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You searched for +publisher:"Universidade Estadual de Campinas" +contributor:("Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de"). Showing records 1 – 30 of 39 total matches.

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Universidade Estadual de Campinas

1. Oliveira, Douglas Soares de, 1988-. Nanofios semicondutores = síntese e processos de formação .

Degree: 2012, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: O estudo em nanofios semicondutores é crescente, seja pelo grande potencial de aplicações previsto para eles, seja para entender a dinâmica de formação dessas… (more)

Subjects/Keywords: Nanofios semicondutores; Fosfeto de índio; Vapor-líquido-sólido

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APA (6th Edition):

Oliveira, Douglas Soares de, 1. (2012). Nanofios semicondutores = síntese e processos de formação . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278326

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Oliveira, Douglas Soares de, 1988-. “Nanofios semicondutores = síntese e processos de formação .” 2012. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278326.

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MLA Handbook (7th Edition):

Oliveira, Douglas Soares de, 1988-. “Nanofios semicondutores = síntese e processos de formação .” 2012. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Oliveira, Douglas Soares de 1. Nanofios semicondutores = síntese e processos de formação . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2012. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278326.

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Council of Science Editors:

Oliveira, Douglas Soares de 1. Nanofios semicondutores = síntese e processos de formação . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2012. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278326

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Universidade Estadual de Campinas

2. Menezes, Alan Silva de. Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes .

Degree: 2010, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho, a difração múltipla (DM) de raios-X associada com as vantagens da radiação síncrotron configura-se como uma microssonda de alta resolução e é… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Implantação iônica; Raios X - Difração múltipla; Pontos quânticos

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APA (6th Edition):

Menezes, A. S. d. (2010). Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278200

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Menezes, Alan Silva de. “Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes .” 2010. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278200.

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MLA Handbook (7th Edition):

Menezes, Alan Silva de. “Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes .” 2010. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Menezes ASd. Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2010. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278200.

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Council of Science Editors:

Menezes ASd. Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2010. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278200

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Universidade Estadual de Campinas

3. Silva Filho, Adenir da. Microlasers de cavidades estádio aplicados à detecção nanovolumétrica .

Degree: 2010, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Este trabalho apresenta o uso de cavidades ressonantes baseadas em geometrias de bilhares caóticos construídas em meios semicondutores opticamente ativos, visando seu aproveitamento ao… (more)

Subjects/Keywords: Ressonadores; Feixes de íons focalizados; Lasers semicondutores; Formato estádio

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APA (6th Edition):

Silva Filho, A. d. (2010). Microlasers de cavidades estádio aplicados à detecção nanovolumétrica . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277244

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Silva Filho, Adenir da. “Microlasers de cavidades estádio aplicados à detecção nanovolumétrica .” 2010. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277244.

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MLA Handbook (7th Edition):

Silva Filho, Adenir da. “Microlasers de cavidades estádio aplicados à detecção nanovolumétrica .” 2010. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Silva Filho Ad. Microlasers de cavidades estádio aplicados à detecção nanovolumétrica . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2010. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277244.

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Council of Science Editors:

Silva Filho Ad. Microlasers de cavidades estádio aplicados à detecção nanovolumétrica . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2010. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277244

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Universidade Estadual de Campinas

4. Tesser Junior, Nelson Luiz. Contribuição ao estudo da difusão de zinco e cádmio em Inp e o composto quaternário In0,97Ga0,03As0.08P0.92 .

Degree: 1986, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Nos últimos anos, sistemas InGaAsP-InP têm mostrado serem de grande interesse na fabricação de dispositivos como LEDs, LASERs, detetores(19,20,21), circuitos integrados etc. Estes avançados… (more)

Subjects/Keywords: Difusão; Física

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APA (6th Edition):

Tesser Junior, N. L. (1986). Contribuição ao estudo da difusão de zinco e cádmio em Inp e o composto quaternário In0,97Ga0,03As0.08P0.92 . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278443

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Tesser Junior, Nelson Luiz. “Contribuição ao estudo da difusão de zinco e cádmio em Inp e o composto quaternário In0,97Ga0,03As0.08P0.92 .” 1986. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278443.

