Advanced search options

Advanced Search Options 🞨

Browse by author name (“Author name starts with…”).

Find ETDs with:

in
/  
in
/  
in
/  
in

Written in Published in Earliest date Latest date

Sorted by

Results per page:

You searched for +publisher:"Limoges" +contributor:("Teyssier, Jean-Pierre"). One record found.

Search Limiters

Last 2 Years | English Only

No search limiters apply to these results.

▼ Search Limiters

1. Avcu, Mustafa. Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω : Parasitic effects characterization in GaN HEMTs : development of 3ω measurement bench.

Degree: Docteur es, Electronique des Hautes Fréquences, Photonique et Systèmes, 2014, Limoges

Ce document porte sur le développement d’un nouveau banc de mesure pour la caractérisation de l’impédance thermique des HEMTs GaN. Le banc développé repose sur la méthode dite « 3ω » qui consiste à mesurer l’harmonique 3 d’un signal électrique véritable image des variations thermiques du composant. Un balayage en fonction de la fréquence d’excitation conduit à l’extraction de l’impédance thermique. Les résultats de mesures ont été validés par les simulations électriques. Des études complémentaires ont été réalisées pour l’identification des effets de pièges en utilisant différentes méthodes permettant l’extraction de la signature des pièges. La réalisation des modèles non-linéaires est présentée pour les transistors HEMT AlGaN/GaN et InAIN/GaN pour des applications d’amplificateur de puissance dans les bandes de fréquences X et K.

This report is devoted to the development of a new measurement bench for thermal impedance characterization of GaN HEMTs. This measurement test set uses the so-called « 3ω » technique, which consists to measure the electrical signal at third harmonic real image of the thermal magnitude variations of the device. A sweep in function of the excitation frequency allows extracting of the thermal impedance. The measurement results have been validated by electrical simulation. Other complementary studies were performed to identify the trapping effects using different methods to extract the traps signature. The realization of nonlinear models is presented for AlGaN HEMT / GaN and InAIN / GaN to the power amplification applications in frequency bands X and K.

Advisors/Committee Members: Teyssier, Jean-Pierre (thesis director), Sommet, Raphaël (thesis director).

Subjects/Keywords: Méthode 3ω; Impédance thermique; HEMT; AlGaN/GaN; InAlN/GaN; 3ω method; Thermal impedance; HEMT; AlGaN/GaN; InAlN/GaN; 621.381

Record DetailsSimilar RecordsGoogle PlusoneFacebookTwitterCiteULikeMendeleyreddit

APA · Chicago · MLA · Vancouver · CSE | Export to Zotero / EndNote / Reference Manager

APA (6th Edition):

Avcu, M. (2014). Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω : Parasitic effects characterization in GaN HEMTs : development of 3ω measurement bench. (Doctoral Dissertation). Limoges. Retrieved from http://www.theses.fr/2014LIMO0048

Chicago Manual of Style (16th Edition):

Avcu, Mustafa. “Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω : Parasitic effects characterization in GaN HEMTs : development of 3ω measurement bench.” 2014. Doctoral Dissertation, Limoges. Accessed November 17, 2019. http://www.theses.fr/2014LIMO0048.

MLA Handbook (7th Edition):

Avcu, Mustafa. “Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω : Parasitic effects characterization in GaN HEMTs : development of 3ω measurement bench.” 2014. Web. 17 Nov 2019.

Vancouver:

Avcu M. Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω : Parasitic effects characterization in GaN HEMTs : development of 3ω measurement bench. [Internet] [Doctoral dissertation]. Limoges; 2014. [cited 2019 Nov 17]. Available from: http://www.theses.fr/2014LIMO0048.

Council of Science Editors:

Avcu M. Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω : Parasitic effects characterization in GaN HEMTs : development of 3ω measurement bench. [Doctoral Dissertation]. Limoges; 2014. Available from: http://www.theses.fr/2014LIMO0048

.