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1. Broch, Laurent. Ellipsométrie à élément(s) tournant(s) : impact des erreurs aléatoires et sytèmatiques sur les grandeurs ellipsométriques : Rotating element(s) ellipsometry : impact of random and systematic errors on the ellipsometric parameters.

Degree: Docteur es, Physique, 2011, Metz

Cette thèse est consacrée à l'influence des erreurs systématiques et aléatoires sur les grandeurs ellipsométriques. Pour chaque type d'erreur, nous proposons des solutions pour limiter et éliminer leur influence sur le résultat final. La première partie expose les principes fondamentaux qui régissent le fonctionnement d'un ellipsomètre et décrit les dispositifs expérimentaux à élément(s) tournant(s) utilisés au LPMD. Pour chaque configuration, les méthodes de mesures et de calibrage y sont exposées. La deuxième partie traite des erreurs aléatoires et présente des procédures originales, dites de tracking, permettant de réduire leurs impacts sur les paramètres ellipsométriques. Les erreurs de mesure et erreurs produites lors de l'étape du calibrage d'un ellipsomètre à polariseur tournant (PRPSE) sont exposées. Une configuration optimisée nommée PRPCSE, permettant la caractérisation de systèmes dont l'angle Delta est voisin de 0° ou 180° est proposée. Les erreurs aléatoires et les méthodes de réduction d'un ellipsomètre à compensateur tournant (RCE) sont également décrites. La troisième partie, traite des erreurs systématiques d'un ellipsomètre à matrice de Mueller à double compensateur tournant. Une procédure de mesure dite 4-zones, qui permet de réduire l'impact des erreurs sur la matrice de réflexion de l'échantillon est proposée. Des exemples numériques et expérimentaux illustrent les méthodes développées

This thesis is devoted to the influence of systematic and random errors on the ellipsometric parameters. For each error, we propose solutions to reduce and eliminate their influence on the final result. The first part outlines the basic principles of ellipsometry and describes the experimental set-up of rotating element(s) ellipsometers used in LPMD. For each configuration, the methods of measurement and calibration are presented. The second part deals with random errors and presents an original method, called tracking, to reduce their impact on the ellipsometric parameters. Measurement errors and errors generated during the calibration of a rotating polarizer ellipsometer (PRPSE) are exposed. An optimized configuration called PRPCSE, allowing the characterization of systems when the angle Delta is near 0° or 180° is proposed. Random errors and methods of optimization for a Rotating Compensator Ellipsometer (RCE) are also described. The third part deals with the systematic errors of a Mueller Matrix Ellipsometer (MME) in the dual rotating compensator configuration. A measurement procedure called 4-zones, which reduces the impact of errors on the reflection matrix of the sample is given. Numerical and experimental examples illustrate the developed methods

Advisors/Committee Members: Johann, Luc (thesis director), En Naciri, Aotmane (thesis director).

Subjects/Keywords: Ellipsométrie; Erreurs systèmatiques; Erreurs aléatoires; Optimisation

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APA (6th Edition):

Broch, L. (2011). Ellipsométrie à élément(s) tournant(s) : impact des erreurs aléatoires et sytèmatiques sur les grandeurs ellipsométriques : Rotating element(s) ellipsometry : impact of random and systematic errors on the ellipsometric parameters. (Doctoral Dissertation). Metz. Retrieved from http://www.theses.fr/2011METZ006S

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Broch, Laurent. “Ellipsométrie à élément(s) tournant(s) : impact des erreurs aléatoires et sytèmatiques sur les grandeurs ellipsométriques : Rotating element(s) ellipsometry : impact of random and systematic errors on the ellipsometric parameters.” 2011. Doctoral Dissertation, Metz. Accessed October 21, 2019. http://www.theses.fr/2011METZ006S.

MLA Handbook (7th Edition):

Broch, Laurent. “Ellipsométrie à élément(s) tournant(s) : impact des erreurs aléatoires et sytèmatiques sur les grandeurs ellipsométriques : Rotating element(s) ellipsometry : impact of random and systematic errors on the ellipsometric parameters.” 2011. Web. 21 Oct 2019.

Vancouver:

Broch L. Ellipsométrie à élément(s) tournant(s) : impact des erreurs aléatoires et sytèmatiques sur les grandeurs ellipsométriques : Rotating element(s) ellipsometry : impact of random and systematic errors on the ellipsometric parameters. [Internet] [Doctoral dissertation]. Metz; 2011. [cited 2019 Oct 21]. Available from: http://www.theses.fr/2011METZ006S.

Council of Science Editors:

Broch L. Ellipsométrie à élément(s) tournant(s) : impact des erreurs aléatoires et sytèmatiques sur les grandeurs ellipsométriques : Rotating element(s) ellipsometry : impact of random and systematic errors on the ellipsometric parameters. [Doctoral Dissertation]. Metz; 2011. Available from: http://www.theses.fr/2011METZ006S

2. Filsan Ahmed Youssouf, Filsane. Etude des réponses optiques de nanocristaux à base de semiconducteurs II-VI : znTe, ZnS et de ZnS : mn : Study of optical responses of nanocristals based ii-vi semiconductors : znTe, ZnS and ZnS : mn.