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MLA Handbook (7th Edition):

Tesser Junior, Nelson Luiz. “Contribuição ao estudo da difusão de zinco e cádmio em Inp e o composto quaternário In0,97Ga0,03As0.08P0.92 .” 1986. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Tesser Junior NL. Contribuição ao estudo da difusão de zinco e cádmio em Inp e o composto quaternário In0,97Ga0,03As0.08P0.92 . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1986. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278443.

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Council of Science Editors:

Tesser Junior NL. Contribuição ao estudo da difusão de zinco e cádmio em Inp e o composto quaternário In0,97Ga0,03As0.08P0.92 . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1986. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278443

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Universidade Estadual de Campinas

5. Shibli, Suhaila Maluf. Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37 .

Degree: 1987, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: A liga quaternária semicondutora InGaAsP vem sendo utilizada na fabricação de dispositivos optoeletrônicos, os quais requerem um alto grau de controle quanto às suas… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores líquidos; Física

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APA (6th Edition):

Shibli, S. M. (1987). Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37 . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278448

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Shibli, Suhaila Maluf. “Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37 .” 1987. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278448.

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MLA Handbook (7th Edition):

Shibli, Suhaila Maluf. “Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37 .” 1987. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Shibli SM. Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37 . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1987. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278448.

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Council of Science Editors:

Shibli SM. Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37 . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1987. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278448

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Universidade Estadual de Campinas

6. Giglio, Jose Fernando Trevisan. Um estudo do laser com perfil de ganho invertido (LPGI) .

Degree: 1992, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948- (advisor).

Subjects/Keywords: Lasers; Física

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APA (6th Edition):

Giglio, J. F. T. (1992). Um estudo do laser com perfil de ganho invertido (LPGI) . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278454

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Giglio, Jose Fernando Trevisan. “Um estudo do laser com perfil de ganho invertido (LPGI) .” 1992. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278454.

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MLA Handbook (7th Edition):

Giglio, Jose Fernando Trevisan. “Um estudo do laser com perfil de ganho invertido (LPGI) .” 1992. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Giglio JFT. Um estudo do laser com perfil de ganho invertido (LPGI) . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1992. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278454.

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Council of Science Editors:

Giglio JFT. Um estudo do laser com perfil de ganho invertido (LPGI) . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1992. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278454

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Universidade Estadual de Campinas

7. Camilo Junior, Alexandre. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE .

Degree: 1990, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo do crescimento de InP sobre InP pela técnica de Epitaxia Química em Vácuo, utilizando o sistema construído no LPD/DFA-UNICAMP.… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Lasers

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APA (6th Edition):

Camilo Junior, A. (1990). Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Camilo Junior, Alexandre. “Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE .” 1990. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447.

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MLA Handbook (7th Edition):

Camilo Junior, Alexandre. “Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE .” 1990. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Camilo Junior A. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447.

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Council of Science Editors:

Camilo Junior A. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447

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Universidade Estadual de Campinas

8. Rocha, Stenio. Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In 0,53 Ga 0,47 AS/In P:Fe .

Degree: 1990, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Foram medidos a resistividade e o coeficiente de Hall de camadas epitaxiais de n-In0.53Ga0.47As crescidas sobre substratos semi-isolantes de Inp:Fe por L.P.E (epitaxia da… (more)

Subjects/Keywords: Ondas eletromagnéticas; Semicondutores

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APA (6th Edition):

Rocha, S. (1990). Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In 0,53 Ga 0,47 AS/In P:Fe . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278439

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Rocha, Stenio. “Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In 0,53 Ga 0,47 AS/In P:Fe .” 1990. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278439.

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MLA Handbook (7th Edition):

Rocha, Stenio. “Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In 0,53 Ga 0,47 AS/In P:Fe .” 1990. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Rocha S. Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In 0,53 Ga 0,47 AS/In P:Fe . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278439.

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Council of Science Editors:

Rocha S. Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In 0,53 Ga 0,47 AS/In P:Fe . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1990. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278439

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Universidade Estadual de Campinas

9. Santos, Thebano Emilio de Almeida. Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado .

Degree: 1986, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: É feito um estudo sobre difusão de estanho em GaAs dopado com Cr (semi-isolante) e tipo p através da técnica que utiliza filme de(more)

Subjects/Keywords: Comunicações óticas; Diodos emissores de luz; Sistemas de comunicação por laser

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APA (6th Edition):

Santos, T. E. d. A. (1986). Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278451

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Santos, Thebano Emilio de Almeida. “Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado .” 1986. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278451.

