsenieto de galio

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Sato, J. N. (1996). Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278462

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Sato, Julio Noboru. “Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE .” 1996. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278462.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Sato, Julio Noboru. “Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE .” 1996. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Sato JN. Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1996. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278462.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Sato JN. Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1996. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278462

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation


Universidade Estadual de Campinas

12. Bettini, Jefferson. Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE) .

Degree: 1997, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo do crescimento epitaxial de InXGal-XP sobre GaAs que tem por objetivo a obtenção do ln0,49Ga0,51P. Em nosso trabalho, medimos… (more)

Subjects/Keywords: Epitaxia; Arsenieto de gálio

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Bettini, J. (1997). Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE) . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278441

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Bettini, Jefferson. “Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE) .” 1997. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278441.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Bettini, Jefferson. “Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE) .” 1997. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Bettini J. Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE) . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1997. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278441.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Bettini J. Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE) . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1997. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278441

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation


Universidade Estadual de Campinas

13. Bettini, Jefferson. Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico .

Degree: 2003, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresentamos, neste trabalho, um estudo da dopagem residual e intencional, do ordenamento e das interfaces no crescimento epitaxial de InGaP/GaAs com os parâmetro de(more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Epitaxia; Arsenieto de gálio

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Bettini, J. (2003). Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278399

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Bettini, Jefferson. “Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico .” 2003. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278399.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Bettini, Jefferson. “Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico .” 2003. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Bettini J. Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2003. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278399.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Bettini J. Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2003. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278399

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation


Universidade Estadual de Campinas

14. Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti. Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski .

Degree: 1996, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Foram crescidos tarugos monocristalinos de antimoneto de g?lio (GaSb), de arseneto de g?lio (GaAs) e de fosfeto de ?ndio (InP) utilizando-se as t?cnicas Czochra1ski,para… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Optoeletr?nica; Cristais - Crescimento

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Oliveira, C. E. M. (1996). Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261012

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti. “Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski .” 1996. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed August 13, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261012.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

MLA Handbook (7th Edition):

Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti. “Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski .” 1996. Web. 13 Aug 2020.

Vancouver:

Oliveira CEM. Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1996. [cited 2020 Aug 13]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261012.

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

Council of Science Editors:

Oliveira CEM. Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1996. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261012

Note: this citation may be lacking information needed for this citation format:
Not specified: Masters Thesis or Doctoral Dissertation

.