Degree: Docteur es, Physique, 2011, Metz

Ce travail de thèse s’inscrit dans le cadre de l’étude des réponses optiques des nanocristaux à base de semiconducteurs II-VI. Ici nous avons déterminé les propriétés optiques de ZnTe, ZnS et ‘ZnS : Mn’ nanostructurés par ellipsométrie spectroscopique (SE). Nous avons déterminé la fonction diélectrique et les transitions optiques des NC-ZnTe par SE dans la gamme spectrale 0.6 à 6.5 eV. L’influence de la taille des NC sur les propriétés optiques et en particulier sur les transitions optiques a été aussi montrée. Les réponses optiques ont été déterminées en utilisant deux modèles : le modèle des points critiques d’Adachi et la loi de dispersion de Tauc-Lorentz. Tout au long de ce travail, nous avons tenté de contribuer à la compréhension du processus d’absorption dans les NC semi-conducteurs avec une technique non destructive capable de rendre compte des phénomènes liés à la réduction de la taille. Malgré le caractère indirect de l’ellipsométrie nécessitant une bonne connaissance de l’échantillon, nous avons démontré qu’elle est capable de déterminer plusieurs propriétés des NC (indice de réfraction complexe, coefficient d’absorption, énergie de gap, signatures des transitions optiques, excès de NC, taille moyenne, épaisseurs des couches de silice) et même de tenir compte des défauts liés à l’implantation

In this work, we report on the study of the optical responses of nanocrystals semiconductor based II-VI. Here we have determined the optical properties of nanostructured ZnTe, ZnS and 'ZnS:Mn' by spectroscopic ellipsometry (SE). We have obtained the dielectric function and optical transitions of NC-ZnTe by spectroscopic ellipsometry in the spectral range 0.6 à 6.5 eV. The influence of the NC size on the optical properties and on the optical transitions was also shown. The optical responses were extracted using two models: the generalized critical points model of Adachi and the Tauc-Lorentz dispersion formula. Throughout this work we have tried to contribute to the understanding of absorption processes in semiconductor NC with a nondestructive technique by tacking into account the phenomena related to quantum confinement. Despite the indirect nature of ellipsometry requiring a good knowledge of the sample, we demonstrated that it is able to determine several properties of NC (complex refractive index, absorption coefficient, energy gap, optical transition energies, NC of excess, thick layers of silica) and even to take account into defects due to implantation.

Advisors/Committee Members: En Naciri, Aotmane (thesis director), Johann, Luc (thesis director).

Subjects/Keywords: Fonctions diélectriques

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APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Filsan Ahmed Youssouf, F. (2011). Etude des réponses optiques de nanocristaux à base de semiconducteurs II-VI : znTe, ZnS et de ZnS : mn : Study of optical responses of nanocristals based ii-vi semiconductors : znTe, ZnS and ZnS : mn. (Doctoral Dissertation). Metz. Retrieved from http://www.theses.fr/2011METZ009S

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Filsan Ahmed Youssouf, Filsane. “Etude des réponses optiques de nanocristaux à base de semiconducteurs II-VI : znTe, ZnS et de ZnS : mn : Study of optical responses of nanocristals based ii-vi semiconductors : znTe, ZnS and ZnS : mn.” 2011. Doctoral Dissertation, Metz. Accessed October 21, 2019. http://www.theses.fr/2011METZ009S.

MLA Handbook (7th Edition):

Filsan Ahmed Youssouf, Filsane. “Etude des réponses optiques de nanocristaux à base de semiconducteurs II-VI : znTe, ZnS et de ZnS : mn : Study of optical responses of nanocristals based ii-vi semiconductors : znTe, ZnS and ZnS : mn.” 2011. Web. 21 Oct 2019.

Vancouver:

Filsan Ahmed Youssouf F. Etude des réponses optiques de nanocristaux à base de semiconducteurs II-VI : znTe, ZnS et de ZnS : mn : Study of optical responses of nanocristals based ii-vi semiconductors : znTe, ZnS and ZnS : mn. [Internet] [Doctoral dissertation]. Metz; 2011. [cited 2019 Oct 21]. Available from: http://www.theses.fr/2011METZ009S.

Council of Science Editors:

Filsan Ahmed Youssouf F. Etude des réponses optiques de nanocristaux à base de semiconducteurs II-VI : znTe, ZnS et de ZnS : mn : Study of optical responses of nanocristals based ii-vi semiconductors : znTe, ZnS and ZnS : mn. [Doctoral Dissertation]. Metz; 2011. Available from: http://www.theses.fr/2011METZ009S

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