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MLA Handbook (7th Edition):

Santos, Thebano Emilio de Almeida. “Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado .” 1986. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Santos TEdA. Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1986. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278451.

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Council of Science Editors:

Santos TEdA. Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1986. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278451

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Universidade Estadual de Campinas

10. Cotta, Mônica Alonso, 1963-. Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo .

Degree: 1991, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresentamos aqui um estudo do crescimento de alguns compostos semicondutores III-V por epitaxia química em vácuo (do inglês Vacuum Chemical Epitaxy, VCE). O sistema… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Físico-química

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APA (6th Edition):

Cotta, Mônica Alonso, 1. (1991). Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278450

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Cotta, Mônica Alonso, 1963-. “Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo .” 1991. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278450.

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MLA Handbook (7th Edition):

Cotta, Mônica Alonso, 1963-. “Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo .” 1991. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Cotta, Mônica Alonso 1. Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1991. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278450.

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Council of Science Editors:

Cotta, Mônica Alonso 1. Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1991. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278450

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Universidade Estadual de Campinas

11. Barreto, Ciclamio Leite. Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo .

Degree: 1991, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Este trabalho experimental visa descrever a implantação e desenvolvimento de um laboratório de crescimento de semicondutores compostos III-V pelo método de Epitaxia Química em… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores - Pesquisa; Físico-química

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APA (6th Edition):

Barreto, C. L. (1991). Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278449

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Barreto, Ciclamio Leite. “Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo .” 1991. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278449.

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MLA Handbook (7th Edition):

Barreto, Ciclamio Leite. “Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo .” 1991. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Barreto CL. Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1991. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278449.

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Council of Science Editors:

Barreto CL. Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1991. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278449

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Universidade Estadual de Campinas

12. Miskys, Claudio Ronald. Síntese de fosfeto de índio pelo método de síntese por difusão de soluto .

Degree: 1996, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Desenvolvemos neste trabalho um sistema para realizar a síntese de InP a partir dos elementos Índio e Fósforo utilizando o método de crescimento a… (more)

Subjects/Keywords: Fosfeto de índio

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APA (6th Edition):

Miskys, C. R. (1996). Síntese de fosfeto de índio pelo método de síntese por difusão de soluto . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278453

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Miskys, Claudio Ronald. “Síntese de fosfeto de índio pelo método de síntese por difusão de soluto .” 1996. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278453.

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MLA Handbook (7th Edition):

Miskys, Claudio Ronald. “Síntese de fosfeto de índio pelo método de síntese por difusão de soluto .” 1996. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Miskys CR. Síntese de fosfeto de índio pelo método de síntese por difusão de soluto . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1996. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278453.

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Council of Science Editors:

Miskys CR. Síntese de fosfeto de índio pelo método de síntese por difusão de soluto . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1996. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278453

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Universidade Estadual de Campinas

13. Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti. Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman.

Degree: 1989, Universidade Estadual de Campinas

Resumo: Não informado; Abstract: Not informed. Advisors/Committee Members: Mammana, Alaide Pellegrini, 1941- (advisor), Mammana, Alaide Pelegrini (advisor), Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948- (advisor).

Subjects/Keywords: Semicondutores de arsenieto de galio; Dispositivos eletronicos; Dispositivos optoeletrônicos

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APA (6th Edition):

Oliveira, C. E. M. (1989). Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman. (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261888

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti. “Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman. ” 1989. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261888.

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MLA Handbook (7th Edition):

Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti. “Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman. ” 1989. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Oliveira CEM. Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman. [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261888.

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Council of Science Editors:

Oliveira CEM. Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman. [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1989. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261888

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Universidade Estadual de Campinas

14. Urdanivia Espinoza, Jorge Luis. Células solares de silício cristalino com emissores profundos .

Degree: 1995, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho desenvolvemos células solares com junção profunda. Este tipo de estrutura é adotado com o objetivo de reduzir-se a concentração de fósforo nos… (more)

Subjects/Keywords: Células solares; Silício; Fósforo; Difusão

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APA (6th Edition):

Urdanivia Espinoza, J. L. (1995). Células solares de silício cristalino com emissores profundos . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277810

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Urdanivia Espinoza, Jorge Luis. “Células solares de silício cristalino com emissores profundos .” 1995. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277810.

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MLA Handbook (7th Edition):

Urdanivia Espinoza, Jorge Luis. “Células solares de silício cristalino com emissores profundos .” 1995. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Urdanivia Espinoza JL. Células solares de silício cristalino com emissores profundos . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1995. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277810.

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Urdanivia Espinoza JL. Células solares de silício cristalino com emissores profundos . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1995. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277810

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15. Batista, Jerias Alves. Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos .

Degree: 1996, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Um importante passo para o desenvolvimento de estruturas microeletrônicas é a avaliação não destrutiva de dispositivos em operação. O conhecimento das perdas térmicas nessas… (more)

Subjects/Keywords: Microscópio e microscopia - Técnica; Difusividade térmica

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APA (6th Edition):

Batista, J. A. (1996). Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277358

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Batista, Jerias Alves. “Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos .” 1996. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277358.

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Batista, Jerias Alves. “Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos .” 1996. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Batista JA. Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1996. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277358.

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Batista JA. Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1996. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277358

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Universidade Estadual de Campinas

16. Sato, Julio Noboru. Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE .

Degree: 1996, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo de crescimento homoepitaxial de GaAs que tem por objetivo calibrar o sistema CBE montado na Unicamp, auxiliando no crescimento… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores de arsenieto de galio

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APA (6th Edition):

Sato, J. N. (1996). Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278462

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Sato, Julio Noboru. “Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE .” 1996. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278462.

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Sato, Julio Noboru. “Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE .” 1996. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Sato JN. Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1996. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278462.

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Sato JN. Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1996. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278462

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Universidade Estadual de Campinas

17. Bettini, Jefferson. Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE) .

Degree: 1997, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo do crescimento epitaxial de InXGal-XP sobre GaAs que tem por objetivo a obtenção do ln0,49Ga0,51P. Em nosso trabalho, medimos… (more)

Subjects/Keywords: Epitaxia; Arsenieto de gálio

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APA (6th Edition):

Bettini, J. (1997). Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE) . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278441

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Bettini, Jefferson. “Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE) .” 1997. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278441.

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MLA Handbook (7th Edition):

Bettini, Jefferson. “Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE) .” 1997. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Bettini J. Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE) . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1997. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278441.

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Bettini J. Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE) . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1997. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278441

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Universidade Estadual de Campinas

18. Gelamo, Rogerio Valentim. Análise de camadas epitaxiais finas crescidas através de CBE utilizando curvas de rocking e varreduras Renninger .

Degree: 2002, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo:Neste trabalho, heteroestruturas semicondutoras com camadas finas de espessura variável de GaxIn1-xP, crescidas sobre substratos de GaAs(001) através da técnica de Epitaxia por Feixe Químico… (more)

Subjects/Keywords: Raios X - Difração; Semicondutores; Filmes semicondutores; Filmes finos; Superfícies (Tecnologia)

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APA (6th Edition):

Gelamo, R. V. (2002). Análise de camadas epitaxiais finas crescidas através de CBE utilizando curvas de rocking e varreduras Renninger . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278152

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Gelamo, Rogerio Valentim. “Análise de camadas epitaxiais finas crescidas através de CBE utilizando curvas de rocking e varreduras Renninger .” 2002. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278152.

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MLA Handbook (7th Edition):

Gelamo, Rogerio Valentim. “Análise de camadas epitaxiais finas crescidas através de CBE utilizando curvas de rocking e varreduras Renninger .” 2002. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Gelamo RV. Análise de camadas epitaxiais finas crescidas através de CBE utilizando curvas de rocking e varreduras Renninger . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2002. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278152.

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Council of Science Editors:

Gelamo RV. Análise de camadas epitaxiais finas crescidas através de CBE utilizando curvas de rocking e varreduras Renninger . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2002. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278152

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Universidade Estadual de Campinas

19. Mialichi, José Roberto. Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica .

Degree: 2006, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Esta dissertação de mestrado apresenta estudos teóricos sobre o cálculo de ganho óptico em nanoestruturas baseadas no sistema InGaAs/InGaAsP. A partir da teoria de(more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Nanoestrutura; Ganho ótico

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APA (6th Edition):

Mialichi, J. R. (2006). Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278576

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Mialichi, José Roberto. “Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica .” 2006. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278576.

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MLA Handbook (7th Edition):

Mialichi, José Roberto. “Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica .” 2006. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Mialichi JR. Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2006. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278576.

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Council of Science Editors:

Mialichi JR. Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2006. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278576

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Universidade Estadual de Campinas

20. Bortoleto, Jose Roberto Ribeiro. Estudo da dinâmica de crescimento de filmes de InP homoepitaxiais : análise das características fractais .

Degree: 2000, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresentamos nesta tese o estudo da dinâmica de crescimento de filmes homoepitaxiais de InP crescidos pela técnica de Epitaxia por Feixe Químico (CBE) em… (more)

Subjects/Keywords: Filmes finos - Superfícies; Filmes semicondutores; Fosfeto de índio; Epitaxia

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APA (6th Edition):

Bortoleto, J. R. R. (2000). Estudo da dinâmica de crescimento de filmes de InP homoepitaxiais : análise das características fractais . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278500

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Bortoleto, Jose Roberto Ribeiro. “Estudo da dinâmica de crescimento de filmes de InP homoepitaxiais : análise das características fractais .” 2000. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278500.

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MLA Handbook (7th Edition):

Bortoleto, Jose Roberto Ribeiro. “Estudo da dinâmica de crescimento de filmes de InP homoepitaxiais : análise das características fractais .” 2000. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Bortoleto JRR. Estudo da dinâmica de crescimento de filmes de InP homoepitaxiais : análise das características fractais . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2000. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278500.

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Council of Science Editors:

Bortoleto JRR. Estudo da dinâmica de crescimento de filmes de InP homoepitaxiais : análise das características fractais . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2000. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278500

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Universidade Estadual de Campinas

21. Laureto, Edson. Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio .

Degree: 1995, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: São investigadas as propriedades elétricas e óticas na região excitônica do InP utilizando as técnicas de efeito Hall e fotoluminescência a baixas temperaturas, respectivamente.… (more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Fosfeto de índio; Fotoluminescência

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APA (6th Edition):

Laureto, E. (1995). Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277745

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Laureto, Edson. “Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio .” 1995. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277745.

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MLA Handbook (7th Edition):

Laureto, Edson. “Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio .” 1995. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Laureto E. Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1995. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277745.

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Laureto E. Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1995. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277745

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22. Quiñonez, Fabiola Azanha. Cristais fotônicos 2 D : projeto e fabricação .

Degree: 2006, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Nesta tese foi utilizado um programa baseado em elementos finitos para projetar cristais fotônicos bidimensionais, assim como foram desenvolvidos processos de litografia holográfica para… (more)

Subjects/Keywords: Cristais fotônicos; Diagramas de bandas; Litografia holográfica

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APA (6th Edition):

Quiñonez, F. A. (2006). Cristais fotônicos 2 D : projeto e fabricação . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278155

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Quiñonez, Fabiola Azanha. “Cristais fotônicos 2 D : projeto e fabricação .” 2006. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278155.

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Quiñonez, Fabiola Azanha. “Cristais fotônicos 2 D : projeto e fabricação .” 2006. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Quiñonez FA. Cristais fotônicos 2 D : projeto e fabricação . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2006. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278155.

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Quiñonez FA. Cristais fotônicos 2 D : projeto e fabricação . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2006. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278155

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23. Lujan, Guilherme Sansigolo. Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet .

Degree: 2000, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho são caracterizados filmes finos de WN e AlN obtidos por sputtering DC em ambiente de Nitrogênio. Diodos Schottky sobre GaAs são utilizados… (more)

Subjects/Keywords: Filmes finos; Schottky, Diodos de barreira de; Transistores de efeito de campo de semicondutor de metal; Nitretos

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APA (6th Edition):

Lujan, G. S. (2000). Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259742

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Lujan, Guilherme Sansigolo. “Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet .” 2000. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259742.

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Lujan, Guilherme Sansigolo. “Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet .” 2000. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Lujan GS. Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2000. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259742.

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Lujan GS. Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2000. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259742

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24. Silva Filho, Adenir da. Moduladores ópticos baseados em lasers de três terminais integrados com transistores de controle .

Degree: 2002, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Este trabalho de tese apresenta estudos investigativos e resultados experimentais sobre o funcionamento e fabricação de moduladores ópticos baseados em laseres de três terminais… (more)

Subjects/Keywords: Lasers semicondutores; Dispositivos optoeletrônicos; Transistores de efeito de campo; Semicondutores

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Silva Filho, A. d. (2002). Moduladores ópticos baseados em lasers de três terminais integrados com transistores de controle . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278498

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Silva Filho, Adenir da. “Moduladores ópticos baseados em lasers de três terminais integrados com transistores de controle .” 2002. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278498.

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MLA Handbook (7th Edition):

Silva Filho, Adenir da. “Moduladores ópticos baseados em lasers de três terminais integrados com transistores de controle .” 2002. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Silva Filho Ad. Moduladores ópticos baseados em lasers de três terminais integrados com transistores de controle . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2002. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278498.

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Council of Science Editors:

Silva Filho Ad. Moduladores ópticos baseados em lasers de três terminais integrados com transistores de controle . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2002. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278498

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Universidade Estadual de Campinas

25. Oliveira, Ivan de, 1972-. Fixação de hologramas em Niobato de Lítio .

Degree: 2005, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Neste trabalho foram realizadas contribuições importantes na área de registro holográfico auto-estabilizado em niobato de lítio (LiNbO3:Fe) e do estudo da dinâmica da formação… (more)

Subjects/Keywords: Hologramas; Holografia; Fixação; Materiais fotorrefrativos; Niobato de lítio; Lítio; Auto-estabilização

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Oliveira, Ivan de, 1. (2005). Fixação de hologramas em Niobato de Lítio . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277998

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Oliveira, Ivan de, 1972-. “Fixação de hologramas em Niobato de Lítio .” 2005. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277998.

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Oliveira, Ivan de, 1972-. “Fixação de hologramas em Niobato de Lítio .” 2005. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Oliveira, Ivan de 1. Fixação de hologramas em Niobato de Lítio . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2005. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277998.

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Oliveira, Ivan de 1. Fixação de hologramas em Niobato de Lítio . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2005. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277998

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Universidade Estadual de Campinas

26. Zagonel, Luiz Fernando, 1979-. Tratamentos de superf?cies de uma liga ferrosa por ?ons de nitrog?nio .

Degree: 2006, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: O objetivo deste trabalho ? estudar processos de tratamento superficial por plasma com especial aten??o ?s peculiaridades da t?cnica frente ?s demais pr?ticas de(more)

Subjects/Keywords: Nitrura??o; Difus?o; Plasma (Gases ionizados); A?o - Propriedades mec?nicas; A?o - Estruturas; Implanta??o i?nica

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Zagonel, Luiz Fernando, 1. (2006). Tratamentos de superf?cies de uma liga ferrosa por ?ons de nitrog?nio . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277763

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Zagonel, Luiz Fernando, 1979-. “Tratamentos de superf?cies de uma liga ferrosa por ?ons de nitrog?nio .” 2006. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277763.

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Zagonel, Luiz Fernando, 1979-. “Tratamentos de superf?cies de uma liga ferrosa por ?ons de nitrog?nio .” 2006. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Zagonel, Luiz Fernando 1. Tratamentos de superf?cies de uma liga ferrosa por ?ons de nitrog?nio . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2006. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277763.

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Zagonel, Luiz Fernando 1. Tratamentos de superf?cies de uma liga ferrosa por ?ons de nitrog?nio . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2006. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277763

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Universidade Estadual de Campinas

27. Barbosa, Marcelo Caldeira. Ondas de carga em materiais fotorrefrativos .

Degree: 2003, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Investigamos um novo procedimento que permite o uso de hologramas em movimento com retroalimenta??o (fringe-locked running holograms) para a caracteriza??o de materiais fotorrefrativos absorventes… (more)

Subjects/Keywords: Holografia; Materiais fotorrefrativos; Materiais ?ticos; ?tica n?o-linear; Sistemas de controle por realimenta??o

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APA (6th Edition):

Barbosa, M. C. (2003). Ondas de carga em materiais fotorrefrativos . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278011

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Barbosa, Marcelo Caldeira. “Ondas de carga em materiais fotorrefrativos .” 2003. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278011.

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Barbosa, Marcelo Caldeira. “Ondas de carga em materiais fotorrefrativos .” 2003. Web. 16 Feb 2020.

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Barbosa MC. Ondas de carga em materiais fotorrefrativos . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2003. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278011.

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Barbosa MC. Ondas de carga em materiais fotorrefrativos . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2003. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278011

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Universidade Estadual de Campinas

28. Bettini, Jefferson. Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico .

Degree: 2003, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Apresentamos, neste trabalho, um estudo da dopagem residual e intencional, do ordenamento e das interfaces no crescimento epitaxial de InGaP/GaAs com os parâmetro de(more)

Subjects/Keywords: Semicondutores; Epitaxia; Arsenieto de gálio

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Bettini, J. (2003). Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278399

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Bettini, Jefferson. “Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico .” 2003. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278399.

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Bettini, Jefferson. “Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico .” 2003. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Bettini J. Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2003. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278399.

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Bettini J. Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2003. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278399

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Universidade Estadual de Campinas

29. Chiaramonte, Thalita. Crescimento e caraterização de estruturas de baixa dimensionalidade para aplicações no espectro vísivel .

Degree: 2007, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Os nitretos (Ga, Al, In)N assim como os compostos GaInP, GaCuO2, representam um sistema de materiais muito importante para as aplicações em opto-eletrônica e… (more)

Subjects/Keywords: Crescimento MOCVD; Materiais nanoestruturados; Materiais microestruturatos; Nanofios semicondutores; Caracterização estrutural e ótica

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Chiaramonte, T. (2007). Crescimento e caraterização de estruturas de baixa dimensionalidade para aplicações no espectro vísivel . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278180

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Chicago Manual of Style (16th Edition):

Chiaramonte, Thalita. “Crescimento e caraterização de estruturas de baixa dimensionalidade para aplicações no espectro vísivel .” 2007. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278180.

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Chiaramonte, Thalita. “Crescimento e caraterização de estruturas de baixa dimensionalidade para aplicações no espectro vísivel .” 2007. Web. 16 Feb 2020.

Vancouver:

Chiaramonte T. Crescimento e caraterização de estruturas de baixa dimensionalidade para aplicações no espectro vísivel . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2007. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278180.

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Chiaramonte T. Crescimento e caraterização de estruturas de baixa dimensionalidade para aplicações no espectro vísivel . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 2007. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278180

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Universidade Estadual de Campinas

30. Hayashi, Marcelo Assaoka. Difração múltipla de raios-X no estudo de ordenamento em ligas semicondutoras e defeitos em semicondutores implantados .

Degree: 1999, Universidade Estadual de Campinas

 Resumo: Este trabalho tem como objetivo o desenvolvimento da difração múlt ipla de raios-X, como uma nova técnica de caracterização de materiais semicondutores submetidos à… (more)

Subjects/Keywords: Raios X - Difração; Semicondutores; Implantação iônica

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Hayashi, M. A. (1999). Difração múltipla de raios-X no estudo de ordenamento em ligas semicondutoras e defeitos em semicondutores implantados . (Thesis). Universidade Estadual de Campinas. Retrieved from http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278194

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Hayashi, Marcelo Assaoka. “Difração múltipla de raios-X no estudo de ordenamento em ligas semicondutoras e defeitos em semicondutores implantados .” 1999. Thesis, Universidade Estadual de Campinas. Accessed February 16, 2020. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278194.

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Hayashi, Marcelo Assaoka. “Difração múltipla de raios-X no estudo de ordenamento em ligas semicondutoras e defeitos em semicondutores implantados .” 1999. Web. 16 Feb 2020.

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Hayashi MA. Difração múltipla de raios-X no estudo de ordenamento em ligas semicondutoras e defeitos em semicondutores implantados . [Internet] [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1999. [cited 2020 Feb 16]. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278194.

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Hayashi MA. Difração múltipla de raios-X no estudo de ordenamento em ligas semicondutoras e defeitos em semicondutores implantados . [Thesis]. Universidade Estadual de Campinas; 1999. Available from: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278194

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